Фотоіндуковані гратки просторового заряду в сегнетонапівпровідникових кристалах Sn2P2S6
Періодичне освітлення в фоточутливому матеріалі. Формування граток заряду. Дослідження фоторефрактивного ефекту. Можливості використання кристалів у пристроях динамічної голографії. Динаміка формування розподілу фотоіндукованого розсіювання світла.
Подобные документы
Дослідження ізохорної теплопровідності у молекулярних кристалах. Аналіз переносу тепла в затверділих інертних газах. Розрахунок внеску високочастотних мод у рамках дебаєвської моделі. Розсіювання фононів на флуктуаціях ближнього орієнтаційного порядку.
автореферат, добавлен 26.07.2014Аналіз енергетичного спектру локалізованих станів носіїв заряду в аморфних плівках кремнійорганічних сполук методом фракційного термовисвічування. Вплив фотодеградації на енергетичний розподіл локалізованих станів аморфних плівок поліметилфенілсілану.
автореферат, добавлен 25.02.2014Просвітлення плазмових бар’єрів для електромагнітних хвиль за тристадійним механізмом. Модуляція електронного пучка та просторового заряду. Встановлення закономірностей й особливостей стадій механізму просвітлення в реальних пучково-плазмових системах.
автореферат, добавлен 24.06.2014- 104. Випромінювальні остовно-валентні та міжконфігураційні переходи в галоїдних сцинтиляційних матеріалах
Взаємодія остовних дірок з електронними домішковими рівнями, розташованими вище вершини валентної зони кристала. Виявлення основних механізмів передачі енергії збудження до церієвих центрів у кристалах галоїдів шляхом рекомбінації гарячих носіїв заряду.
автореферат, добавлен 22.07.2014 Влив температури нітридизації, величини поруватості підкладок GaAs на кристалографічні, оптичні (комбінаційне розсіювання світла) властивості гетероепітаксійних плівок GaN. Залежність між величиною поруватості підкладок і типом кристалічної гратки плівок.
автореферат, добавлен 29.09.2014Дослідження електромеханічного перетворення та існуючих методів та теорій даного явища. Аналіз релаксаційних процесів у різних фазах сегнетоелектричних рідких кристалів. Дослідження електромеханічного зв'язку та параметричних ефектів в рідких кристалах.
автореферат, добавлен 11.08.2015Власна та домішкова провідність напівпровідників. Зростання електропровідності напівпровідника з ростом температури. Використання ефекту Холла. Енергетичні зони в кристалах, їх розщеплення. Обгрунтування позитивних та негативних сторін фотоопорів.
методичка, добавлен 16.07.2017Роль регулярних складових елементів кристалічної гратки та дефектів у формуванні оптичних характеристик (люмінесценція, поглинання, відбивання та діелектрична проникність) кристалів. Електронна структура ідеальних за будовою та дефектних кристалів PbWO4.
автореферат, добавлен 12.07.2014Фізичні властивості низькорозмірних напівпровідникових гетероструктур. Дослідження морфологічного переходу від двомірного псевдоморфного росту до трьохмірного в InxGa1-xAs/GaAs наноструктурах. Комбінаційне розсіювання світла в InAs/Al(Ga)Sb структурах.
автореферат, добавлен 30.10.2015Вивчення взаємодії з періодичними структурами і матеріалами мішені високопервеансних електронних потоків. Оцінка динаміки руху просторового заряду. Випромінювання і тепловий вплив триелектродних гармат. Дослідження фізичних процесів електронних потоків.
автореферат, добавлен 25.04.2014Моделювання процесів пружної взаємодії світла з неоднорідними анізотропно-гіротропними системами на прикладі типових хіральних рідких кристалів (РК). Швидкісні методи розрахунку параметрів світла, що пройшло через слабозакручені РК при похилому падінні.
автореферат, добавлен 25.06.2014Основні топології перетворювачів для формування зондувальної напруги в пристроях ядерного магнітного резонансу. Характеристика використання звичайних показників оцінки несинусоїдальних сигналів. Визначення нових коефіцієнтів для аналізу сигналу Хана.
