Разработка технологического процесса изготовления интегральных микросхем на транзисторах n-p-n-типа с диэлектрической изоляцией

Принцип действия биполярных транзисторов. Технология изготовления полупроводниковых микросхем на основе биполярных транзисторов с диэлектрической изоляцией. Структура полупроводниковых ИМС на основе биполярного транзистора. Метод диэлектрической изоляции.

Подобные документы

  • Ячейка флэш-памяти на основе МОП-транзистора: её структура и особенности. Обобщенная стокозатворная характеристика транзисторов различного типа. Обзор полевых транзисторов с изолированным затвором. Распространение транзисторов с управляющим p-n-переходом.

    презентация, добавлен 20.07.2013

  • Характеристика и специфика принципа действия биполярного транзистора, понятие верхнего тока. Вольтамперная характеристика, вычисление возможного изменения тока. Схемы биполярных транзисторов, отличительные черты положительного и отрицательного напряжения.

    лекция, добавлен 23.09.2017

  • Принцип работы усилителя электрических сигналов, основные его характеристики. Особенности изменения их значений с увеличением напряжения питания. Исследование специфики схемотехники этого устройства с использованием биполярных и полевых транзисторов.

    лабораторная работа, добавлен 13.08.2013

  • Исследование статических вольт-амперных характеристик биполярных транзисторов в схеме с общей базой. Расчет дифференциальных параметров в заданной точке. Определение характеристик БТ с общим эмиттером для вариантов выходного напряжения и входного тока.

    лабораторная работа, добавлен 12.06.2020

  • Транзисторно-транзисторная логика (ТТЛ) со сложным инвертором. Планарная технология производства микросхем. Расчет параметров элементов и топология схемы ТТЛ, расчеты входных и выходных характеристик биполярного транзистора с помощью программы LTSpice.

    курсовая работа, добавлен 27.11.2012

  • Анализ маршрутных технологических процессов производства типовых интегральных микросхем. Разработка структурной схемы технологического процесса. Толстопленочные проводники и резисторы. Производство толстопленочных гибридных больших интегральных схем.

    курсовая работа, добавлен 10.01.2013

  • Входное сопротивление транзистора. Небольшие нелинейные искажения, их искажение. Процесс усиления сигнала в классе А. Определение четырех параметров данного каскада. Зависимость параметров биполярного транзистора от частоты. Влияние температуры.

    презентация, добавлен 23.09.2016

  • Параметры и виды полупроводниковых и гибридных интегральных микросхем. Создание плёночных ИМС. Основные характеристики микроэлектронных изделий. Методы, применяемые для формирования конфигураций проводящего, резистивного и диэлектрического слоев.

    реферат, добавлен 22.03.2013

  • Цифровая схема логики или-не на биполярных транзисторах из идентичных каскадов, состоящих из биполярного транзистора, резистора и конденсатора. Электрические параметры элементов схемы. Последовательность расчета параметров биполярного транзистора.

    курсовая работа, добавлен 20.03.2011

  • Входные характеристики при включении транзистора по схеме с общим эмиттером. Характеристики управления при включении транзистора по схеме. Параметры и эквивалентные схемы биполярных транзисторов. Эквивалентная схема в виде модели Эбертса-Молла (вид).

    презентация, добавлен 23.09.2016

  • Обзор интегральных микросхем в системах управления производственными процессами. Аналоговые и цифровые электронные устройства. Принцип построения аналоговых и цифровых интегральных микросхем. Микромодульный способ конструирования радиоаппаратуры.

    статья, добавлен 02.06.2016

  • Технологический цикл изготовления структур транзисторов, резисторов и конденсаторов при производстве полупроводниковых интегральных схем. Пример профиля структуры полупроводниковой ИС. Применение ИС вместо дискретных элементов электронных устройств.

    презентация, добавлен 23.09.2016

  • Разработка, расчет и построение принципиальной схемы усилителя, амплитудно-частотной характеристики (АЧХ). Расчет АЧХ на нижних и верхних частотах. Разработка топологии интегральной микросхемы усилителя. Расчет резисторов, конденсаторов, транзисторов.

    курсовая работа, добавлен 16.09.2017

  • Разработка топологии гибридной схемы широкополосного усилителя К174УВ1. Технология гибридных интегральных микросхем. Параметры, определяющие выбор конструкции и материал пленки. Этапы технологического процесса изготовления гибридных интегральных схем.

    контрольная работа, добавлен 24.09.2012

  • Рассмотрение модуляционно-легированных полевых транзисторов. Особенности биполярных транзисторов на гетеропереходах. Изучение резонансного туннельного эффекта. Анализ транзисторов на горячих электронах, с резонансным туннелированием и одноэлектронных.

    реферат, добавлен 26.08.2015

  • Создание комплекса методов, моделей, алгоритмов и программных средств проектирования специализированных металл-оксидных полупроводниковых транзисторов для сверхбольших интегральных микросхем, применяемых в новых системах управления двойного назначения.

    автореферат, добавлен 15.02.2018

  • Микроэлектроника как комплекс конструкторских, технологических и схемотехнических вопросов проектирования и изготовления радиоэлектронных приборов с использованием интегральных микросхем, имеющих малые габариты, массу и повышенную механическую прочность.

    реферат, добавлен 20.11.2012

  • Анализ вольтамперных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером. Изучение выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком. Режимы работы полупроводниковых приборов. Порядок входного сопротивления транзисторов.

    лабораторная работа, добавлен 21.11.2017

  • Определение и техническое описание диода, его достоинства и недостатки. Рабочие характеристики и назначение полупроводниковых транзисторов, принцип работы триода. Материалы, из которых изготовляют триоды. Описание и структура полевых МДП транзисторов.

    реферат, добавлен 05.04.2011

  • Понятие и признаки топологий интегральных микросхем. Регистрация топологий интегральных микросхем и уведомление о правах. Права авторов топологий интегральных микросхем и их защита. Особенности, топологий как результата интеллектуальной деятельности.

    контрольная работа, добавлен 13.06.2010

  • Основные принципы классификации полупроводниковых диодов. Последовательное включение выпрямительных диодов. Классификация и основные особенности транзисторов. Устройство биполярного транзистора. Расчет входной и выходной характеристики транзистора.

    курсовая работа, добавлен 13.12.2013

  • Изучение понятия, классификации и схем включения транзисторов. Срок службы полупроводниковых триодов и их экономичность. Преимущества транзисторов по сравнению с электронными лампами. Управление током в выходной цепи. Мощность рассеиваемого тепла.

    контрольная работа, добавлен 26.01.2015

  • Выбор принципа конструирования печатной платы и серии логических интегральных микросхем. Расчет теплового режима блока, параметров электрических соединений, надежности. Описание технологии изготовления печатной платы комбинированным позитивным методом.

    курсовая работа, добавлен 05.06.2015

  • Физические процессы, устройство, характеристики, параметры основных полупроводниковых приборов – диодов, биполярных и полевых транзисторов, тиристоров. Принципы работы, синтеза и методы анализа электронных усилителей. Краткие сведения по микроэлектронике.

    учебное пособие, добавлен 27.06.2014

  • Понятие, виды и принцип действия полевых транзисторов. Структурная схема и характеристики полевого транзистора с управляющим p-n переходом. Особенности полевых транзисторов с изолированным затвором и встроенным каналом. Схемы включения транзисторов.

    реферат, добавлен 24.04.2017

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.