Напівпровідникові прилади. Напівпровідникові діоди. Транзистори
Пряме і зворотне зміщення (вмикання) p-n-переходу. Визначення та класифікація напівпровідникових діодів. Випрямні діоди й стабілітрони: призначення і особливості, схема вмикання. Особливості структури біполярного транзистора, їх типи та умовні позначення.
Подобные документы
Принципиальная схема оптореле и структура ячейки транзистора с двойной диффузией. Экспериментальные выходные характеристики кремниевого МОП-транзистора. Тепловое сопротивление ячейки. Электрическая и тепловая схемы транзистора в редакторе Symica.
статья, добавлен 17.07.2018Физические свойства транзистора как усилительного элемента. Назначение Усилителя "З-1": схема электрическая принципиальная, принципы работы. Описание рабочего места для проведения экспериментальных исследований схемы Усилителя "З-1", техника безопасности.
отчет по практике, добавлен 25.10.2012Технічні характеристики та види сучасних комп'ютерних моніторів. Історія створення рідкокристалічного дисплея, його фізичні й електричні властивості. Цифрові й аналогові інтерфейси передачі відеосигналу. Класифікація та особливості різних ЖК матриць.
курсовая работа, добавлен 07.10.2021Входные характеристики при включении транзистора по схеме с общим эмиттером. Характеристики управления при включении транзистора по схеме. Параметры и эквивалентные схемы биполярных транзисторов. Эквивалентная схема в виде модели Эбертса-Молла (вид).
презентация, добавлен 23.09.2016Аналіз створення моделі, що дозволяє методом мікрочасток розраховувати транзистори на частотах понад 100 ГГц в квазігідродинамічному наближенні з урахуванням механізмів розсіювання. Спектральний склад шуму в польових транзисторах з затвором Шотткі.
статья, добавлен 17.05.2020Подання характеристики радіовимірювального перетворювача витрат газу з частотним виходом у вигляді автогенераторної схеми з витраточутливим елементом на основі біполярного транзистора. Визначення вольтамперної характеристики та частоти генерації.
статья, добавлен 27.07.2016Спосіб визначення магнітного моменту та розмірів суперпарамагнітних наночастинок типу магнітне ядро-полімерна оболонка, що широко використовуються у біомедичних технологіях. Модель індукційного відгуку ансамблю на комбіновану дію сталого поля зміщення.
статья, добавлен 29.09.2016Дослідження фізичних процесів і явищ в активних середовищах на основі сполук груп А2, В6і, А3 та В5. Характеристика створення зразків лазерів з електронним накачуванням, засіб підвищення порогів оптичного руйнування для збільшення ресурсу роботи лазера.
автореферат, добавлен 29.09.2014Выбор транзистора для выходного и предварительных каскадов усилителя. Схема температурной стабилизации рабочей точки. Схема и основные параметры температурной стабилизации рабочей точки транзистора предварительного каскада. Расчет вспомогательных цепей.
курсовая работа, добавлен 08.01.2012Экспериментальное определение параметров транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером. Использование эквивалентных схем, основанных на представлении транзистора как активного линейного четырехполюсника. Измерение напряжения коллектора транзистора.
лабораторная работа, добавлен 22.10.2012Дослідження роботи двопроменевого осцилографа, генератора синусоїдальних, пилкоподібних і прямокутних сигналів, а також мультиметра та графобудівника. Особливості визначення амплітуди для кожної форми сигналу за допомогою мультиметра і осцилографа.
лабораторная работа, добавлен 23.05.2015Принцип роботи, характеристики та параметри стабілітронів. Струми і напруги стабілізації. Область безпечної роботи. Характер і причини відмов. Схеми підключення стабілітронів. Дискретні стабілітрони загального призначення - силові та малої потужності.
курсовая работа, добавлен 14.12.2019Полупроводниковые технологии и современные интегральные микросхемы. Изучение закона Мура. Схема традиционного планарного транзистора. Структура терагерцевого транзистора. Бесконтактная диагностика микросхем. Аспекты развития микропроцессорной техники.
реферат, добавлен 15.11.2012Структура и принцип действия биполярного транзистора. Схема его включения и выключения с общей базой, общим эмиттером и коллектором. Температурные и частотные свойства транзистора. Анализ и расчет усилительного каскада по постоянному и переменному току.
курсовая работа, добавлен 04.04.2015Основные параметры биполярного транзистора с p-n-p переходом, определяющие работу линейного усилителя низкой частоты. Принципиальная схема работы усилителя. Расчет и экспериментальная проверка рабочей точки по статическим характеристикам транзистора.
курсовая работа, добавлен 20.09.2014Вивчення топології, особливостей конструкцій і властивостей резисторів, конденсаторів, напівпровідникових інтегральних схем. Практичне знайомство з топологією біполярних транзисторів, напівпровідникових інтегральних схем різного ступеня інтеграції.
лабораторная работа, добавлен 18.04.2014Входное и выходное напряжение. Определение типа транзистора. Мощность, рассеиваемая коллектором транзистора. Расчет коэффициента обратной связи по напряжению. Вольтамперные характеристики транзистора. Расчет статического коэффициента передачи по току.
контрольная работа, добавлен 13.05.2015Структура биполярных транзисторов типов. Движение носителей заряда в транзисторе типа п-р-п. Включение транзистора типа п-р-п по схеме с общим эмиттером. Структура и схема включения полевого транзистора. Вольт-амперные характеристики триодного тиристора.
лекция, добавлен 09.12.2013Выбор транзистора для работы в составе широкополосного усилительного оконечного каскада. Расчет требуемого режима работы транзистора, цепей питания и термостабилизации. Каскад с высокочастотной индуктивной коррекцией. Принципиальная схема усилителя.
курсовая работа, добавлен 02.12.2012Концентрация носителей заряда в эмиттере. Принцип действия биполярного транзистора (р-n-р- типа). Статический режим работы транзистора, предотвращение его перегрева. Схема простейшего усилительного каскада на биполярном транзисторе с общим эмиттером.
реферат, добавлен 28.06.2016Структурна схема мікропроцесорної системи (МПС). Розроблення логічної структури МПС: блоки мікропроцесора, основної пам'яті та периферійних пристроїв. Схема електричних функцій блоку МП. Умовно-графічне зображення модулів ОП. Призначення контролера шини.
курсовая работа, добавлен 24.05.2010Сущность и классификация транзисторов как радиоэлектронных компонентов из полупроводникового материала. Устройство биполярного транзистора. Эпитаксиальные транзисторы. Материалы для изготовления полупроводниковых приборов. Особенности расчёта транзистора.
курсовая работа, добавлен 21.02.2018Дослідження впливу температури на параметри надвисокочастотних малопотужних діодів з бар’єром Шоткі. Аналіз методики отримання аналітичних залежностей для вольтамперних характеристик діодів Шоткі з врахуванням температури, підтвердження її ефективності.
статья, добавлен 27.07.2016Опис та структурна схема транзистора КП302Б. Аналіз принципової електричної схеми та опис призначення усіх компонентів. Розрахунок номіналів компонентів, значення статичного та динамічного вихідного опору підсилювача та амплітудної характеристики.
курсовая работа, добавлен 06.06.2017Основні характеристики радіовимірювального перетворювача витрат газу, аналіз автогенераторної схеми з витраточутливим елементом на основі біполярного транзистора. Діапазон чутливості пристрою, принципи теплопередачі, використання системи рівнянь Кірхгофа.
статья, добавлен 27.07.2016