О возможности радиовидения слоистых структур в экспериментах радиопросвечивания ионосфер планет
Увеличение чувствительности метода радиозатмений для обеспечения радиовидения слоистых структур. Распределение электронной концентрации по данным радиопросвечивания. Разделение вкладов атмосферы, шума и обнаружение слоистых структур в ионосфере Венеры.
Подобные документы
Возможности обеспечения необходимой разрешающей способности гидролокатора по дальности за счет кодирования зондирующих импульсов путем широкополосной модуляции. Использование мощности излучателя. Методы активной корреляционной обработки эхо-сигналов.
статья, добавлен 06.11.2018- 102. Шоттки диоды
Использование выпрямляющего электрического перехода между металлом и полупроводником на диоде. Выпрямительные свойства и устранение инжекции неосновных носителей зарядов. Эффект туннелирования. Варианты структур диодов Шотки с двухслойной базой.
контрольная работа, добавлен 17.10.2013 Биполярные и униполярные (полевые) транзисторы - базовые элементы большинства полупроводниковых интегральных схем. Изучение основных технологические процессов для формирования полупроводниковых структур. Локальное изменение типа проводимости кремния.
презентация, добавлен 01.03.2023Изучение вибрационной и ударной прочности изделий электронной техники, которые эксплуатируются на движущийся объект и находятся под влиянием ударов, виброударов и вибраций. Особенность обеспечения динамической прочности изделий электронной техники.
статья, добавлен 12.03.2020Методика проведення ультразвукових багаточастотних широкосмугових вимірів коефіцієнта відбиття досліджуваної структури, синтез фазо-часових характеристик. Інформаційна можливість методу стосовно задач ультразвукової товщинометрії і дефектоскопії.
автореферат, добавлен 15.11.2013Технологія матеріалів для напівпровідникових приладових структур. Одноелектронний турнікет. Методи синтезу напівпровідників та їх полі- і монокристалів та шарів цих матеріалів на підкладках. Властивості тунелювання, потенційних бар’єрів, хвилевої функції.
курсовая работа, добавлен 07.08.2013Основная классификация полупроводников и структур на их основе. Улучшение параметров транзисторов с помощью явления сверхинжекции. Проведение исследования гетеропереходных биполярных транзисторов на основе GaAs. Характеристика оптоэлектронных приборов.
презентация, добавлен 20.01.2022Тепловизионные системы, принципы их построения. Предельные характеристики приемных систем. Принцип действия структур с накоплением сигнала. Расчет параметров сканирующих систем. Максимальные значения обнаружительной способности фотоприемных устройств.
учебное пособие, добавлен 19.01.2015- 109. Метод оценки параметров распределения гауссовского шума для задач обнаружения импульсного сигнала
Решение задачи точечной оценки параметров сдвига и масштаба функции распределения аддитивного гауссовского шума при обнаружении на его фоне некогерентной последовательности однополярных импульсов. Разработка и реализация метода устойчивой оценки.
статья, добавлен 06.11.2018 Разработка алгоритма приближенного моделирования скрытых фрагментов инверсионно-хронопотенциометрического процесса совместного измерения массовой концентрации двух тяжелых металлов, позволяющий осуществить приближенное разделение массовой концентрации.
статья, добавлен 23.06.2016- 111. Топологія мереж
Загальна класифікація топологічних структур мереж: шинна, радіальна, кільцева, петлева, деревовидна, повнозв’язна. Фізична структура, середовище передачі, компоненти топологій. Адаптери і підсилювачі; способи доступу і управління; область застосування.
курсовая работа, добавлен 27.06.2015 Оценка возможности использования нового метода оценки отношения сигнал/шум, основанного на анализе статистических характеристик выбросов случайных процессов аддитивной смеси сигнала, шума. Пути повышения точности и помехоустойчивости работы канала связи.
статья, добавлен 30.10.2018- 113. Нанолитография
Ступени литографического процесса и их значение. Применение оптической литографии для получения структур наноразмерного масштаба. Литография с экстремальным ультрафиолетом, проекционная, лучевая: их применение. Ключевые параметры резиста и его значение.
презентация, добавлен 20.06.2012 Способ описания степени неупорядоченности активных слоев полупроводниковых приборов. Введение функциональной зависимости энергетического спектра на основе упрощенного построения дефектной решетки материала. Результаты экспериментальных исследований.
статья, добавлен 03.03.2012Медиадискурс как совокупность интра- и экстралингвистических структур, отражающих "фрагмент" действительности и аккумулирующих в себе иерархию знаний о происходящем. Качество информационного отображения деятельности человека в разных сферах жизни.
статья, добавлен 16.08.2021Загальна характеристика методів запобігання вмикання паразитних p-n-p-n структур в інтегральних транзисторних мікросхемах. Основний аналіз процесів переключення напівпровідникових будов та впливу на них електричних і магнітних полів, світла та радіації.
автореферат, добавлен 28.08.2014Радіаційна деградація та стійкість світловипромінюючих структур. Зв'язок випромінювальної компоненти струму з лінійним розподілом активаторів люмінесценції. Вольт-амперна характеристика моделі з безвипромінювальною рекомбінацією імпульсу нейтронів.
статья, добавлен 13.02.2016Изучение основных способов определения количественных характеристик устройств, обеспечивающих коррекцию динамических свойств проектируемых систем управления. Характеристика наиболее часто используемых в практике структур систем автоматического управления.
лабораторная работа, добавлен 05.06.2020Процедура оценки быстродействия микропрограммируемых структур с помощью Е-сетей. Особенности оценочных сетей, которые являются модификацией сетей Петри и могут быть использованы для создания общих моделей микропроцессорных устройств. Листинг программы.
реферат, добавлен 22.03.2011Анализ результатов экспериментов по кристаллизации излучательных структур на основе антимонида галлия, формируемых методом термомиграции расплава в полупроводниковой матрице. Разработка и реализация конструкционного решения светоизлучающего диода.
статья, добавлен 11.01.2018Оценка практической возможности использования параметров и характеристик аврорального овала. Сравнение местоположения модельных представлений его границ по модели NORUSCA, определяющего прохождение трансионосферных сигналов в полярной ионосфере.
статья, добавлен 17.11.2018Понятие типовых динамических звеньев как основных составных частей алгоритмических структур непрерывных систем управления. Характеристики звеньев – запаздывания, безинерционных, инерционных, интегрирующих и дифференцирующих. Их дифференциальные уравнения.
контрольная работа, добавлен 24.12.2012Розробка нових інтегральних мікроелектронних багатосенсорних кремнієвих структур з діелектричною ізоляцією (КСДІ). Створення вимірювальних перетворювачів неелектричних величин з широкими функціональними можливостями. Контроль товщини тонких плівок.
автореферат, добавлен 29.08.2014Микропроцессоры как основа современной компьютерной техники. Экспансия и следствия закона Мура. Транзисторы, их основные виды. Отладка кристаллов микросхем, их бесконтактная диагностика, анализ структур и электрические испытания. Кремниевая нанохирургия.
реферат, добавлен 30.09.2014Математична модель багатопроменевої сферичної дзеркальної антени зі спіральними випромінювачами різної конфігурації. Геометричні параметри випромінювача та його положення щодо дзеркала. Дослідження характеристик вхідного опору спіральних структур.
автореферат, добавлен 28.09.2015