Оптические методы исследования полупроводниковых материалов

Определение угла вращения плоскости поляризации. Оптические абсорбционные методы как способы анализа, основанные на поглощении веществами электромагнитного излучения. Условия для возникновения явления фотолюминесценции в полупроводниковых структурах.

Подобные документы

  • Рассмотрены особенности зрительного аппарата, благодаря которым возникают оптические иллюзии. Причиной их возникновения являются особенности глаза и головного мозга. Основные виды иллюзий. Особое внимание обращено на переоценку вертикальных линий.

    презентация, добавлен 13.06.2021

  • Вращение плоскости поляризации при прохождении через кварц плоско поляризованного света. Способность оптически неактивных веществ вращать плоскость поляризации под действием магнитного поля. Определение зависимости показателя преломления от длины волны.

    лекция, добавлен 01.10.2014

  • Рассмотрение задачи о поглощении мощности высокочастотного электромагнитного поля в сверхпроводнике, удовлетворяющем условию грязного предела. Получение выражения для члена источника в кинетическом уравнении для функции распределения квазичастиц.

    статья, добавлен 30.10.2018

  • Изучение проводимости полупроводниковых материалов без примесей. Особенности выпрямления переменного тока. Основы преобразования энергии светового излучения в энергию электрического тока. Рассмотрение вольт-амперного графика полупроводникового диода.

    реферат, добавлен 01.04.2016

  • Зависимость диэлектрической проницаемости материалов от частоты и напряженности электрического поля; емкости конденсатора от угла перекрытия диэлектрика верхней пластиной. Вычисление на примере одного из диэлектриков основных характеристик поляризации.

    лабораторная работа, добавлен 26.12.2012

  • Влияние наноструктурирования материалов, введения в полупроводниковые материалы наноструктурных элементов на их электрофизические и другие свойства. Увеличение преобразующих свойств наноструктурированного преобразователя электромагнитного излучения.

    статья, добавлен 16.11.2018

  • Электромагнитное излучение как распространяющееся в пространстве возмущение электромагнитного поля. Знакомство с характеристиками электромагнитного излучения: частота, длина, поляризация. Рассмотрение особенностей влияния электромагнитного излучения.

    презентация, добавлен 13.05.2022

  • Объективы с киноформными корректорами. Изготовление киноформных элементов. Классификация элементов микротроптики и методы изготовления масок. Контактные маски из светочувствительных материалов. Изменение поверхностей под действием ионной бомбардировки.

    реферат, добавлен 24.01.2012

  • Сплошная среда со слабыми периодическими неоднородностями. Уравнения Матье и Хилла. Волны в дискретных структурах. Распространение гармонической волны. Амплитуда обратной волны. Пределы полосы непрозрачности. Оптические длинноволновые колебания.

    реферат, добавлен 21.08.2015

  • Разработка электротепловых моделей силовых полупроводниковых приборов (СПП) различных конструкций корпусов и моделей их группового соединения. Основные технические средства для определения электрических и тепловых параметров и характеристик СПП.

    автореферат, добавлен 13.04.2018

  • Ионизационные, оптические (сцинтилляционные), химические и фотографические методы регистрации излучений. Фотоэлектронный умножитель (ФЭУ) как распространенный и незаменимый детектор излучения. Устройство, основные принципы работы, схема включения ФЭУ.

    курсовая работа, добавлен 06.01.2015

  • Обоснование необходимости, значение поиска и исследования новых полупроводниковых материалов, отвечающих современным требованиям. Место двойных, тройных и более сложных халькогенидов среди обширного класса соединений с участием редкоземельных материалов.

    статья, добавлен 22.02.2023

  • Классификация резисторов и требования, предъявляемые к ним. Электрические параметры полупроводниковых приборов. Основы конструкторских расчетов резисторов для интегральных микросборок. Правила проектирования топологии микросхем с изоляцией р-n-переходом.

    курсовая работа, добавлен 31.10.2016

  • Физические свойства полупроводниковых сверхрешеток, определяющихся их электронным спектром. Исследование плотности электрического состояния, отличающейся от соответствующей величины в трехмерной системе. Особенность структуры многоволнового лазера.

    статья, добавлен 29.05.2017

  • Явление самопроизвольного превращения ядер вещества, сопровождающееся испусканием частиц и электромагнитных волн. Изучение строения атома, опыты Резерфорда. Линейчатые оптические спектры. Атомная единица массы. Методы регистрации ионизирующих частиц.

    лекция, добавлен 19.04.2015

  • Снижение расходов полупроводниковых дорогостоящих материалов в солнечных элементах. Концентрирование солнечного излучения. Создание концентраторных батарей с плоскими фоклинами с улучшенными удельными фотоэлектрическими и оптическими параметрами.

    статья, добавлен 19.06.2018

  • Свойства германиевого и кремниевого выпрямительных полупроводниковых диодов при изменении температуры окружающей среды, измерение их вольт-амперных характеристик. Параметры стабилитрона и туннельного диода, анализ уровня напряжения в электрических схемах.

    методичка, добавлен 05.02.2015

  • Методика расчета напряженности электрического поля промышленной частоты. Изучение действия электромагнитного излучения на организм человека. Методы определения мощности дозы ионизирующего излучения. Интенсивность электромагнитного поля в волновой зоне.

    лабораторная работа, добавлен 24.11.2021

  • Исследование характеристик поляризации света как одного из фундаментальных свойств оптического излучения. Эффект неравноправия различных направлений плоскости, перпендикулярной световому лучу. Основные геометрические характеристика поляризации света.

    реферат, добавлен 15.12.2011

  • Рассмотрение характеристик, изображающих оптические системы. Функционально-модульная идеология синтеза и унификации оптических измерительных систем. Измерение толщин линз, воздушных промежутков и линейных размеров деталей. Пробные асферические стекла.

    учебное пособие, добавлен 06.04.2015

  • Физика работы светоизлучающих диодов на основе нанопроводов ZnO. Излучательная рекомбинация в объеме материала. Внутренний и внешний квантовый выход излучения. Методы получения полупроводниковых наноструктур. Технология формирования плёнок оксида цинка.

    дипломная работа, добавлен 12.11.2014

  • Характеристика электронных, полупроводниковых, магнитных, пневматических и гидравлических усилителей. Использование полупроводниковых диодов в качестве генераторных узлов. Резонансный усилитель на туннельном диоде в составе входного узла приемника.

    реферат, добавлен 10.10.2012

  • Основные характеристики и параметры полупроводниковых р-n переходов, влияние на них температуры окружающей среды. Преобразование переменного тока в постоянный. Прямой и обратный токи полупроводникового диода, расчет дифференциального сопротивления.

    контрольная работа, добавлен 13.12.2021

  • Понятие полупроводниковых приборов, история их развития. Признаки и свойства полупроводников. Структура элементарных частиц: электрона и протона. Причины появления у кремния полупроводниковых свойств. Вольт-амперные характеристики электронных компонентов.

    статья, добавлен 04.01.2021

  • Лазерное излучение как вынужденное испускание атомами вещества порций-квантов электромагнитного излучения. Ширина спектральной линии. Лазеры, основанные на твердотельной активной среде. Условие образование стоячих волн. Контроль спектра излучения.

    презентация, добавлен 28.12.2015

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.