Взаємодія п’єзоелектричних полів із двовимірним електронним газом у системі резонатор LiNbO3 – шаруватий напівпровідник
Встановлення особливостей взаємодії носіїв заряду з п’єзоелектричними полями, генерованими електропружними ультразвуковими коливаннями. Огляд шаруватих структур типу п’єзоелектричний резонатор LiNbO3 – напівпровідникової низькорозмірної гетероструктури.
Подобные документы
Розрахунок залежності положення рівня Фермі та концентрації вільних носіїв заряду в високоомному кремнії від дози опромінення нейтронами. Визначення зсуву вольт-амперних характеристик кремнієвих структур та розподіл електричного поля в стрип-детекторах.
автореферат, добавлен 07.01.2014Розвиток теорії повздовжніх флуктуацій струму в анізотропних напівпровідниках і встановленні на її основі головних закономірностей сумісної дії гріючого носії електричного та класично сильного магнітного полів і температури на спектральну щільність шумів.
автореферат, добавлен 06.07.2014Метод розрахунку шаруватих структур – змішана схема методу скінченних елементів у переміщеннях – міжшарових контактних напруженнях. Алгоритм числового дослідження даного впливу. Розробка та обґрунтування теорії податливих на зсув і стиснення пластин.
автореферат, добавлен 28.09.2014Розмиття профілю потенціалу для носіїв заряду у квантових точках у бінарних напівпровідниках та зміщення квантованих рівнів електронів, дірок та екситонів під дією ядерного опромінення. Ефект гігантського магнітного розщеплення екситонних рівнів.
статья, добавлен 22.08.2013Експериментальне і теоретичне дослідження закономірностей термічного руйнування структурних ОН-груп в гама-опромінених шаруватих матеріалах або в постійному електричному полі. Кінетика і механізм дегідроксилації сорбентів за даними магнітного резонансу.
автореферат, добавлен 28.07.2014Дослідження впливу бомбардування високоенергетичними частинками (іонами, протонами, нейтронами) на механічні і електричні властивості напівпровідників та приладних шаруватих структур на їх основі. Радіаційні пошкодження та мікропластичність кремнію.
автореферат, добавлен 28.08.2014Явища переносу в напівпровідниках. Кінетичне рівняння Больцмана. Температурна залежність рухливості носіїв. Ефект Холла в напівпровідниках. Електропровідність в сильних електричних полях. Взаємодія світла з речовиною. Оптичні характеристики кристалів.
методичка, добавлен 26.08.2013Дослідження зміни положень дифракційних піків, їх профілів та відносних інтенсивностей в залежності від типу хаотично розташованих дефектів пакування, а також концентрації. Методика аналізу експериментальної дифракційної картини для визначення типу.
автореферат, добавлен 27.07.2014- 59. Відновлення профілю діелектричної проникності шаруватих структур за значенням коефіцієнта відбиття
Підвищення точності та швидкості способу параметричного спектрального аналізу при дослідженні частотних залежностей коефіцієнта відбиття від шаруватих діелектричних структур з кусково-сталим профілем. Отримання значень глибин залягання меж шарів.
автореферат, добавлен 29.07.2015 Технологічні основи одержання керамічних галогеновмісних високотемпературних надпровідників і гібридних контактних структур типу "ВТНП-киснево-вмісний напівпровідник". Комплексні дослідження фізичних властивостей, розробка гібридних контактних структур.
автореферат, добавлен 15.11.2013Вивчення структури енергетичного спектра носіїв у кристалі. Фізичні процеси, що відбуваються в тунельних електроно-діркових переходах. Розрахунок часу життя нерівноважних носіїв заряду в напівпрвідникових приладах. Дослідження термоелектронних явищ.
методичка, добавлен 18.04.2014- 62. Електромагнітні явища в резонансних складних просторових системах малих магнітодіелектричних сфер
Розсіяння електричних магнітних хвиль резонансними складними просторовими системами. Розробка методу побудови структурних функцій електромагнітної взаємодії для концепцій сфер у вільному просторі, металевих прямокутних хвилеводах та об’ємних резонаторах.
