Исследование свойств полупроводников методом эффекта Холла
Характеристика, возникновения гальваномагнитных явлений - эффектов Холла, Эттингсгаузена, термомагнитных – Риги-Ледюка, Нернста-Эттингсгаузена. Процесс накопления носителей заряда. Температурная зависимость подвижности носителей заряда в полупроводнике.
Подобные документы
- 26. Эффект Холла
Причины появления электрического поля в проводнике с током, помещённом в магнитное поле. Объяснение эффекта Холла с помощью электронной теории, его проявления в ферромагнетиках, полупроводниках и на инерционных электронах. Назначение датчика ЭДС Холла.
реферат, добавлен 05.06.2010 - 27. Эффект Холла
Эффект Холла в ферромагнетиках и полупроводниках, при примесной проводимости, при собственной проводимости, на инерционных электронах в полупроводниках. Квантовый и спиновый эффект Холла. Измерение эффекта Холла на образцах прямоугольной формы.
реферат, добавлен 03.06.2015 Общая теория гальваномагнитных явлений и магнетосопротивление. Классический эффект Холла в металлах, полупроводниках и ферромагнетиках, а также его приложениях в науке и технологии. Свойства и методика создания наносистем пониженной размерности.
учебное пособие, добавлен 12.02.2016- 29. Эффект Холла
Эффектом Холла как возникновение поперечного электрического поля и разности потенциалов в проводнике или полупроводнике, по которым проходит ток, при помещении их в магнитное поле, перпендикулярное к направлению тока. Ход температурной зависимости.
курсовая работа, добавлен 25.02.2015 Энергетические диаграммы примесных полупроводников. Концентрация носителей заряда и удельная проводимость, факторы, влияющие на нее. Инвертирующий усилитель: схема, принцип работы, коэффициент усиления, условия и факторы эффективного применения.
контрольная работа, добавлен 11.03.2015Определение подвижности носителей заряда в системе, состоящей из органической матрицы на основе поливинилкарбазола, легированной сферическими нанокристаллами (СНК). Исследование фотолюминесценции СНК CdSe/CdS, помещенных в трехмерный фотонный кристалл.
автореферат, добавлен 18.11.2018Понятие и сущность электродинамики, характеристика электрического заряда и электромагнитного поля. Процесс сообщения телу электрического заряда, исследование закона Кулона. Свойства электрического заряда, взаимодействие неподвижных электрических зарядов.
презентация, добавлен 13.03.2021Описание и свойства вещества в диспергированном состоянии. Особенности обмена свободных носителей заряда через границу раздела металл-полупроводник. Анализ одиночной металлической сферической частицы в полупроводниковой электронной невырожденной матрице.
реферат, добавлен 23.10.2010Общая характеристика полупроводников, их строения и принципа действия. Определение понятий диффузионного и дрейфового токов. Построение соотношения Эйнштейна. Определение диффузии и дрейфа неравновесных носителей заряда с разными вариантами проводимости.
реферат, добавлен 05.11.2017- 35. Время релаксации
Рекомбинация – это переход электрона из зоны проводимости в валентную зону, в результате чего исчезает пара свободных носителей. Основные механизмы генерации носителей заряда по типам электронных переходов. Максвелловское время релаксации, понятие и вид.
курсовая работа, добавлен 23.09.2020 Исследование эффектов слабой локализации и антилокализации, электрон-электронного воздействия. Анализ их роли в формировании температурных и магнитополевых зависимостей проводимости двумерных систем. Спектр носителей заряда в полупроводниковых системах.
автореферат, добавлен 29.03.2013Рассмотрение результатов создания и исследования работы новой универсальной макромодели датчика тока на основе эффекта Холла для программ схемотехнического моделирования, использующих язык SPICE. Схемотехническое моделирование семейства Micro-Cap.
статья, добавлен 27.02.2019Исследования величины потенциала затвора, позволяющие определить его влияние на прохождение электронов. Сложные явления переноса носителей в полевом транзисторе Шоттки. Уравнения, связывающие скорость носителей заряда и напряженность электрического поля.
статья, добавлен 31.07.2018История возникновения электричества, сущность электрического заряда и характеристика его видов. Понятие атома, его строение. Описание закона сохранения электрического заряда, специфика закона Кулона. Электрическое поле, взаимодействие заряженных тел.
реферат, добавлен 10.12.2014Исследование рассеяния излучения легированным кристаллическим германием в спектральном диапазоне 2,3-25,0 мкм. Зависимость величины рассеяния от вида легирующего компонента. Процессы генерации, диффузионного переноса и рекомбинации носителей заряда.
статья, добавлен 30.11.2018Механизмы взаимосвязи магнитных и электрических свойств исследуемых материалов при изменении температуры, магнитного поля и концентрации носителей заряда. Анализ свойств на основе конфигурационной многоэлектронной модели энергетической структуры.
автореферат, добавлен 02.03.2018Классический метод измерения сопротивления при помощи резистивного моста. Вычисление удельного сопротивления, температурного коэффициента сопротивления металла. Определение энергии активации примесей в полупроводнике. Закон Ома и формула Друде-Лоренца.
лабораторная работа, добавлен 03.10.2011Циклотронный резонанс - резонансное поглощение электромагнитной энергии электронными проводниками, помещёнными в постоянном магнитном поле, на частотах, равных или кратных циклотронной частоте носителей заряда. Носители заряда в постоянном магнитном поле.
контрольная работа, добавлен 18.11.2015Общая характеристика, методы получения и области применения графена. Теоретические и экспериментальные исследования его свойств. Отличия свойств материала от других двумерных структур. Исследование кристаллической решетки, проводимости и эффекта Холла.
контрольная работа, добавлен 27.06.2013Физические основы внутреннего фотоэффекта. Образование экситонов и возникновение свободных носителей заряда. Характеристика оптоэлектронной интегральной микросхемы. Схема сканирования и считывание информации. Применение фотодиода в оптоэлектронике.
контрольная работа, добавлен 12.12.2016Эффект Холла. Параметры и основные характеристики датчиков Холла, их изготовление и применение. Погрешности преобразователей, их динамические характеристики. Магниторезистивный эффект, метрологические характеристики, виды и применение магниторезисторов.
практическая работа, добавлен 17.02.2015Численное диффузионно-дрейфовое моделирование процессов переноса и накопления носителей заряда в гетероструктуре TiO2 / перовскит / полупроводник p-типа. Анализ фотоэлектрических характеристик солнечных элементов. Обоснование оптимальной толщины пленки.
статья, добавлен 30.07.2017Основные гальваномагнитные эффекты. Классический эффект Холла в металлах, полупроводниках, диэлектриках и ферромагнетиках. Методика создания наносистем пониженной размерности. Квантовый эффект Холла. Альтернативные теории дробного квантового эффекта.
учебное пособие, добавлен 14.12.2015Граничные условия для протекания тока в условиях квантового эффекта Холла в средах с границами. Механизы протекания краевых холловских токов через границы гетерогенных сред. Особенности применения метода Дыхне на случай бездиссипативных холловских фах.
автореферат, добавлен 26.07.2018Взаимодействие тока с магнитным полем Э. Холла. Влияние магнитного поля на электроны проводимости. Зависимость поляризации света от координаты перпендикулярном току. Метод электрического удельного сопротивления и постоянной в теории Ван-дер-Пау.
курс лекций, добавлен 23.09.2015