Выращивание мультикристаллического кремния на основе металлургического кремния высокой чистоты
Разработка метода выращивания мультикристаллического кремния с данными свойствами на основе металлургического кремния высокой чистоты для создания физических основ промышленной технологии получения мультикристаллического кремния для солнечной энергетики.
Подобные документы
Показаны тенденции развития фотоэлектрического преобразователя, который основан на повышении уровня КПД за счет оптимизации конструктивных и физических параметров. Описание фотоэлектромагнитного и магнитоконцентрационных эффектов, методы повышения КПД.
статья, добавлен 19.06.2018Температурная зависимость подвижности носителей заряда. Основные сведения о кристаллическом строении. Получение и выращивание монокристаллов. Осаждение эпитаксиальных слоев кремния. Плюсы и минусы методов исследования проводимости полупроводников.
курсовая работа, добавлен 08.07.2019Метод для изготовления трехмерного кремниевых наноструктур на основе выборочного формирования пористого кремния. Изобретение 2D/3D кремниевых фотонных кристаллов. Изучение их структуры полосы и сопряжение градиента частного Рейли в основании волны.
статья, добавлен 17.11.2015Особенности классификации светодиодов. Открытие этого вида источников света и первые разработки. Характеристика светодиодов на основе карбида кремния, их аналогов на базе структур AIIIBV: от GaAs до AlInGaP, GaN и его твердые растворы. Мощные светодиоды.
реферат, добавлен 22.04.2014Теплофизические, термостойкие, химические и механические свойства новых нано- и ультраструктурированных керамокомпозиционных материалов. Метод получения нано- и ультраструктурированных керамокомпозиционных изделий на основе нитрида и карбонитрида кремния.
автореферат, добавлен 29.03.2018Рассмотрение особенностей развития микроэлектроники, основные этапы. Полупроводники как наиболее распространенная в природе группа веществ. Характеристика методов получения монокристаллов кремния. Знакомство с биполярными и полевыми транзисторами.
курс лекций, добавлен 27.01.2013Получение электролюминесцентных структур на основе пористого кремния электролитически с использованием внутреннего источника тока. Определение инжекции дырок режимом их аккумуляции в области пространственного заряда концентрацией электронных состояний.
научная работа, добавлен 12.01.2012Исследовано влияние концентрации водорода в газовой смеси на электрические и оптические свойства пленок аморфного гидрогенизированного кремния, полученных магнетронным методом. Совершенствование магнетронного метода получения кремниевых пленок.
реферат, добавлен 24.10.2010Метод анализа водорода в конструкционных материалах реакторов. Расшифровка энергетических спектров электронов, отраженных от данного образца. Анализ слоев аморфного гидрогенизированного углерода, нанесенных на поверхность монокристаллического кремния.
статья, добавлен 02.11.2018Влияние солнечной активности, кремния, температуры и минералов на электропроводность дистиллированной воды. Рассмотрение изменения электропроводности воды в крещенскую ночь. Проверка эффективности работы защитных экранов на телевизоре и компьютере.
реферат, добавлен 18.02.2020Анализ стенда для тестирования инфракрасных фотоприёмных устройств в условиях ограничения фоновой облученности фоточувствительныхх элементов. Конструктивные особенности криооптической части стенда. Тепловой режим точечного источника излучения и фона.
статья, добавлен 07.12.2018Комплексный подход при исследованиях структуры и свойств нанокристаллических сверхтвердых покрытий на основе нитрида титана с примесями атомов меди, кремния, алюминия, полученных вакуумным плазменно-ассистированным методом электродугового нанесения.
статья, добавлен 02.11.2018Рассмотрение метода анализа статических и динамических характеристик структур на основе карбида кремния. Вычисление подвижности основных носителей заряда в широком диапазоне температур и уровней легирования в многослойных полупроводниковых материалах.
статья, добавлен 09.03.2015Матричные солнечные элементы первого, второго и третьего поколения на основе монокристаллического кремния с КПД более 25%. Основные методики исследований МСЭ при солнечном освещении. Методика исследований МСЭ при освещении импульсным имитатором.
презентация, добавлен 00.00.0000Конструктивно-технологические варианты изготовления кремниевых солнечных элементов наземного назначения. Реализация кратковременной технологии термофотонной и лазерной обработки пластин "солнечного" кремния. Механизм пролёта базы фотопреобразователя.
статья, добавлен 28.09.2016Температурная зависимость подвижности и проводимости носителей заряда. Характеристики основных электрофизических свойств полупроводников Ge и Si. Мелкие акцепторные и донорные уровни. Спектральный диапазон оптической прозрачности чистого кремния.
курсовая работа, добавлен 10.04.2015Материалы с нелинейной проводимостью. Подавление паразитных волн перенапряжений в линиях и на подстанциях. Обусловленость нелинейности характеристик варисторов локальным нагревом соприкасающихся граней кристаллов карбида кремния или иного полупроводника.
реферат, добавлен 24.12.2016Сущность и недостатки метода ионной имплантации. Исследование постимплантационных радиационных нарушений, образуемых при введении ионов иттербия (Yb+) в кремний. Особенности распределения ионно-имплантированного Yb+ в условиях термического отжига.
статья, добавлен 22.06.2015Электрические свойства кремния. Применение вычислительной техники в Украине. Производительность фотоэлектрического контроля. Математическое моделирование спектров и теллурового дефектообразования. Исследование высокотемпературной сверхпроводимости.
статья, добавлен 23.08.2012Принцип работы прибора неразрушающего контроля электрофизических параметров полупроводников. Принципы построения генератора управляемого напряжением. Выбор и разработка квадратичного детектора. Методика измерения удельного сопротивления кристалла кремния.
дипломная работа, добавлен 30.05.2014Общие сведения о полупроводниках, их свойства. Методы очистки и переплавки полупроводниковых материалов. Металлургия германия и кремния, применение полупроводников. Источники электромагнитного поля, биологическое воздействие на организм человека.
реферат, добавлен 15.11.2009Рассмотрение истории возникновения понятия положительного и отрицательного заряда электричества. Обзор эксперимента по выравниванию электрических потенциалов на двух электроскопах. Анализ демонстрации электрических султанов и структуры ядра атома кремния.
лекция, добавлен 05.02.2019Исследование неравновесных населенностей состояний мелких доноров и акцепторов в полупроводниках кремния, германия. Измерение малосигнального коэффициента терагерцового усиления. Отработка методики низкотемпературной внутрирезонаторной спектроскопии.
автореферат, добавлен 15.02.2018Кварц как распространённый минерал земной коры. Моделирование ударно-волновых процессов в диоксиде кремния. Использование модели вязкоупругого тела максвелловского типа. Предположение, что в процессе нагружения меняется нормальная плотность материала.
статья, добавлен 27.10.2018Рассмотрение основных процессов, происходящих внутри солнечного элемента при преобразовании оптического излучения в электроэнергию. Анализ основных оптических потерь. Оценка спектральной зависимости показателя поглощения для кремния и арсенида галлия.
статья, добавлен 02.02.2019