Вплив структурних дефектів радіаційного походження на фотоелектричні властивості антимоніду і сульфіду кадмію
Дослідження впливу опромінення великими дозами гамма-квантів і швидких нейтронів на електричні, оптичні і фотоелектричні властивості нелегованих монокристалів CdSb. Особливості домішкової фотопровідності в монокристалах з неоднорідним розподілом дефектів.
Подобные документы
Проведення експресного опромінення на іонному прискорювачі та аналіз систематичних даних з розпухання дисперсно-зміцненої сталі, вплив гелію і водню. Прогноз розпухання і виникнення дефектів сталі за реакторних умов в процесі тривалої експлуатації.
статья, добавлен 30.01.2016Вивчення особливостей впливу металевого наповнювача та режимів приготування на структуроутворення епоксидного полімеру на основі епоксидного олігомеру с поліетиленполіамінами. Теплофізичні, механічні, фізико-хімічні, електричні властивості матеріалу.
автореферат, добавлен 14.09.2014- 103. Аерозолі та порошки
Класифікація та електричні властивості аерозолів, їх агрегативна стійкість. Особливості поведінки аерозолів в сильно розрядженій газовій атмосфері, в безгазовому просторі. Класифікаця порошків, способи їх отримання та властивості. Сутність явища адгезії.
реферат, добавлен 15.06.2009 Дослідження антимоніду індію, легованого одночасно акцепторними(Cd) та донорними (Te) домішками в еквіатомному співвідношенні. Вивчення можливостей застосування нових матеріалів в голографії та оптоелектроніці. Синтез та кристалізація монокристалів.
автореферат, добавлен 23.11.2013- 105. Фотоелектричні властивості багатошарових напівпровідникових SiGe гетероструктур з наноострівцями
Розрахунок зонної діаграми гетеропереходу SiGe-острівець/Si-оточення, використовуючи данні про компонентний склад та деформації SiGe наноострівців, отримані з аналізу спектрів. Взаємодія оптичного випромінювання з багатошаровими гетероструктурами з SiGe.
автореферат, добавлен 29.08.2015 Оцінка поведінки транзисторних структур у полі високоенергетичного опромінення. Деформація електричних сигналів, що поширюються в опромінених інтегральних схемах. Зміни ВАХ їх активних і пасивних компонентів. Вплив складного радіаційного фактору.
автореферат, добавлен 23.11.2013Закономірності процесів дефектоутворення в структурах і приладах на основі кремнію. Вивчення впливу вихідних дефектів та механізмів їх трансформації в процесах легування, окислення кремнію і подальших механічних обробок на формування дефектної структури.
автореферат, добавлен 13.08.2015Перенос і накопичення носіїв заряду в гетероструктурах Ge33As12Se55 - p-Si. Вплив на механічні властивості гетероструктур технологічних режимів одержання плівок, термообробки і високоенергетичного електронного опромінення. Оцінка параметрів осадження.
автореферат, добавлен 15.11.2013Дослідження впливу розмірних ефектів і домішок, а також технологічних умов отримання і обробки зразків на оптичні та електричні характеристики і структуру досліджуваних низькорозмірних систем на основі кисневмісних сполук цинку та дийодиду свинцю.
автореферат, добавлен 14.10.2015Характеристика структурної досконалості кисневомістких кристалів кремнію. Головна особливість дослідження кінетики змін розмірів та концентрацій дефектів, що виникають під час відпалу. Вивчення впливу попереднього нейтронного опромінення на цей процес.
автореферат, добавлен 30.07.2015Політипність досліджуваних кристалів TlInS2 і TlGaSe2. Вплив всебічного стиснення кристалів на область існування неспівмірно-модульованої фази. Особливості впливу гідростатичного тиску і температури на оптичні та діелектричні властивості кристалів.
автореферат, добавлен 14.08.2015Діелектричні та електричні властивості органо-неорганічних систем в залежності від співвідношення складових органічного компонента в широких частотних та температурних діапазонах. Створення та аналіз просторової структурної моделі гібридних систем.
