Мощный полевой транзистор на основе гетероструктуры (Al,Ga)N/GaN
Исследование электрофизических и приборных характеристик одинарных и двойных гетероструктур. Разработка основных этапов технологии создания мощного полевого транзистора. Электрофизические параметры и стабильность приборных характеристик транзистора.
Подобные документы
Срок службы полупроводниковых триодов и их экономичность. Преимущества транзисторов по сравнению с электронными лампами. Чувствительность к повышению температуры, электрическим перегрузкам. Устройство полевого транзистора, схемы включения и параметры.
реферат, добавлен 10.03.2016Устройство плоскостного биполярного транзистора. Режимы работы биполярного транзистора. Схема включения с общим эмиттером, базой и коллектором. Эквивалентная схема транзистора с использованием h-параметров. Усилительный каскад на биполярном транзисторе.
реферат, добавлен 06.12.2015Определение значения сопротивления, режима работы транзистора. Напряжение между коллектором и эмиттером. Амплитуда тока нагрузки. Параметры режима покоя транзистора. Падение напряжения на сопротивлениях. Коэффициент нестабильности работы каскада.
контрольная работа, добавлен 25.04.2013Схема системы передачи информации. Обоснование вида модуляции. Разработка транзисторного усилительного каскада электрических сигналов по переменному току. Выбор транзистора и моделирование статических характеристик. Анализ результатов моделирования.
курсовая работа, добавлен 21.02.2016Механизм образования и электрическое поле в p-n переходе. Расчет контактной разности потенциалов и максимального электрического поля кремниевого p-n перехода. Расчет зависимости коэффициента передачи тока кремниевого p-n-p транзистора от напряжения.
курсовая работа, добавлен 18.10.2014Особенность изготовления дискретного биполярного транзистора. Усиление или генерация колебаний портативными радиоприемниками. Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Проведение исследования правил пользования пробником индикатором.
курсовая работа, добавлен 18.04.2016Транзистор с каналом р-типа. Входное сопротивление полевого транзистора. Определение коэффициента усиления усилителя. Влияние отрицательной обратной связи. Зависимости энергии электрона от координаты. Схематичные изображения МОП с индуцированным каналом.
лекция, добавлен 26.10.2013- 83. Исследование технологии создания активно-матричных микродисплеев на основе органических светодиодов
Применение метода лазерного управляемого термораскалывания (ЛУТ) для решения задач, связанных с проблемами качества резки кремниевых приборных пластин на кристаллы с органическими светоизлучающими диодами, в частности для производства микродисплеев.
статья, добавлен 22.12.2021 Определение коэффициента передачи усилителя с отрицательной обратной связью. Выбор рабочей точки и транзистора для выходного каскада. Выбор транзистора для промежуточного каскада. Проверка правильности выбора транзистора. Расчет емкостных элементов.
курсовая работа, добавлен 13.10.2017Конструкция, строение и принцип действия транзисторов. Анализ их работы с разной схемой включения. Виды параметров транзисторов. Типы приборов и их системы обозначений. Расчет маломощного биполярного транзистора на основе германия, усиление его мощности.
курсовая работа, добавлен 18.12.2012Изучение принципа действия, основных характеристик и параметров электронных ключей на биполярных транзисторах. Выполнение инженерного расчета транзисторного ключа на БТ. Определение силы тока коллектора. Напряжение насыщения биполярного транзистора.
контрольная работа, добавлен 16.08.2023Основные технологические этапы построения схемы И-НЕ на n-МОП транзисторах. Характеристика схемы нагрузочного и активного транзистора. Этапы расчета емкости перекрытия каналов. Особенности расчета схемы при помощи программы P-Spice, параметры схемы.
контрольная работа, добавлен 27.05.2012Расчёт импульсного усилителя в транзисторном варианте и на операционном усилителе. Выбор транзистора для выходного каскада и микросхемы операционного усилителя. Определение параметров транзистора на основе рабочей точки, приращение в ней тока, напряжения.
курсовая работа, добавлен 18.01.2016Выбор основных программных и технических средств интернет-подсистемы. Разработка методики, а также программного и алгоритмического обеспечения обучающей подсистемы. Технологический процесс изготовления приборов и эпитаксиально-планарного транзистора.
дипломная работа, добавлен 12.02.2015Биполярные транзисторы с улучшенными малосигнальными параметрами. Разработка и эксплуатация полупроводниковых приборов. Выбор концентрации примеси в эпитаксиальном слое коллектора. Расчет граничной частоты, напряжения насыщения и импульсных характеристик.
курсовая работа, добавлен 19.11.2014Определение h-параметров усилителя по его статическим характеристикам. Выбор режима работы транзистора. Расчет делителя в цепи базы. Оценка нелинейных искажений каскада. Проведение расчета основных параметров элементов схемы замещения транзистора.
контрольная работа, добавлен 31.01.2014Замеры и расчеты различных характеристик биполярного транзистора КТ 201Б в усилительном каскаде с общим эмиттером. Параметры усилительного каскада, коэффициенты усиления по мощности, по току и по напряжению. Амплитудно-частотные характеристики усилителя.
курсовая работа, добавлен 13.11.2016Физические свойства транзистора как усилительного элемента. Назначение Усилителя "З-1": схема электрическая принципиальная, принципы работы. Описание рабочего места для проведения экспериментальных исследований схемы Усилителя "З-1", техника безопасности.
отчет по практике, добавлен 25.10.2012Главная функция и дополнительные возможности телефона. Численность операторов и распределение функций между ними. Информационные модели деятельности оператора. Форма, расположение размеры приборных панелей пультов управления. Обзорность приборных панелей.
реферат, добавлен 30.11.2012Современное состояние работ в области моделирования Si и SiGe биполярных транзисторных структур с учетом радиационных эффектов. Разработка унифицированной Spice-макромодели Si/SiGe биполярного транзистора, учитывающей влияние радиационных эффектов.
диссертация, добавлен 12.01.2017Конструкция и принципы классификации полупроводниковых диодов. Преобразование переменного тока с помощью выпрямительного диода; работа в импульсных цепях. Изучение основных особенностей транзисторов. Расчет и основные характеристики МДП-транзистора.
курсовая работа, добавлен 30.11.2013Выбор транзистора для выходного и предварительных каскадов усилителя. Схема температурной стабилизации рабочей точки. Схема и основные параметры температурной стабилизации рабочей точки транзистора предварительного каскада. Расчет вспомогательных цепей.
курсовая работа, добавлен 08.01.2012Принцип действия электронного генератора. Общие сведения о генераторах с внешним возбуждением. Особенности регенеративного усиления. Механизмы синхронизации и деления частоты. Исследование вольтамперной характеристики (ВАХ) полевого транзистора.
курсовая работа, добавлен 15.09.2015Изучение состава усилителей на полевых транзисторах. Амплитудно-частотная характеристика усилителя. Исследование схемы усилительного каскада на полевом транзисторе с общим истоком. Анализ различия между емкостью разделительного конденсатора и транзистора.
лекция, добавлен 04.10.2013Описание схемы и разработка проекта усилительного каскада с распределённой нагрузкой с общим эмиттером. Проведение расчетов по нахождению статической линии нагрузки и рабочей точки транзистора КТ602А. Общий расчет h-параметров проектного транзистора.
курсовая работа, добавлен 13.09.2019