Радіолюмінесценція кристалів BaCl2-Pb за температури T<145 K
Механізм збудження власної і активаторної люмінесценції у кристалах BaCl2-Pb. Розрахунок кінетики наростання люмінесценції та її енергетичний спектр. Аналіз механізму виникнення радіолюмінесценції. Рекомбінація зонних електронів з VK та VKA-центрами.
Подобные документы
Встановлення природи фазового переходу в кристалах слабкого сегнетоелектрика гептагерманата літію (LGO). Процеси поляризації в кристалах LGO. Вплив зовнішніх факторів на поведінку діелектричної проникності в районі температури фазового переходу.
автореферат, добавлен 29.08.2013Розробка фізичної моделі рухливості коротких приповерхневих дислокацій. Розрахунок параметрів дислокаційно-домішкової взаємодії в кристалах кремнію з різним складом домішкових атмосфер. Нові електропластичні та магнітопластичні ефекти у кристалах кремнію.
автореферат, добавлен 28.07.2014Температурні залежності інтенсивності та яскравості випромінювання спектрів фотолюмінесценції кристалів ZnS:Mn при різних значеннях концентрації активатора. Аналіз функції помилок при розкладенні інтегральних спектрів за допомогою функції Гауса.
автореферат, добавлен 15.07.2014Динаміка гратки кристалів інертних газів під тиском. Розрахунок атомних властивостей неону, аргону, криптону. Моделі міжатомної взаємодії в кристалах інертних газів. Аналіз електрон-фононної взаємодії в ряду Ne-Xe в залежності від атомного номеру Z.
автореферат, добавлен 24.07.2014- 30. Центри люмінесценції і центри захоплення в кристалічних системах галоїдних сполук кадмію і свинцю
Експериментальне дослідження структур центрів люмінесценції і центрів захоплення в кристалічних системах, що складаються з галоїдних сполук кадмію і свинцю. Розрахунки спектрів поглинання кристалічних систем, складених з галоїдних сполук кадмію і свинцю.
автореферат, добавлен 25.04.2014 Закономірності тензорезистивних ефектів, обумовлених перебудовою енергетичних зон кристалів Si та Ge під дією сильної одновісної деформації і дослідження анізотропії тензорезистивних ефектів, пов’язаної зі змінами симетрії кристалів і рівня легування.
автореферат, добавлен 29.08.2014Контроль працездатності детектора в процесі експлуатації, в основі якої зміна спектрів люмінесценції. Спосіб виготовлення детектора з ефективним дифузійним відбивачем. Утворення дивакансій як додаткового центру свічення в CsI(Na) при ковзанні дислокацій.
автореферат, добавлен 22.06.2014Головні фотоелектричні, фотолюмінісцентні, фотомагнітні та електрофізичні властивості кристалів з різними значеннями складу х і ступеня компенсації. Причини низькотемпературних особливостей характеристик. Зміни механізмів власної міжзонної рекомбінації.
автореферат, добавлен 27.07.2014- 34. Вплив умов формування на оптичні властивості J-агрегатів поліметинових барвників РІС та Сyan-bTh
Обладнання для вимірювання оптичних спектрів поглинання та люмінесценції пікосекундного лазерного комплексу. Спектроскопія модифікованих структур J-агрегатів PIC в водних розчинах електроліту. Керування оптичними властивостями J-агрегатів барвника.
автореферат, добавлен 28.08.2015 Комплексне спектроскопічне дослідження абсорбційних, люмінесцентних, сцинтиляційних і термолюмінесцентних властивостей чистих і активованих рідкісноземельними іонами кристалів LіCaAlF6 і LіSrAlF6 у широкому діапазоні енергій збудження, часів реєстрації.
автореферат, добавлен 26.08.2015Експериментальне визначення впливу окремих структурних груп на процеси формування різних низькотемпературних фаз у змішаних кристалах у подальшому розвитку уявлень про механізм фазового переходу до антифероелектричного стану в кристалах сімейства KDP.