автореферат, добавлен 28.08.2015Роль конкуруючих потоків точкових дефектів на дислокації в повзучості навантажених матеріалів під опроміненням. Причини появи згинів і перегинів на дозовій залежності швидкості повзучості. Умови виникнення просторово-періодичного розподілу мікротвердості.
автореферат, добавлен 28.09.2014Дослідження впливу електричної компоненти надвисокочастотного поля на спектр електронного спінового резонансу домішки Mn у кристалах GaAs. Розрахунок електронної структури та параметрів надтонкої взаємодії для ряду дефектів у SiC і кремнієвих матеріалах.
автореферат, добавлен 25.08.2014- 115. Надтонкі взаємодії та стан домішок і дефектів у телуридах свинцю-олова і моноселенідах індію і галію
Дослідження надтонких взаємодій радіоспектроскопічними методами. Визначення особливостей зонного спектра та динаміки перетворень у системі домішок і дефектів у телуридах свинцю й олова. Аналіз стану домішок і дефектів у моноселенідах індію та галію.
автореферат, добавлен 30.10.2015 Визначення пружних властивостей масиву вуглецевих нанотрубок і їх порівняння з відповідними властивостями терморозширеного графіту. Аналіз впливу різних типів дефектів на перерозподіл носіїв заряду і концентрацію квазівільних електронів в нанотрубках.
автореферат, добавлен 14.07.2015- 117. Електричні та фотоелектричні процеси в сонячних елементах та детекторах оптичного випромінювання
Механізм переносу заряду електричних та фотоелектричних процесів. Зміст основних експериментальних та теоретичних кривих при зворотних напругах. Характеристика математичних форм спектральних нерівностей. Аналіз досліджуваних поверхнево-бар’єрних діодів.
автореферат, добавлен 27.09.2014 Електричні властивості діелектриків: поляризація, електропровідність, діелектричні втрати. Ємність плоского, вакуумного конденсаторів, елементарний електричний момент поляризованої частки, питомий опір. Фізико-хімічні та теплові властивості діелектриків.
контрольная работа, добавлен 31.10.2015Дослідження нелінійної провідності квантових контактів різної геометрії в присутності одиничних дефектів. Залежність нелінійної провідності від прикладеної напруги, потенціалу розсіювання й параметрів, що характеризують форму квантового контакту.
автореферат, добавлен 28.10.2015- 120. Утворення розгалужених структур з окремих треків, створених при проходженні швидких важких іонів
Залежність площі поверхні зразка після опромінення та видалення модифікованої речовини від повної дози опромінення, кута падіння пучка важких швидких іонів та середньої відстані між сферичними частинами одного треку. Опуклість кривої дозової залежності.
статья, добавлен 02.09.2013 Роль часткових дислокацій, що рухаються, в процесах фазових перетворень в кристалах сульфіду та селеніду цинку. Вивчення змін фізичних властивостей кристалів сульфіду та селеніду цинку, які залежать від стану електричної активності нерухомих дислокацій.
автореферат, добавлен 28.12.2015Розробка функціональних матеріалів на базі ціанофератів перехідних металів, характеристика їх структури, оптичні та електрохімічні властивості, сфери їх застосування. Поняття кінетики і довговічності електрохромних індикаторів, рентгенофазова дифракція.
автореферат, добавлен 28.07.2014Дослідження механізму взаємодії дефектів YBCO плівки. Дослідження нелінійних залежностей імпедансу від амплітуди високотемпературних надпровідних купратів поля та пошук механізмів виникнення нелінійної залежності імпедансу в копланарній геометрії.
автореферат, добавлен 27.08.2014- 124. Електронні процеси в опромінених діелектриках та властивості композицій, що містять ядерне паливо
Аналіз процесів, що відбуваються в діелектриках з високою густиною електронних станів під дією високих доз іонізуючого опромінення. Властивості композицій ядерного палива в активній фазі важкої техногенної аварії та їх подальша поведінка з плином часу.
автореферат, добавлен 27.08.2014 Результати досліджень впливу швидкості охолодження, стану високотемпературної фази, легування на формування структур, у розташуванні дефектів в низькотемпературній фазі сплавів кобальту. Огляд легуючих елементів, які відрізняються за механізмом впливу.
автореферат, добавлен 27.08.2014