Анализ перспективных отечественных фотоприемников на основе гетероструктур А3В5
Анализ зарубежных фотоприемников на основе гетероструктур А3B5. Создание перспективных военных и гражданских изделий, оптико-электронных приборов. Анализ быстродействующих p-i-n-фотодиодов и попытки создания новейших матричных фотоприемных устройств.
Подобные документы
Описание фотодиодов, принцип работы и электрические характеристики устройства. Анализ фотодиодов на основе гетероперехода. Виртуальный инструмент для управления экспериментальной установкой: программное обеспечение LabVIEW, монохроматор ML 44 LabVIEW.
дипломная работа, добавлен 14.09.2018Разработка технологии выращивания гетероструктур и структур с квантовыми ямами методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Гибридная микросборка матричных фотоприёмных модулей. Описание кремниевого мультиплексора с кадровой частотой считывания изображения.
статья, добавлен 23.06.2013Принцип действия, характеристики, параметры фотоприемников, их классификация и разновидности. Спектральная чувствительность данных устройств и факторы, влияющие на нее. Преимущества и недостатки фоторезисторов, способы изготовления, характерные свойства.
лекция, добавлен 17.08.2014Анализ результатов исследований и разработок фотодиодов и матричных фотоприёмников на основе твердых растворов теллуридов кадмия и ртути. Характеристика структуры, топологии и параметров фотодиодных матриц. Электрические схемы кремниевых мультиплексоров.
статья, добавлен 23.06.2013Исторический анализ средств измерения веса. Рассмотрение первых изобретений. Анализ становления весовых единиц (гирь). Разработка приборов на основе коромысла и пружины. Обеспечение точности взвешивания. Создание электронных и специальных устройств.
реферат, добавлен 22.10.2015Оптико-электронные приборы: определение, обобщенные схемы и методы работы. Сравнение оптико-электронных приборов с визуальными оптическими и радиоэлектронными приборами. Исторический очерк и перспективы развития оптико-электронного приборостроения.
лекция, добавлен 17.11.2018Виды фотоприёмников, их отличительные черты. Принцип работы фотоприёмника с зарядовой связью, конструкция и материалы составляющих элементов матричных фотоприёмников на основе приборов с зарядовой связью. Области применения матричных фотоприёмников.
курсовая работа, добавлен 29.12.2022Классификация полупроводников и структур на их основе. Применение гетероструктур в электронике. Гетеропереходные биполярные транзисторы на основе GaAs. Типы взаимодействия между фотонами и электронами в твердом теле. Структура полупроводникового лазера.
презентация, добавлен 10.12.2021Измерение важнейших характеристик лазеров ближнего инфракрасного видимого диапазона на основе гетероструктур из полупроводников класса А и В. Принципы работы инжекционных устройств. Обзор современных структур лазеров, их параметры и методы измерения.
учебное пособие, добавлен 12.05.2014Пошук нових надпровідних напівпровідникових структур і з'ясування механізму, що відповідає за надпровідні властивості цих гетероструктур. Вибір матеріалів, на основі яких можуть бути створені інші епітаксіальні напівпровідникові гетероструктури.
автореферат, добавлен 29.07.2014Анализ существующих и перспективных исполнительных электротехнических устройств для экономичного обеспечения заданных температурных условий посредством преобразования электрической энергии в тепловую и перемещения теплоносителя в транспортных системах.
автореферат, добавлен 30.01.2018Скорость перемещения заряда в приповерхностной области полупроводника гетероструктуры. Зарядовые процессы (в том числе в гетероструктурах) как разновидность физического процесса. Современный эксперимент по исследованию характеристик гетероструктур.
реферат, добавлен 01.08.2009Фізична модель впливу тривалої витримки на повітрі і робочої температури на ефективність плівкових гетероструктур на основі базових шарів CuIn0,7Ga0,3Se2. Методика експериментального дослідження фотоелектричних процесів у плівкових гетероструктурах.
автореферат, добавлен 06.07.2014Дослідження властивостей багатошарових InxGa1-xAs/GaAs наноструктур, InAs/AlSb гетероструктур з квантовими ямами. Модель процесу формування квантових точок, що впливають на зміну оптичних спектрів фотолюмінесценції, розсіювання світла цих гетероструктур.
автореферат, добавлен 27.08.2014Анализ экономического обоснования выбора осветительных приборов на основе "стоимости жизненного цикла" в зависимости от времени работы освещения в год для государственных и муниципальных учреждений. Описание расчета для ретрофитных и линейных устройств.
статья, добавлен 28.07.2017Перенос і накопичення носіїв заряду в гетероструктурах Ge33As12Se55 - p-Si. Вплив на механічні властивості гетероструктур технологічних режимів одержання плівок, термообробки і високоенергетичного електронного опромінення. Оцінка параметрів осадження.
автореферат, добавлен 15.11.2013Pозробка фізико-математичних моделей та аналіз термодинаміки процесу нітридизації GaAs. Дослідження морфології, фотолюмінесцентних та структурних властивостей нанопоруватих підкладок. Створення гетероструктур на основі монокристалічних і поруватих сполук.
автореферат, добавлен 27.08.2014Розвиток напівпровідникових квантово-розмірних лазерів. Феноменологічний аналіз надшвидкої динаміки напівпровідникових оптичних підсилювачів. Дослідження потенціального профілю й спектру власних станів багатошарових квантово-розмірних гетероструктур.
автореферат, добавлен 14.09.2015- 19. Криоэлектроника
Применение явлений, имеющих место в твердых телах при криогенных температурах для создания электронных приборов и устройств. Использование криоэлектронных приборов в электронике, метрологии и стандартизации. Низкотемпературные сверхпроводящие устройства.
реферат, добавлен 18.12.2014 Особенности методологии проектирования оптико-электронных систем. Блочно-иерархический метод проектирования. Компьютерное моделирование и его роль при проектировании оптико-электронных систем. Приборы для работы в условиях тропического климата.
курсовая работа, добавлен 17.11.2018Описание подхода к анализу и синтезу устройств релейной защиты, автоматики. Изучение методов оценки досягаемых показателей эффективности работы известных и создаваемых устройств. Анализ особенностей индивидуальных и централизованных селективных устройств.
статья, добавлен 09.09.2016Исследование зарядовых и частотных свойств гетероструктур. Разработка сложных систем с применением ЭВМ. Иерархическая структура и состав низовых функционально завершенных звеньев. Декомпозиция структуры ранее разработанных систем до низовых звеньев.
реферат, добавлен 01.08.2009Назначение анализаторов изображений. Основные параметры и характеристики данных устройств, их внутренняя структура и принцип действия. Классификация и сравнительная характеристика различных анализаторов, их функциональные особенности и сфера применения.
контрольная работа, добавлен 17.11.2018История развития защит энергосистем на основе микропроцессоров. Изучение элементов упрощённой функциональной схемы микропроцессорной релейной защиты. Преимущества и недостатки перспективных электронных микропроцессорных защит различных производителей.
лекция, добавлен 27.07.2013Сущность электронных приборов и устройств, характеристика видов источников питания: первичных и вторичных. Понятие выпрямителей, их процесс классификации. Инверторы и преобразователи напряжения. Сглаживающие фильтры на основе емкости и индуктивности.
дипломная работа, добавлен 29.05.2013