Туннельный эффект
Преодоление частицей энергетического барьера. Развитие электроники. Теория туннельного эффекта. Туннелирование электронов в твердых телах. Квантовые транзисторы. Условие максимума пропускания. Туннельный диод. Движение частицы из одной орбитали в другую.
Подобные документы
Прохождение частицы через потенциальный барьер, когда ее энергия меньше высоты барьера. Прохождение микрочастиц через потенциальные барьеры. Парадоксальность "туннельного эффекта". Холодная эмиссия электронов из металла. Квазистационарные состояния.
реферат, добавлен 21.11.2014Изучение поведения частицы при прохождении через потенциальный барьер. Исследование волновых функций по уравнению Шрёдингера. Вычисление коэффициента прозрачности для микрочастиц. Вольт-амперная характеристика туннельного тока. Определение уровня Ферми.
курсовая работа, добавлен 04.06.2014Прохождение микрочастиц через потенциальные барьеры, туннельный эффект. Холодная эмиссия электронов из металла. Трехмерный потенциальный барьер, квазнстационарные состояния. Теория радиоактивного α-распада. Ионизация атомов в сильных электрических по
реферат, добавлен 29.09.2010Характеристика туннельных эффектов, туннелирование между нормальным металлом и сверхпроводником, между двумя сверхпроводниками. Физические свойства сверхпроводников в сильных магнитных полях, эффект Джозефсона, фаза, джозефсоновское туннелирование.
курсовая работа, добавлен 01.04.2014Понятие туннельного эффекта, объяснение с его помощью физических явлений и его применение в технических приложениях. Холодная эмиссия электронов. Расчет точных аналитических выражений для коэффициента прохождения через прямоугольный потенциальный барьер.
курсовая работа, добавлен 23.10.2012Явление в физике сверхпроводников – эффект Джозефсона. Основные экспериментальные факты о природе сверхпроводимости. Незатухающий ток и создаваемое им магнитное поле. Туннельный эффект как задача квантовой механики. Стационарный эффект Джозефсона.
курсовая работа, добавлен 19.04.2011Ознакомление с механизмом альфа-распада и процессом туннельного перехода. Рассмотрение одномерного прямоугольного потенциального барьера и решение уравнения Шрёдингера. Определение роли центробежного барьера и его связи с характером движения частиц.
презентация, добавлен 28.03.2014Источник электромагнитных колебаний, колебания в котором возбуждаются самопроизвольно без внешнего воздействия. Принцип действия автогенератора на туннельном диоде, разработка схемы автогенератора. Туннельный диод как маломощный генераторный диод.
реферат, добавлен 06.09.2016Квантовые числа электронов, понятие энергетического уровня, значение орбиталей. Форма электронного облака s-орбитали. Главные составляющие атома, его возможные состояния. Порядок составления электронных формул. Химические источники электрической энергии.
реферат, добавлен 14.01.2013- 10. Коэффициенты туннелирования электронов через потенциальные барьеры треугольной и ступенчатой формы
Аналитические выражения для коэффициента туннельного прохождения электронов через потенциальные барьеры треугольной и ступенчатой формы. Сравнение зависимостей величины коэффициента от энергии электронов для барьеров с двумя значениями толщины и высоты.
статья, добавлен 21.06.2018 Моделирование туннельного тока в металл-оксид-полупроводниковых транзисторах, являющихся основой элементов флеш-памяти. Влияние затворного и стокового напряжения, толщины туннельного окисла транзистора на распределение плотности туннельного тока.
статья, добавлен 21.06.2018Расчет туннельного тока, проходящего через иглу туннельного микроскопа. Измерение рельефа поверхности с помощью туннельного микроскопа. Оценка размеров конца иглы. Изменения в монохромном изображении, к которым приводит учет радиуса закругления иглы.
статья, добавлен 28.10.2018Построение микроскопической модели резонансно-туннельного транспорта в полупроводниковых сверхрешетках со слабой туннельной связью. Исследование влияния магнитного поля произвольной ориентации на процессы резонансного туннелирования в сверхрешетках.
автореферат, добавлен 18.11.2018Технология молекулярно-лучевой эпитаксии, позволяющая выращивать полупроводниковые слои - основа для создания большого класса наноструктур. Анализ влияния ширины туннельного барьера на фотолюминесценцию системы двух туннельно-связанных квантовых ям.
автореферат, добавлен 02.09.2018Рассмотрение истории создания сканирующего зондового микроскопа. Изучение микрофлоры воды с помощью микроскопии. Туннельный эффект зонда - квантовое явление проникновения микрочастицы из одной доступной области движения в другую, отделённую барьером.
реферат, добавлен 14.12.2015Устройство и работа полупроводниковых диодов. Строение диода и обозначение диода на схеме. Включение диода в обратном направлении. Характеристики диодов, конструкции и особенности применения. Энергетические диаграммы p-n-перехода туннельного диода.
курсовая работа, добавлен 24.12.2015Взаимодействие электронов и ядер атомов молекулы. Электрический ток в веществах, находящихся в твердой фазе. Исследование перемещения электронов в твердых телах под действием электрического поля и при переходе проводника в сверхпроводящее состояние.
статья, добавлен 09.06.2018Изучение туннельного эффекта и многофотонной ионизации в переменном электрическом поле. Вычисление импульсного распределения и вероятности процесса ионизации двумерной и трехмерной квантовой ямы суперпозицией постоянного и переменного электрических полей.
курсовая работа, добавлен 14.03.2016История создания и принцип работы сканирующего туннельного микроскопа. Мюллер как изобретатель первого полевого ионного микроскопа. Особенности формирования изображения поверхности по методу постоянного туннельного тока и постоянного среднего расстояния.
курсовая работа, добавлен 10.12.2018Сверхпроводимость как макроскопическое квантовое явление. Эффект Джозефсона. Причины возникновения, свойства и применение сверхпроводимости. Туннельный эффект. Стационарный эффект Джозефсона. Квантовая интерференция. Сверхпроводниковый суперкомпьютер.
реферат, добавлен 24.03.2009Энергетические уровни, электронная конфигурация атома. Принцип заполнения (наименьшей энергии). Распределение электронов в атоме по энергетическим уровням. Принципы и последовательность заполнения атомных орбиталей. Энергетические зоны. Туннельный эффект.
реферат, добавлен 06.12.2012Исследование конструкции туннельного микроскопа. Анализ упругих свойств звена манипулятора горизонтальных перемещений. Оценка величины отклонений иглы при действии периодических возмущений на основании измерительного блока, при колебаниях основания.
статья, добавлен 28.10.2018Квантовые явления, имеющие отношение к атомной физике. Прохождение частицы сквозь потенциальный барьер конечной ширины. Прямоугольный потенциальный барьер. Примеры туннельного эффекта. Холодная эмиссия металлов. Потенциальная яма конечной глубины.
реферат, добавлен 20.10.2014Измерения энергетического спектра электронов "встряски" при распаде изотопа европия и их скоррелированности по направлению вылета с импульсом заряженной частицы в диапазоне 150-2000 эВ. Регистрация электронов "встряски" по создаваемым ими е-электронам.
статья, добавлен 11.09.2013Теоретические принципы контактных явлений в полупроводниках. Строение полупроводниковых диодов, вольт-амперная характеристика. Туннельный, лавинный пробой. Биполярные, полевые транзисторы. Переключение тиристоров. Принцип действия фоторезисторов, лазеров.
курс лекций, добавлен 20.08.2017