P-i-n-діод
Фізичні явища в перемикаючих p-i-n-діодах та їх вольт-амперна характеристика. Перехідні процеси при подачі прямого зміщення та при його перемиканні до зворотного. Структура швидкодіючого діода та вимоги до параметрів напівпровідникового матеріалу.
Подобные документы
Понятие и функциональная структура PIN диода, его вольт-амперная характеристика. Особенности применения PIN-диодов в качестве радиочастотных и СВЧ переключателей, аттенюаторов, ограничителей и фотодетекторов. Схема девятидиапазонного полосового фильтра.
реферат, добавлен 08.09.2010Схематическое построение вольт-амперной характеристики идеализированного кремниевого диода и определение его сопротивления. Расчет величины сопротивления ограничительного резистора, параметры его стабилизации. Построение нагрузочной схемы транзистора.
контрольная работа, добавлен 16.09.2013Розробка методів лінеаризації амплітудно–частотних характеристик п'єзоелектричних перетворювачів механічних величин. Фізичні та математичні моделі симетричних і асиметричних біморфних п’єзоперетворювачів з п’єзоелементом у ланцюгу зворотного зв’язку.
автореферат, добавлен 06.07.2014Блок-схеми алгоритмів "переслідування" без кутового зміщення веденого дистанційно пілотованого літального апарату відносно ведучого. "Переслідування" з кутовим зміщенням та наведення її структурної реалізації. Динамічна помилка від часу запізнення команд.
статья, добавлен 30.10.2016Опис елементів схеми автоматичного регулювання проточно-припливної системи вентиляції, що забезпечує зміну подачі вентилятора при температурі зовнішнього повітря нижче розрахункової. Основні характеристики датчиків та підбір їх технологічних параметрів.
контрольная работа, добавлен 30.01.2020Структура биполярных транзисторов типов. Движение носителей заряда в транзисторе типа п-р-п. Включение транзистора типа п-р-п по схеме с общим эмиттером. Структура и схема включения полевого транзистора. Вольт-амперные характеристики триодного тиристора.
лекция, добавлен 09.12.2013- 32. Вплив гамма-радіації і НВЧ випромінювання на параметри GaAs польових транзисторів з бар'єром ШОТТКІ
Процеси масопереносу в омічних і бар'єрних контактах. Радіаційно-стимульована релаксація внутрішніх механічних напружень в омічних і бар'єрних контактах. Поліпшення параметрів транзисторів. Зменшення коефіцієнту шуму. Розподіл параметрів по пластині.
автореферат, добавлен 20.04.2014 Структура кабельної лінії та її характеристика. Основні параметри системи передачі К-1920. Характеристика елементів конструкції кабелю, його ескіз. Первинні та вторинні параметри передачі коаксіального кабелю. Розрахунок активного опору провідників.
курсовая работа, добавлен 06.11.2016Дослідження будови та принципу дії біполярного транзистора, напівпровідникового елемента електронних схем. Вивчення режимів його роботи та схем включення. Аналіз впливу ефектів другого порядку на характеристики біполярного транзистора в активному режимі.
реферат, добавлен 08.11.2013Аспекты явления электронного разогрева в сверхпроводниковых пленках применительно к детекторам электромагнитного излучения. Оценка вольт-ваттной чувствительности и шумовой температуры детектора в рамках линеаризованных уравнений теплового баланса.
статья, добавлен 03.11.2018Необхідність переходу із застарілих технологій на новий рівень надання послуг. Проблеми побудови і впровадження мереж наступного покоління в наш час. Особливості використання параметрів мережевих систем. Вимоги до безпеки мереж наступного покоління.
статья, добавлен 27.07.2016Дослідження розвитку комплексних уявлень про фізичні явища, що супроводжують процес термофотовольтаїчних перетворень. Розробка технічних засобів удосконалення систем перетворення інфрачервоного випромінювання високотемпературних технологічних процесів.
автореферат, добавлен 23.08.2014Моделирование вольт-амперных характеристик диода Шоттки на карбиде кремния 4H-SiC c контактом Шоттки из титана (Ti), с использованием программы TCAD. Максимальная напряженность электрического поля для карбида кремния, график обратной характеристики.
статья, добавлен 03.11.2018Дослідження існуючого стану зворотного зв’язку комунікаційного процесу в системі взаємодії "Уряд-громадськість". Аналіз звернень громадян України до влади шляхом подання електронних петицій. Недоліки даного способу зворотного зв’язку комунікації.
статья, добавлен 16.11.2017- 40. Вплив структури контактів на характеристики приладів надвисоких частот та пристроїв на їхній основі
Фізичні явища, що обмежують застосування напівпровідникових приладів у міліметровому й субміліметровому діапазонах, та можливі шляхи подолання цих обмежень. Вплив структури контакту на характеристики цих приладів міліметрового діапазону довжин хвиль.
автореферат, добавлен 29.08.2015 Визначення умов незміщеності та спроможності методу двокритерійної апроксимації даних при застосуванні його для вимірювання електричних параметрів живих тканин. Аналіз точності оцінювання електричних параметрів живих тканин, умови її змінювання.
статья, добавлен 14.01.2017Визначення та характеристика основних принципів організації прямих цифрових синтезаторів. Розгляд і аналіз специфіки та можливостей застосування синтезаторів прямого цифрового синтезу для побудови телекомунікаційних систем з різними видами модуляції.
статья, добавлен 23.01.2018Характеристика электронно-дырочного перехода, представляющего собой переходный слой между областями полупроводника. Статическая вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Основные параметры варикапа и схема двухполупериодного выпрямителя.
контрольная работа, добавлен 22.03.2011Аналіз методів підвищення точності перетворення кутових параметрів. Дослідження способів цифрової корекції виробничого розкиду електричних параметрів і перекосів осей чутливості первинних перетворювачів. Вивчення пристроїв перетворення параметрів нахилів.
автореферат, добавлен 29.08.2014Розробка методу підвищення точнісних та якісних характеристик синтезу секвентності сигналів. Проектування засобів цифрового фазочастотного швидкодіючого синтезу секвентності сигналів. Оцінка метрологічних характеристик синтезаторів секвентності.
автореферат, добавлен 28.12.2015Проектування вимірювачів імітансу, орієнтованих на дослідження властивостей різноманітних фізичних об’єктів. Вимірювання частотних, часових, просторових та енергетичних параметрів імпедансу. Розроблення напрямків прямого перетворення та автокомпенсації.
автореферат, добавлен 25.02.2014Достоинства и недостатки приёмников прямого усиления (детекторных, рефлексных, регенеративных) и радиоприёмников с двойным преобразованием частоты. Обобщенная структура бытовых радиоприёмных устройств. Радиоприёмник с двойным преобразованием частоты.
реферат, добавлен 07.11.2015Основні положення теорії передачі детермінованих сигналів через лінійні кола з постійними параметрами. Методи її реалізації: спектральний, інтеграла накладення. Частотні та часові характеристики резонансного підсилювача. Вимоги до оформлення розрахунків.
методичка, добавлен 22.07.2017Аналіз основних параметрів інфокомунікаційної мережі, які впливають на якість функціонування та ефективність її роботи. Коефіцієнт якості роботи мережі та його залежність від таких параметрів як затримка, ймовірність помилки та швидкість передачі даних.
статья, добавлен 27.07.2016Розрахунки амплітуд гармонійних складових спектру. Аналіз побудови графічного зображення спектра на основі обчислень. Визначення значення верхньої частоти у практичному спектрі сигналу. Особливості побудови зворотного перетворення спектру у сигнал.
лабораторная работа, добавлен 20.08.2017