Оже-электронная микроскопия поверхности: возможности, особенности, применение
Рассмотрение содержания эффекта Оже и глубины выхода оже-электронов. Реализация метода оже-спектроскопии и регистрация оже-электронов. Энергоанализаторы оже-электронов. Основное уравнение и количественная оже-спектроскопия. Применение оже-спектроскопии.
Подобные документы
Результаты спектроскопического исследования вещества, в котором для измерения спектра поглощения используются частотно-кореллированные пары фотонов, рожденные в процессе спонтанного параметрического рассеяния. Измерения методом бифотонной спектроскопии.
статья, добавлен 07.11.2018Принцип длительного взаимодействия электронов с полем бегущей волны. Дисперсионные свойства замедляющей системы. Классификация приборов М-типа. Статические характеристики магнетрона. Гирорезонансные приборы и генераторы дифракционного излучения.
курс лекций, добавлен 06.08.2015Определение значение барьерной емкости Cj (-2B). Расчет электрического поля вдали от перехода в Р области при прямом смещение 0,5В. Построение YD(VG) для двух значений VD. Модель идеального диода. Определение дрейфового тока и подвижности электронов.
контрольная работа, добавлен 14.10.2017- 29. Магнетроны
Устройство и статические характеристики цилиндрического магнетрона. Виды колебаний анодного блока многорезонаторного магнетрона. Движение электронов в пространстве взаимодействия магнетрона. КПД, рабочие и нагрузочные характеристики магнетронов.
контрольная работа, добавлен 20.08.2015 Контакты с участием полупроводниковых материалов. Средства управления потоками носителей в полупроводниках, применяемые при проектировании и изготовлении диодов и в частности – диодов Шоттки. Эффект поля и поверхностная концентрация электронов и дырок.
курсовая работа, добавлен 08.10.2017Электропроводность полупроводников, действие полупроводниковых приборов. Рекомбинация электронов и дырок в полупроводнике и их роль в установлении равновесных концентраций. Нелинейные полупроводниковые резисторы. Верхние разрешенные энергетические зоны.
лекция, добавлен 04.10.2013- 32. Туннельные диоды
Изготовление туннельного диода из германия или арсенида галлия с высокой концентрацией примеси. Электронно-дырочный переход в вырожденном полупроводнике. Диффузионное перемещение. Туннельный переход электронов с энергией меньшей потенциального барьера.
презентация, добавлен 23.09.2016 Схема движения электронов при прямом и обратном включении p-n-перехода. Параметры первичных сигналов в структуре телекоммуникационных сетей, их классификация по виду передаваемых сообщений. Условия самовозбуждения автогенераторов гармонических колебаний.
контрольная работа, добавлен 13.01.2011Устройство и принцип работы трансмиссионного и растрового электронных микроскопов. Способы повышения разрешающей способности микроскопов. Спектрометрия энергетических потерь электронов. Прогресс в области математической обработки электронных изображений.
реферат, добавлен 21.05.2015Описание физических свойств, применения, оптики и легирования полупроводников. Изучение состава полупроводникового устройства транзистора, электронно-дырочного механизма проводимости. Анализ зависимости подвижности электронов и дырок от их концентрации.
реферат, добавлен 26.03.2011Структура спутниковых радионавигационных систем. Характеристика метода спутниковых геодезических измерений "Глонасс", его применение в проектировании лесовозных автомобильных дорог, применяемый при геодезических изысканиях и составлении электронных карт.
дипломная работа, добавлен 19.03.2013Риометр – специальный радиоприемник, использующийся для мониторинга высыпающихся в атмосферу авроральных электронов и протонов солнечного происхождения. Методика определения среднего превышения уровня сигнала над уровнем помех на входе приемника.
дипломная работа, добавлен 23.01.2019Феномен проводимости в твердом теле с точки зрения квантовой физики. Зонная теория электропроводности для различных твердых материалов. Функция Ферми-Дирака для равновесного состояния электронов. Разница в проводимости полупроводников и кристаллов.
лекция, добавлен 01.09.2013Поток электронов через туннельный переход в структуре нормальный металл-изолятор-сверхпроводник. Диаграмма энергетических уровней в переходе микрохолодильника. Нанохолодильник на основе Кулоновского барьера, кулер в виде одноэлектронного транзистора.
реферат, добавлен 21.09.2018Микроволновые электронные приборы. Принцип действия приборов с динамическим управлением электронным потоком. Принцип работы двухрезонаторного пролетного клистрона. Пространственно-временная диаграмма группирования электронов в отражательном клистроне.
учебное пособие, добавлен 22.08.2015Атомно-силовая микроскопия и принципы обработки изображений после исследования в приборе NanoEducator. Определение рабочей частоты и добротности зондового датчика, амплитуды, рельефа и сигнала фазового сдвига по поверхности экспериментального образца.
методичка, добавлен 08.09.2015Первопричина магнитных свойств радиоматериалов - внутренние скрытые формы движения электронов. Возникновение спиновых магнитных моментов. Сумма орбитального и спинового магнитных моментов. Магнитная восприимчивость как безразмерный коэффициент материала.
презентация, добавлен 23.09.2016Использование варизонных полупроводников как один из основных механизмов увеличения эффективности и выходной мощности диодов Ганна. Высокая концентрация электронов в боковых долинах в области катода - причина возникновения доменной неустойчивости.
статья, добавлен 14.07.2016Осциллограмма телевизионного сигнала. Процесс бомбардировки изолированной мишени пучком электронов. От чего зависит цвет свечения и яркость экрана кинескопа. Величина цветоразностного сигнала. Уровни черного, белого, гасящих и синхронизирующих импульсов.
контрольная работа, добавлен 25.12.2015Суть закона Мура, его использование, темпы развития полупроводниковой индустрии. Метод производства микропроцессоров в Intel. Спиновые волны, многократное использование электронов, углеродные и кремниевые нанотрубки, трехмерные многослойные микросхемы.
реферат, добавлен 17.04.2016Разработка алгоритма автоматизированного проектирования канального умножителя. Моделирование процессов электронного усиления в различных каналах, специфика энергетических и угловых распределений электронов. Повышение качества микроканальных пластин.
автореферат, добавлен 08.02.2018Схематическое изображение структуры диода на основе контакта полупроводников. Анализ изменения соотношения между диффузионными и дрейфовыми составляющими потоков электронов и дырок при прямом и обратном напряжениях на электронно-дырочной структуре.
учебное пособие, добавлен 05.12.2016Физические процессы в базе дрейфового транзистора при низком уровне инжекции. Влияние неравномерного распределения примесей в базе на концентрацию и движение электронов. Определение параметров аппроксимации электрического заряда. Скорость передачи тока.
реферат, добавлен 21.03.2015Применение метода спутниковой геодезии за рубежом, в том числе для контроля висячих мостов в Гонконге, высотных зданий в Чикаго, мониторинга движения земной поверхности в Японии, США и Австрии. Достоинства способа мониторинга инженерных сооружений.
статья, добавлен 31.07.2018Характеристика исследования структур, находящихся вне пределов видимости светового микроскопа и имеющих размеры менее одного микрона. Выявление компонентов изучаемых объектов и сохранение их структуры в условиях высокого вакуума под пучком электронов.
статья, добавлен 27.02.2016