Вибір робочої точки напівпровідникового сенсора температури
Дослідження впливу рентгенівського опромінення та слабких магнітних полів на електрофізичні характеристики термосенсорів на базі р-n-переходу транзистора 2Т363А. Збільшення ефективності рекомбінаційних процесів в області просторового заряду кристалу.
Подобные документы
Експериментальне дослідження впливу ізовалентної домішки магнію на структурні та оптичні властивості селеніду цинку. Виявлення можливих генераційно-рекомбінаційних процесів і визначення природи складових оптичних спектрів легування монокристалів.
автореферат, добавлен 10.08.2014Вивчення впливу термічного відпалу, оточуючої атмосфери, електричного поля та дії опромінення на закономірності емісії електронів з грані (000І) кристалів CdS. Встановлення електрофізичних параметрів структур, отриманих на грані (000І) монокристалів CdS.
автореферат, добавлен 25.08.2014Вивчення фізичних властивостей напівпровідникового діода шляхом зняття вольт-амперної характеристики та знаходження коефіцієнта випрямлення. Обчислення статичного опору для прямого та зворотного напряму при різних значеннях прикладеної напруги.
лабораторная работа, добавлен 16.07.2017Закономірності впливу компенсації на електричні оптичні та спектрометричні характеристики ряду бінарних і атомарних напівпровідників. Дослідження сильнолегованих і компенсованих власними дефектами монокристалів CdTe як модель аморфного напівпровідника.
автореферат, добавлен 26.08.2014Транспортні характеристики високотемпературних надпровідників при впливі на зразок високих гідростатичних тисків і магнітних полів. Умови прояву ефекту близькості в композиційних матеріалах ВТНП - надпровідник - нормальний метал; одержання контактів.
автореферат, добавлен 25.04.2014Механізми впливу температури на накопичення радіаційних дефектів. Особливості впливу радіаційних дефектів на рекомбінаційні властивості опроміненного кремнію. Взаємодія вибитого радіацією міжвузловинного атома з акустичними та оптичними фононами.
автореферат, добавлен 29.08.2015Дослідження схемотехнічних моделей п’єзоперетворювачів з двоконтурним зворотним зв’язком з підсилювачем заряду в основному та напруги в додатковому каналі зворотного зв’язку. Аспекти підключення п’єзоелемента в ланцюг зв’язку підсилювача заряду.
автореферат, добавлен 25.02.2015Створення елементної бази сенсорів температури та деформації на основі ниткоподібних кристалів твердого розчину Si1-хGeх, вплив магнітного поля на їх характеристики. П’єзорезистивні і термоелектричні властивості кристалів в області низьких температур.
автореферат, добавлен 28.07.2014Статические характеристики, параметры, частотные свойства и режимы работы транзистора. Основы формирования навыков анализа работы полупроводникового усилительного прибора. Исследование основ режима неискаженного усиления и схемы питания транзистора.
курс лекций, добавлен 21.02.2014Експериментальне дослідження впливу домішок хрому і кобальту на оптичні та електрофізичні властивості кристалів селеніду цинку. Визначення природи оптичних переходів. Визначення та розрахунок коефіцієнтів дифузії домішок в монокристалах ZnSe:Cr і ZnSe:Co.
автореферат, добавлен 26.07.2014Дослідження впливу короткосяжних кореляцій на енергетичний спектр одновимірних систем з іонним та протонним типами провідності. Аналіз перебудови енергетичного спектру при зміні температури. Опис ефектів, що мають місце в околі суперіонного переходу.
автореферат, добавлен 28.08.2015- 87. Електропровідність полімерних композиційних матеріалів, сформованих в обертовому магнітному полі
Новий напрямок одержання електропровідних ПКМ - дія на них магнітних полів в процесі кристалізації полімерної матриці, його характеристика та оцінка практичної ефективності, перспективи розвитку. Фактори, що впливають на значення електропровідності ПКМ.
