Шари складних сполук на поверхні Cu, GaAs та ZnSe, утворення яких індуковано жорстким ультрафіолетовим випромінюванням (100-300 нм) у атмосфері хлору
Процеси фазоутворення на поверхні Cu, GaAs, ZnSe в атмосфері хлору, стимульованих впливом УФ випромінювання. Дослідження залежності квантового виходу фотореакцій від тиску активного газу, температури підкладки, часу експозиції та енергії фотонів.
Подобные документы
Огляд фізичних властивостей домішок Mn у GaAs, домішкових і вакансійних дефектів у політипах SiC і парамагнітних дефектів у поруватому кремнії і кремнієвих матеріалах, в яких утворюються нанокристаліти. Електронна структура домішок і дефектів у кристалах.
автореферат, добавлен 28.10.2015Дослідження взаємодії із поверхнею твердого тіла іонів низьких енергій. Пошук нових систем газ-тверде тіло, ефективних при збудженні частинками низьких енергій. Аналіз нетрадиційних способів одержання люмінофорів при поверхневих способах збудження.
автореферат, добавлен 14.07.2015Дослідження впливу електричної компоненти надвисокочастотного поля на спектр електронного спінового резонансу домішки Mn у кристалах GaAs. Розрахунок електронної структури та параметрів надтонкої взаємодії для ряду дефектів у SiC і кремнієвих матеріалах.
автореферат, добавлен 25.08.2014Густина води та її зміна в залежності від температури. Значення поверхневого натягу в процесах утворення хвиль на поверхні води. Визначення швидкості течії та витрати за допомогою поверхневих поплавків. Розрахунок аналітичної кривої забезпеченості водою.
контрольная работа, добавлен 27.03.2014Дослідження змін рекомбінаційних процесів у бінарних сполуках сульфіду кадмію при варіюванні параметрів надвисокочастотного опромінювання. Вплив слабких магнітних полів на випромінювальну рекомбінацію в напівпровідниках з різною морфологією поверхні.
автореферат, добавлен 29.09.2014Оптичні методики вивчення особливостей процесів фотолюмінесценції та комбінаційного розсіювання світла у самоіндукованих наноострівцевих структурах CdSe/ZnSe. Технологічні параметри отримання квантових точок в одношарових та багатошарових наноструктурах.
автореферат, добавлен 11.08.2014Визначення структурних змін на поверхні та в приповерхневих шарах карбіду кремнію під дією лазерного опромінення в залежності від режимів випромінювання. Вплив лазерного опромінення на мікроструктурні та фізичні властивості широкозонних напівпровідників.
автореферат, добавлен 20.07.2015Аналіз моделі поглинання випромінювання для оптоелектронного напівпровідникового транспаранта з двохвильовим керуванням, оцінка адекватності запропонованої моделі. Аналіз залежності коефіцієнта поглинання GaAs/AlGaAs при різних прикладених напругах.
статья, добавлен 28.02.2017Вплив легування різними концентраціями активних домішок на деякі оптичні, електричні і термоелектричні властивості керамік. Моделі, які пояснюють природу центрів люмінесценції в ZnSe і механізми впливу на структурні дефекти легуючих домішок літію і міді.
автореферат, добавлен 27.04.2014Дослідження перебудови домішково-дефектних станів у сполуках під дією високочастотного електромагнітного випромінювання. Вивчення модифікації структури напівпровідників. Вплив випромінювання на спектр дефектних станів напівпровідникових кристалів.
автореферат, добавлен 29.09.2015Вивчення основних закономірностей впливу ефектів розупорядкування на оптичні властивості та фазові переходи в складних халькогенідах та халькогалогенідах. Дослідження фізичних процесів, що відбуваються під впливом температури, тиску, опромінення.
автореферат, добавлен 25.06.2014Вивчення впливу одновісної пружної деформації на фотоелектричні властивості та рекомбінаційні механізми вузькозонних напівпровідників CdxHg1-xTe та InSb. Процес генерації стимульованого випромінювання. Ударна іонізація напівпровідників електричним полем.