автореферат, добавлен 06.07.2014Вивчення фазової діаграми "температура-концентрація" для кристалів шаруватих сегнетоелектриків. Аналіз їх коливних спектрів і термодинамічних властивостей. Особливості дипольного упорядкування, що відбувається у кристалах при заміщенні сірки на селен.
автореферат, добавлен 30.08.2014Вивчення специфіки розтікання збуджених електронів від локального джерела нерівноважності, розташованого на поверхні вісмутового кристала. Дослідження явища дифракції електронного потоку, що втікає в кристал вісмуту крізь мікроконтакт малого розміру.
автореферат, добавлен 27.07.2014Дослідження впливу електричної компоненти надвисокочастотного поля на спектр електронного спінового резонансу домішки Mn у кристалах GaAs. Розрахунок електронної структури та параметрів надтонкої взаємодії для ряду дефектів у SiC і кремнієвих матеріалах.
автореферат, добавлен 25.08.2014Особливості та принципи термопружного механізму лазерної генерації акустичних імпульсів на прикладі п'єзодіелектричного монокристалу LiNbO3. Ефективність, умови та обмеження термопружного та електронно-деформаційного механізму реалізації даного процесу.
автореферат, добавлен 10.08.2014Побудова рекомбінаційної моделі явища екзоелектронної емісії для широкозонних діелектричних кристалів цезій галоїдів. Ефективність кристалів як матеріалів для екзоемісійної скін-дозиметрії. Термоактивовані та тунельні електронно-діркові рекомбінації.
автореферат, добавлен 02.08.2014Створення елементної бази сенсорів температури та деформації на основі ниткоподібних кристалів твердого розчину Si1-хGeх, вплив магнітного поля на їх характеристики. П’єзорезистивні і термоелектричні властивості кристалів в області низьких температур.
автореферат, добавлен 28.07.2014Дослідження спектрів фарадеївського обертання кристалів в залежності від вмісту магнітної компоненти, температури та напруженості магнітного поля. Вивчення фазового переходу парамагнетик-спінове скло в кристалах за даними низькопольової температурної.
автореферат, добавлен 31.01.2014Закономірності еволюції неспівмірної надструктури в стохастичному режимі у діелектричних кристалах. Температурна поведінка двозаломлення в фазових переходах, за умови існування неспівмірної модуляції у кристалах, її аналіз в межах феноменологічної теорії.
автореферат, добавлен 27.07.2015Політипність досліджуваних кристалів TlInS2 і TlGaSe2. Вплив всебічного стиснення кристалів на область існування неспівмірно-модульованої фази. Особливості впливу гідростатичного тиску і температури на оптичні та діелектричні властивості кристалів.
автореферат, добавлен 14.08.2015Огляд результатів дослідження оптичних характеристик кристалів ZnS:Mn. Аналіз небезпечних, шкідливих факторів і заходи з охорони праці під час роботи установок кріогенної техніки. Розрахунок системи штучного освітлення при обробці експериментальних даних.
дипломная работа, добавлен 08.02.2016Визначення обертової та коливної температури в тліючому розряді у повітрі атмосферного тиску для катоду на основі розчинів сульфату алюмінію. Аналіз залежності температури електронів, обертової та коливної температури від величини струму розряду.
статья, добавлен 27.12.2016Аналіз залежності від електричного поля діелектричної проникності кристалів при різних значеннях температури вимірювання. Дослідження специфічних особливостей процесів переполяризації кристалічних матеріалів в синусоїдальних та імпульсних полях.
автореферат, добавлен 28.07.2014Дослідження впливу короткосяжних кореляцій на енергетичний спектр одновимірних систем з іонним та протонним типами провідності. Аналіз перебудови енергетичного спектру при зміні температури. Опис ефектів, що мають місце в околі суперіонного переходу.
автореферат, добавлен 28.08.2015Дослідження електромеханічного перетворення та існуючих методів та теорій даного явища. Аналіз релаксаційних процесів у різних фазах сегнетоелектричних рідких кристалів. Дослідження електромеханічного зв'язку та параметричних ефектів в рідких кристалах.
автореферат, добавлен 11.08.2015