статья, добавлен 29.07.2016Дослідження короткотривалої релаксації надструктури неспівмірних фаз кристалів тетраметиламін-тетрахлорметалатів, а також вивчення впливу електричного поля на поведінку хвилі модуляції в умовах "в’язкої взаємодії" в кристалах [N(CH3)4]2МеCl4 (Me=Cu, Zn).
автореферат, добавлен 14.09.2014Визначення сутності прозорої дифракційної гратки. Порядок розрахунку довжини хвилі джерела світла, а також роздільної здатності дифракційної гратки та інтенсивності дифракційних максимумів. Визначення значення темнового струму за допомогою люксметра.
лабораторная работа, добавлен 13.07.2017Використання світлодіодних лінійних ламп та світлодіодних прожекторів в освітлювальних пристроях. Електричні та світлові параметри світлодіодних пристроїв, їх основні переваги в порівнянні з люмінесцентними та галогенними джерелами випромінювання.
статья, добавлен 29.11.2016Дослідження зміни мікромеханічних властивостей кремнію під впливом слабкого постійного магнітного поля. Вплив зовнішніх факторів (рентгенівського опромінення, водних, хімічних розчинів) на характер релаксації магнітомеханічного ефекту в кристалах кремнію.
автореферат, добавлен 27.08.2014Дослідження ізобарної та ізохорної теплопровідності простих молекулярних кристалів. Дослідження впливу теплового розширення на процеси фононного розсіяння в орієнтаційно-упорядкованих та орієнтаційно-неупорядкованих фазах простих молекулярних кристалів.
автореферат, добавлен 12.07.2015Деформаційна залежність від пружного вигину, повної інтегральної відбивної здатності монокристалів з випадково розподіленими дефектами. Теорія розсіяння випромінювань у кристалах. Характер розподілу дифрагованої інтенсивності у просторі оберненої гратки.
автореферат, добавлен 07.08.2014Посилення електромагнітного випромінювання в процесі розсіювання електрона на ядрі в полі світлової хвилі. Математичні властивості спеціальних функцій, характеристика багатофотонних процесів. Використання щільних нерелятивістських електронних пучків.
автореферат, добавлен 25.08.2014Ознайомлення з прозорою дифракційною граткою. Визначення довжини хвилі джерела світла, а також роздільної здатності дифракційної гратки та інтенсивності дифракційних максимумів. Опис будови установки з гелій-неонового лазера, дифракційної гратки, екрана.
лабораторная работа, добавлен 13.07.2017Роль іонних процесів у формуванні простих і агрегатних центрів забарвлення та в їх термо-, фотоіндукованих перетвореннях у кристалах галогенідів двовалентних металів. Дослідження електричних, оптичних, радіаційних властивостей кристалів галогенідів барію.
автореферат, добавлен 10.01.2014Впровадження внутрішньобудинкових систем освітлення на основі світлодіодних джерел світла, шляхом застосування мереж живлення постійного струму в поєднанні з симетруючим тиристорним регулятором напруги, чим забезпечується зменшення відхилення напруги.
статья, добавлен 14.01.2017Фактори, що впливають на показники якості освітлення міст. Дослідження передачі команд керування і контролю в освітлювальних мережах. Аналіз процесів у мережах установок і систем зовнішнього освітлення та заходи для практичного використання результатів.
автореферат, добавлен 29.08.2015Використання світлодіодних лінійних ламп та світлодіодних прожекторів в освітлювальних пристроях. Електричні та світлові параметри світлодіодних пристроїв, їх основні переваги в порівнянні з люмінесцентними та галогенними джерелами випромінювання.
статья, добавлен 29.11.2016Дослідження властивостей багатошарових InxGa1-xAs/GaAs наноструктур, InAs/AlSb гетероструктур з квантовими ямами. Модель процесу формування квантових точок, що впливають на зміну оптичних спектрів фотолюмінесценції, розсіювання світла цих гетероструктур.
автореферат, добавлен 27.08.2014