автореферат, добавлен 25.06.2014Розвиток існуючих наукових уявлень про вплив електронної підсистеми кристала на процеси формування складу поверхні та випаровування бінарних кристалів типу, які мають різну ступінь іонності. Експериментальна установка для комплексних досліджень.
автореферат, добавлен 28.06.2014Опис методу обчислення конфігурації ближнього поля поверхні напівпровідника з неоднорідним розподілом носіїв заряду під нею. Створення методик обраховування параметрів поверхні - коефіцієнта дифузії, часу релаксації, швидкості поверхневої рекомбінації.
автореферат, добавлен 26.09.2015Дослідження залежності похибки вимірювання температури методом комбінаційного розсіювання світла від відстані між досліджуваним об’єктом та приймачем відбитого випромінювання та від інтенсивності фонового випромінювання. Вплив фонового випромінювання.
статья, добавлен 14.09.2016Встановлення залежності енергетичних і силових характеристик низькорозмірних металевих систем від розмірів і форми поверхні. Дослідження квантових розмірних ефектів в субатомних металевих структурах. Поверхнева енергія і робота виходу електронів.
автореферат, добавлен 28.07.2014Акустична емісія в напівпровідникових світловипромінюючих структурах при протіканні електроструму. Акустичний відгук в монокристалах при дії на їх поверхню наносекундного лазерного випромінювання. Динаміка дефектоутворення напівпровідникових структур.
автореферат, добавлен 26.09.2015- 43. Дослідження неоднорідностей морської поверхні методами багаточастотного радіолокаційного зондування
Дистанційні багаточастотні радіолокаційних методи дослідження неоднорідностей морської поверхні оцінки параметрів плівок поверхнево-активних речовин, що розлиті на морській поверхні, визначення меж потужних морських течій та виявлення енергоактивних зон.
автореферат, добавлен 23.02.2014 Pозробка фізико-математичних моделей та аналіз термодинаміки процесу нітридизації GaAs. Дослідження морфології, фотолюмінесцентних та структурних властивостей нанопоруватих підкладок. Створення гетероструктур на основі монокристалічних і поруватих сполук.
автореферат, добавлен 27.08.2014Морфология поверхности исследуемых композитных пленок, а также зависимость модификации их рельефа от вида и концентрации вводимого наполнителя. Обоснование структурирования поверхности с максимальной степенью кристалличности при значениях х=2–6 масс%.
статья, добавлен 21.06.2018Розробка способів створення тонких рідких прошарків і методики контролю їх товщини. Умови формування приповерхневих структурованих шарів в надтонких прошарках немезогенів. Вплив мікроструктури поверхні підкладки на параметри епітропної фази немезогенів.
автореферат, добавлен 30.07.2015Аналіз проблеми виникнення витоків газу через корозію труб. Вивчення методів прогнозування тривалості процесу фільтрації газу (до появи його на поверхні ґрунту), радіусу ареалу загазованості території, а також характеру і величини витрат газу в атмосферу.
статья, добавлен 24.11.2016Механизмы формирования механических напряжений в пленках и структурах контактов. Механизмы повышения воспроизводимости и стабилизации параметров приборных структур на основе GaAs, GaP и InP с барьером Шоттки, сформированным аморфными пленками TiBx.
автореферат, добавлен 23.05.2018Конфігурація електричних полів. Іонізаційні процеси в газі. Утворення стримера. Закон Пашена. Вплив часу прикладання напруги на електричну міцність газової ізоляції. Розряд вздовж провідної та забрудненої поверхні ізолятора. Вимірювання високих напруг.
дипломная работа, добавлен 31.08.2012Дослідження електронно-стимульованих явищ у кріокристалах інертних елементів Ne та Xe, опромінених іонізуючим випромінюванням. Механізм релаксації у системі локалізованих заряджених часток, на основі випромінювальної рекомбінації домішкових атомів.
автореферат, добавлен 14.07.2015