статья, добавлен 23.10.2010 Спостереження за процесом росту кристалу в перенасичених водних розчинах різних речовин. Процес кристалізації в воді. Вимірювання швидкості росту кристальної решітки. Розрахунок відношення приросту грані кристалу до часу, за який відбувся цей процес.
лабораторная работа, добавлен 23.07.2017Розгляд синтезу джерел плоских полів за допомогою профілів полюсів, утворених гладкими кривими. Визначення зв'язку коефіцієнтів розкладу поля в ряд Тейлора. Рішення оберненої проблеми магнітостатики стосовно магнітів прискорювачів заряджених частинок.
автореферат, добавлен 07.03.2014Розгляд та характеристика математичних моделей процесів, що визначають форму кривих виживаності клітин, опромінених фотонним іонізуючим випромінюванням. Побудова математичної моделі кінетики однониткових розривів ДНК у процесі опромінення і після нього.
автореферат, добавлен 02.08.2014Вивчення мікроструктури сплавів Al-Li з рівноважним і нерівноважним вмістом літію методами рентгенівського аналізу. Дослідження особливостей макроскопічного розподілу пластичної деформації в деформованих зразках сплавів Al-Li залежно від температури.
автореферат, добавлен 18.07.2015Суцільний та характеристичний спектри пулюївського (рентгенівського) випромінювання. Загальна характеристика ефектів: поглинання, дифракції та опромінення. Історія відкриття х-променів та їх використання. Визначення термінів, що стосуються рентгену.
презентация, добавлен 13.04.2015Дослідження особливостей в структурі нуклеїнових кислот, що виникають внаслідок дії іонізуючого опромінення, канцерогенних процесів та після застосування протипухлинних препаратів методами ІЧ-фур'є-, SEIRA- та УФ-спектроскопії поглинання та відбивання.
автореферат, добавлен 25.06.2014Вирішення наукової проблеми "Індуковані високоенергетичні ефекти опромінення у фосфідних і халькогенідних напівпровідниках". Встановлення закономірностей впливу ефектів розупорядкування на оптичні властивості кристалів, а також вивчення фізичних процесів.
автореферат, добавлен 27.07.2014На основі аналізу електродних процесів розробка енергозберігаючих способів заряду акумуляторів імпульсними асиметричними струмами, схем напівпровідникових перетворювачів з підвищеною ефективністю заряду і способів адаптивного керування перетворювачами.
автореферат, добавлен 26.02.2015Виявлення наявності істотного струмового перегріву активної області інфрачервоних випромінювачів відносно корпуса приладу. Встановлення взаємозв'язку інжекційно-термічних і рекомбінаційних процесів у напівпровідникових випромінювачах ІЧ – діапазону.
автореферат, добавлен 29.07.2014Дослідження зміни мікромеханічних властивостей кремнію під впливом слабкого постійного магнітного поля. Вплив зовнішніх факторів (рентгенівського опромінення, водних, хімічних розчинів) на характер релаксації магнітомеханічного ефекту в кристалах кремнію.
автореферат, добавлен 27.08.2014Аналіз акумуляторів та методів їх заряду, розробка моделей акумуляторної батареї та адаптивного способу заряду. Способи та схеми пристроїв для заряду акумуляторних батарей асиметричним струмом з підвищеною енергоефективністю, процес керування зарядом.
автореферат, добавлен 28.09.2015Розробка нової методики визначення параметрів поперечного еміттанса. Розгляд теоретичних та експериментальних методів визначення параметрів окремих іонних згустків. Вивичення методику врахування ефекту просторового заряду при проведенні вимірювань.
автореферат, добавлен 06.07.2014Дослідження умов накопичення та утримання заряджених частинок, їх зв'язок із динамікою електронів у просторі дрейфу та конфігурацією полів і струмів пучка. Дослідження нелінійної стадії коливальних процесів і ступінь їх впливу на викид частинок.
автореферат, добавлен 22.04.2014