Високороздільна Х-променева дифрактометрія структурних порушень у приповерхневих шарах Si та кристалічних з'єднань CdHgTe, YLaFeO після іонної імплантації
Перебіг структурних змін у приповерхневих шарах епітаксійних плівок CdHgTe, після імплантації іонів арсену й азоту. Удосконалення методів діагностики структурних дефектів на основі узагальненої динамічної теорії дифракції Х- променів реальними кристалами.
Подобные документы
Розробка пристроїв для реалізації схеми двокристального спектрометру. Оцінка структурних змін і параметрів можливих дефектів в імплантованих фосфором приповерхневих шарах пористого кремнію. Дослідження будови поверхні методом атомно-силової мікроскопії.
автореферат, добавлен 28.07.2014Визначення структурних змін на поверхні та в приповерхневих шарах карбіду кремнію під дією лазерного опромінення в залежності від режимів випромінювання. Вплив лазерного опромінення на мікроструктурні та фізичні властивості широкозонних напівпровідників.
автореферат, добавлен 20.07.2015Дослідження властивостей тонких багатокомпонентних плівок: епітаксійних плівок SiGe, Si-Ge-С, отриманих методом плазмохімічного осадження. Введення вуглецю в процесі іонної імплантації і його вплив на рівень механічних напружень в епітаксійних структурах.
автореферат, добавлен 20.04.2014Виявлення фізичних механізмів структурних перетворень у поверхневих шарах кремнієвої та кремній-кисневої фази шаруватих систем кремній-оксид. Аналіз термічного окислення кремнію при імплантації кисню в кремній з наступним високотемпературним відпалом.
автореферат, добавлен 23.11.2013Дослідження електронної і магнітної структури вихідних і імплантованих іонами монокристалічних ферит-гранатових плівок. Вплив концентрації радіаційних дефектів на електронну структуру магнітного розупорядкування в імплантованих приповерхневих шарах.
автореферат, добавлен 12.02.2014- 6. Електронні ефекти в спектрах електровідбивання приповерхневих шарів матеріалів ІV та АІІІ ВV груп
Особливості електронних явищ в приповерхневих шарах сильно легованих твердих розчинів германій-кремній. Електронні ефекти в спектрах електровідбивання приповерхневих шарів та їх зміни в результаті різних обробок поверхні (механічна, опромінення).
автореферат, добавлен 27.07.2014 Вимір профілів імплантації іонів 4He у Ni в області енергій, що відповідає максимуму гальмівної здатності іонів He. Опис спектру дворазового пружного розсіювання швидких легких іонів. Вибір методики вимірювання концентраційних профілів ізотопів кисню.
автореферат, добавлен 27.02.2014Адаптація методів двокристальної високороздільної Х-променевої дифрактометрії для діагностики короткоперіодних надграток. Проведення комплексу високороздільних дифрактометричних досліджень структурних та деформаційних характеристик багатошарових структур.
автореферат, добавлен 14.09.2014Аналіз оптичних, електричних і структурних властивостей широкозонних шарів. Особливості механізмів випромінювальної рекомбінації у тонких шарах широкозонних напівпровідників, зумовлених енергетичною структурою дозволених зон та дефектної підсистеми.
автореферат, добавлен 29.09.2015Вирішення проблеми встановлення закономірностей фізичних процесів низькотемпературного формування структури приповерхневих шарів твердих тіл під впливом атомно-іонних потоків. Структурні властивості матеріалів. Створення комплексу математичних моделей.
автореферат, добавлен 28.09.2014Особливості розсіяння Х-променів у багатошарових нанорозмірних системах, що містять квантові ями. Визначення концентрацій азоту у квантових ямах і буферних шарах. Створення програмного забезпечення для розрахунку кривих дифракційного відбивання.
автореферат, добавлен 12.07.2014Проблеми встановлення закономірностей фізичних процесів низькотемпературного формування структури приповерхневих шарів твердих тіл під впливом атомно-іонних потоків. Комплекс математичних моделей для комп’ютерного моделювання процесів структуроутворення.
