Обратимые отказы интегральных микросхем в полях радиоизлучения

Проведение анализа результата экспериментальных исследований воздействия радиоизлучения на современные интегральные микросхемы и электронную аппаратуру. Сопоставление уровней обратимых отказов в работе микросхем с уровнями функциональных сбоев аппаратуры.

Подобные документы

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.