Основы микроэлектроники
Структура, типы и параметры полупроводниковых транзисторов. Типы проводимости и управляющих переходов. Способы изоляции элементов интегральных микросхем. Схемы включения и режимы работы трёхполюсников. Измерение коэффициента передачи тока и напряжения.
Подобные документы
Режимы работы диодов источников питания и транзисторов в электронных схемах, установление связи между параметрами указанных приборов и параметрами электронных схем, в которых они работают. Характеристики выпрямительных схем и стабилизаторов напряжения.
методичка, добавлен 18.05.2010Понятие и методы технологического контроля при изготовлении интегральных схем. Особенности пооперационного, визуального контроля и тестовых интегральных микросхем. Основные виды контрольных испытаний: параметрические, функциональные, диагностические.
реферат, добавлен 01.09.2013Принципы подачи электроэнергии номинального значения на предприятия и измерение напряжения. Определение коэффициента трансформации и расчет нагрузки. Обеспечение заданного класса точности измерений. Изучение конструкции трансформаторов напряжения.
реферат, добавлен 03.01.2015Методика исследования вольтамперных характеристик диодов. Анализ результатов измерения стабилитрона. Типовые схемы включения полупроводниковых диодов и области их применения. Порядок определения параметров исследованных полупроводниковых приборов.
лабораторная работа, добавлен 22.05.2022Характеристика, назначение и комплектация цифрового измерителя сопротивления изоляции MIC-5000. Органы управления и техника безопасности при его эксплуатации. Схемы включения прибора, измерения сопротивления изоляции трансформатора методом трех контактов.
лабораторная работа, добавлен 07.04.2015Осуществление управления током в выходной цепи за счет изменения входного напряжения или тока. Характеристика принципа действия и способов применения транзисторов. Улучшение параметров транзисторов BISS за счет изменения конструкции зоны эмиттера.
реферат, добавлен 08.06.2021Общие сведения о транзисторах. Характеристика принципа работы биполярных транзисторов, особенности схемы их включения и разновидности. Биполярные транзисторы с изолированным затвором. Влияние частоты на усилительные свойства биполярных транзисторов.
реферат, добавлен 12.11.2013Описание схем и работы источников вторичного электропитания с линейным и импульсным регулированием. Принципы повышения коэффициента полезного действия трансформаторов. Расчет однокаскадного параметрического стабилизатора напряжения постоянного тока.
курсовая работа, добавлен 23.08.2014- 109. Полевой транзистор
История создания полевых транзисторов, их схемы включения и устройство прибора с управляющим p-n переходом, классификация. Характеристика транзисторов с изолированным затвором (МДП-транзисторы). Основные области применения различных полевых транзисторов.
реферат, добавлен 07.12.2010 Электроника как наука, ее основы и значение. Особенности этапов ее развития, основные открытия и изобретения ученых-физиков. Специфика развития серийного производства интегральных микросхем. Классификация дискретных элементов и интегральных схем.
контрольная работа, добавлен 09.01.2011Сравнительная характеристика и свойства полупроводников и диэлектриков. Динамический режим работы биполярных транзисторов. Классификация и маркировка микросхем. Параметры и характеристики усилителей. Режим работы транзистора в усилительных каскадах.
контрольная работа, добавлен 30.11.2016- 112. Полевой транзистор
Изучение активных полупроводниковых приборов, управляемых электрическим полем. История создания полевых транзисторов и их классификация. Исследование приборов с управляющим p-n-переходом и изолированным затвором. Схемы включения и область применения.
реферат, добавлен 14.05.2015 Эффект изменения проводимости приповерхностного слоя полупроводника на границе с диэлектриком под воздействием поперечного электрического поля. Особенности транзисторов с изолированным затвором со встроенным каналом. Канал проводимости тока в пластине.
доклад, добавлен 24.06.2013Явления электронной эмиссии. Физическая природа эффекта Шотки. Физические основы полупроводниковых приборов. Устройство и характеристики полевого и биполярного транзисторов. Методы изоляции транзисторных структур. Классификация запоминающих устройств.
реферат, добавлен 11.05.2017Изучение схемы включения и исследование статических характеристик полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. Описание структуры и расчет стоковых и передаточных параметров транзистора. Сигнальные параметры и дифференциальное сопротивление стока.
лабораторная работа, добавлен 21.07.2013Изучение возможных механизмов, вызывающих деградацию и катастрофические отказы микросхем в полях мощного радиоизлучения. Обзор моделей, используемых для анализа механизмов повреждения современных интегральных микросхем при воздействии радиоизлучения.
статья, добавлен 30.10.2018Микроэлектроника как комплекс конструкторских, технологических и схемотехнических вопросов проектирования и изготовления радиоэлектронных приборов с использованием интегральных микросхем, имеющих малые габариты, массу и повышенную механическую прочность.
реферат, добавлен 20.11.2012История изобретения полупроводниковых приборов диода и транзистора, принципы их работы и дальнейшее применение. Разработка и появление интегральных микросхем, особенности их применения. Технологии изготовления элементной базы для электронной техники.
реферат, добавлен 09.12.2015- 119. Полевые транзисторы
Конструкция полевых транзисторов с р-п переходом. Определение коэффициента усиления усилителя. Переходная и выходная характеристики полупроводника (кремний, германий) р-типа электропроводности. Зависимость тока стока от напряжения на затворе и стоке.
лекция, добавлен 01.09.2013 Параметры преобразования импеданса. Потенциометрические дифференциальные включения и мостовые перемещения переменного тока. Характеристики автогенератора и его усилителя. Дифференциальные схемы, используемые для уменьшения аддитивных погрешностей.
контрольная работа, добавлен 13.05.2015Широкое применение интегральных микросхем в цифровой электронике. Разработка структурной схемы устройства автоматизации, управляющего нагревательным элементом печи. Выбор серии интегральных микросхем, датчиков, источников питания, устройства согласования.
курсовая работа, добавлен 25.03.2015Выпрямительные диоды. Эксплуатационные параметры диода. Эквивалентная схема выпрямительного диода для работы на сверхвысоких частотах. Импульсные диоды. Стабилитроны (опорные диоды). Основные параметры и вольт-амперная характеристика стабилитрона.
презентация, добавлен 20.07.2013Понятие электродов биполярных транзисторов. Полярность напряжения на коллекторе относительно эмиттера необходимая для работы биполярных n-p-n транзисторов. Особенность выбора величины постоянного напряжения на коллекторе при резистивной нагрузке.
контрольная работа, добавлен 28.12.2014- 124. Основы электроники
Понятие элементной базы устройств полупроводниковой электроники. Особенности классификации, вольт-амперных. Характеристики диодов, транзисторов, основные схемы включения и особенности их применения в конкретных приборах в различных режимах работы.
учебное пособие, добавлен 24.09.2014 Функции, механические свойства и технические требования к подложкам интегральных микросхем. Определение суммарного припуска на механическую обработку и коэффициента использования материала. Ломка подложек на платы. Сущность процесса скрайбирования.
курсовая работа, добавлен 03.12.2010