автореферат, добавлен 29.01.2016Вирішення актуальної наукової проблеми встановлення зв’язку структури і фізико-механічних властивостей кристалічних тіл, ґратки яких містять атоми перехідних елементів. Оцінка впливу структурних дефектів і напружень на стан металів, сплавів і сполук.
автореферат, добавлен 26.07.2014Розрахунки температурного поля, розподілу деформації і термічних напружень у зоні лазерної плями на опроміненій поверхні GaAs. Порогова густина оптичної енергії лазерного випромінювання. Розподіл інтенсивності опромінювання при дифракції від екранів.
автореферат, добавлен 29.08.2015Вивчення кристалічної та магнітної мікроструктури об’ємних і приповерхневих шарів епітаксійних гетероструктур ЗІҐ/ҐҐҐ. Визначення максимальної концентрації густини дислокацій невідповідності. Аналіз діаграм результуючого вектора магнітного моменту.
автореферат, добавлен 28.09.2014- 16. Роль макродефектів в електронних та іонних процесах в кристалах і епітаксійних шарах сполук А2В6
Вплив декорованих дислокацій на люмінесцентні та оптичні характеристики кристалів CdS. Роль лінійних дефектів на спектри фотолюмінесценції епітаксійних шарів ZnTe/GaAs, ZnSe/GaAs та дослідження розподілу точкових та лінійних дефектів по товщині шарів.
автореферат, добавлен 21.11.2013 Вплив спотворень на величину і поведінку інтегральної відбиваючої здатності. Закономірності дифракції рентгенівських променів на масивних реальних кристалах кремнію для розвитку представлень про вплив структурних спотворень на параметри дифракції.
автореферат, добавлен 23.02.2014Розглядання дисперсійного аналізу впливу асиметрії розсіяння на процеси дифракції рентгенівських променів при різних значеннях градієнта деформації та товщини кристала, Лауе-дифракції, диференційних рівнянь міжгілкового обміну рентгенівських променів.
автореферат, добавлен 24.02.2014Використання методів визначення абсолютних значень періодів ґратки кристалів за допомогою багатохвильової дифрактометрії. Компланарна багатохвильова дифракція. Умові реалізації компланарної дифракції. Динамічна теорія розсіювання рентгенівських променів.
автореферат, добавлен 30.07.2014Моделювання дифузії атомарного водню у напівпровідниках з урахуванням поверхневих, об’ємних реакцій. Визначення можливих механізмів хемостимульованої дифузії у напівпровідниках, процес утворення дефектів під дією енергії поверхневих хімічних реакцій.
автореферат, добавлен 23.11.2013Проблеми дослідження магнітної та кристалічної мікроструктури приповерхневих шарів епітаксійних плівок ЗІГ. Розробка методики чисельного аналізу експериментальних КЕМ спектрів гранатових структур з великою кількістю близьких нееквівалентних положень.
автореферат, добавлен 25.04.2014Проведення експериментальних і теоретичних досліджень полімолекулярних шарів рідин (мезо- та немезогених) та встановлення наслідків їх молекулярної орієнтаційної впорядкованості на твердих підкладках різного походження. Побудова моделі епітропної фази.
автореферат, добавлен 18.11.2013Розробка підходів і методів математичного моделювання поведінки структурно-неоднорідних металічних тіл в умовах дії зовнішніх силових фрикційних навантажень. Оцінка впливу структурних параметрів на напружено-деформований стан приповерхневих шарів.
автореферат, добавлен 26.08.2015Аналіз основних структурних змін, що відбуваються у напівпровідникових кристалах при легуванні шляхом імплантації та при наступних технологічних обробках. Встановлення ролі легуючої домішки бору в утворенні електрично-активних кисневмісних комплексів.
автореферат, добавлен 07.08.2014Дослідження структурних і фізичних властивостей реактивно-магнетронно розпилених плівок W-Ti-N та Ta-Si-N, в залежності від вмісту азоту в розпилювальній плазмі. Взаємозв’язок між фізико-технологічними параметрами розпилення і властивостями тонких плівок.
автореферат, добавлен 30.10.2015