автореферат, добавлен 14.07.2015 Поняття та властивості п’єзоелектричних перетворювачів, принцип їх роботи та призначення. Основні типи п’єзоперетворювачів для УЗ апаратури. Порядок розрахунку шестиполюсного та навантаженого п’єзоперетворювача, методика визначення їх імпедансу.
курсовая работа, добавлен 11.06.2009- 64. Випромінювальні остовно-валентні та міжконфігураційні переходи в галоїдних сцинтиляційних матеріалах
Взаємодія остовних дірок з електронними домішковими рівнями, розташованими вище вершини валентної зони кристала. Виявлення основних механізмів передачі енергії збудження до церієвих центрів у кристалах галоїдів шляхом рекомбінації гарячих носіїв заряду.
автореферат, добавлен 22.07.2014 Виникнення гальваномагнітних явищ, найважливішими з яких є ефект Холла. Здійснення перерозподілу електричних зарядів у напівпровіднику. Визначення середнього значення дрейфової швидкості носіїв потенціалу. Аналіз розсіювання на заряджених домішках.
лабораторная работа, добавлен 16.07.2017Вивчення взаємодії пограничного шару на твердій поверхні з крупномасштабними вихоровими збуреннями у потоку в’язкої рідини на основі розв’язку рівнянь Нав’є-Стокса. Спотворення форми вихору Ламба. В’язка взаємодія вихорових структур зі зсувною течією.
автореферат, добавлен 22.07.2014Виявлення у фотогенерованій електронно-дірковій плазмі поздовжних термодифузійних автосолітонів. Вивчення поведінки і взаємодії. З'ясування механізму утворення доменів сильного поля і осциляцій струму. Дослідження інфрачервоного випромінювання електронів.
автореферат, добавлен 14.07.2015Природа і закономірності формування центрів свічення та захоплення носіїв заряду. Перетворення дефектів під дією збуджувальної радіації і температури. Встановлення механізмів перебігу фотохімічних та рекомбінаційних процесів у фоточутливих кристалах.
автореферат, добавлен 30.07.2015Методи покращення експлуатаційних характеристик напівпровідникових лазерів з електронним накачуванням. Дослідження процесів деградації лазерів даного типу. Розробка експериментальних зразків лазерів та технології виготовлення багатоелементних мішеней.
автореферат, добавлен 14.10.2015Пластина в якості основного елемента п'єзодатчика. Основні типи, різновиди п'єзодатчиків, їх призначення. Місце біморфного елемента в співвідношеннях у формулі. Широке застосування п'єзоелектричних елементів як генераторів, приймачів звукових коливань.
доклад, добавлен 13.02.2011Аналіз розробок та досліджень щодо використання п’єзоелектричних матеріалів в сучасній автотранспортній техніці. Їх класифікація та типи: монокристали та кераміка. Оцінка п'єзоелектричної кераміки та основних груп виробів, що з неї виробляються.
статья, добавлен 10.03.2018Встановлення особливості взаємодії зовнішніх інтерференційних полів з об'ємними АФГ залежно від внесків амплітудного й фазового компонентів, їх відносного фазового зсуву. Спосіб просторової стабілізації інтерференційної картини голограми, що записується.
автореферат, добавлен 10.08.2014Розвиток теорії лінійного та нелінійного оптичного відгука від неоднорідних магнітних середовищ. Огляд шаруватих бігіротропних середовищ, магнітних плівок з різними типами доменних структур, фотонних кристалів, ультратонких багатошарових структур.
автореферат, добавлен 28.08.2015Модель двошарової плівки, що складається із полікристалічних шарів металу різної товщини та ступеня чистоти. Залежність коефіцієнта двошарової полікристалічної плівки від відношення товщин шарів металу та зерномежового параметра, взаємодія носіїв заряду.
доклад, добавлен 30.10.2010Дослідження енергетичних спектрів носіїв заряду в об'ємних кристалах твердих розчинів Cd1-xMnxTe, кристалів із поверхнею телуриду кадмію та товщини надграток. Парціальні вклади марганцю в густину станів валентної зони та зони провідності цих структур.
автореферат, добавлен 19.04.2014