Осаждение нитрида кремния
Нанесение изображения через маску 2-го уровня (углубление) используя фотолитографию и глубинное реактивное ионное травление. Изучение осаждения 1-ого слоя оксида, используя LPCVD. Удаление ненужного поликремния, используя реактивное ионнное травление.
Подобные документы
Оптимальные конструкции резонаторных сверхвысокочастотных плазмотронов. Методы плазмохимического внутреннего осаждения оптических структур заготовок специальных двухслойных волоконных световодов на основе кварцевого стекла, легированного фтором и азотом.
статья, добавлен 07.11.2018Построение модели неоднородности электроосаждения нанонитей и нахождение решений по снижению неоднородности осаждения нанонитей в поры. Исследование основных причин возникновения неоднородности в процессе электроосаждения, влияние режимов на процессы.
дипломная работа, добавлен 11.08.2020Разработка устройства, которое обеспечит сбор и передачу информации через пакетную радиосвязь общего пользования GPRS. Методика повышения эффективности и качества передачи информации через пакетную радиосвязь с использованием GSM/GPRS модуля типа PIML.
статья, добавлен 18.02.2016Принцип работы и структура прибора с зарядовой связью. Достоинства и ограничения ПЗС. Сечение трёхфазного ПЗС с электродами из поликристаллического кремния и с виртуальной фазой. Запоминающее устройство на ПЗС, способ управления записью информации.
реферат, добавлен 14.10.2015Уникальная технология получения монокремния. Структура части высоковольтного N-МОП тиристора. Характеристики транзистров с частичным обеднением кремния. Возможности синтеза полупроводниковых многослойных тонкоплеточных структур в космическом вакууме.
презентация, добавлен 24.05.2014Основные этапы производства: выращивание диоксида кремния и создание проводящих областей, тестирование, изготовление корпуса. Технологические этапы создания микропроцессоров. Процесс легирования и диффузии. Формирование структуры с помощью фотолитографии.
статья, добавлен 12.12.2012Характеристика полупроводников. История развития транзисторных технологий. Характеристика химической связи в аморфных полупроводниках. Общая характеристика оптических спектров поглощения аморфных полупроводников. Структура связей аморфного кремния.
реферат, добавлен 15.05.2015Обоснование метода контроля уровня радиотеплового излучения в полосе атомарного водорода при внесении источников радиоактивности различной мощности. Установление связи уровня флуктуаций радиоволн с уровнем радиации в областях, пронизываемых излучением.
статья, добавлен 04.11.2018Моделирования энергомощностных и температурных характеристик для диодных биполярной структуры и структуры с барьером Шоттки на основе кремния при воздействии последовательности импульсов СВЧ электромагнитного излучения. Роль тепловой релаксации.
статья, добавлен 30.10.2018Статистические характеристики флуктуаций уровня выходного сигнала гомодинного преобразователя, возникающие при использовании в его составе неидеального дискретного фазовращателя. Влияние параметров дискретного фазовращателя на фазу проходящего сигнала.
статья, добавлен 02.09.2013- 111. Исследование и разработка устройства измерения и регулирования уровня минеральной воды в скважине
Проблемы измерения уровня минеральной воды в скважине. Способы измерения уровня жидкости, с использованием современных датчиков давления. Устройство, принцип работы датчика измерителя. Технико-экономическое обоснования проекта. Безопасность труда.
дипломная работа, добавлен 09.11.2008 Описание основных технических требований к конструкции лазерного датчика для измерения уровня воды. Характеристика базовых принципов создания и структурной схемы автоматизированной системы для постоянного контроля уровня воды в открытых водоемах.
статья, добавлен 27.05.2018Определение свойств тел и их поведения в электрическом поле. Рассмотрение образования электронов проводимости в полупроводниках на примере кремния. Процесс проводимости в чистых полупроводниках. Контакт полупроводников с различными типами проводимости.
реферат, добавлен 24.11.2015Задачи, требующие измерения уровня жидких и сыпучих продуктов. Измерение уровня жидких субстанций и конечной продукции в резервуарах и трубах. Учет объема и массы при погрузке и выгрузке, контроль утечек, контроль аварийных ситуаций. Буйковые уровнемеры.
реферат, добавлен 02.02.2017Анализ технологических операций при изготовлении тонкопленочных солнечных элементов. Изменение удельной электропроводности кремниевой пленки. Применение лазерного отжига. Выбор оптимальной мощности для получения наилучших электрофизических параметров.
статья, добавлен 29.07.2017Оксид цинка - прямозонный полупроводником, обладающий большими потенциальными возможностями применения в качестве материала для фотоприемников, светодиодов, прозрачных контактов, элементов солнечных ячеек и других элементов для тонкопленочной электроники.
статья, добавлен 30.05.2017Планирование в нулевом приближении сети GSM в городе. Произведение оптимального выбора частотных каналов. Расчет числа сот в сети и потерь на трассе. Максимальное удаление в соте абонентской станции (АС) от базовой станции (БС). Мощность передатчиков.
контрольная работа, добавлен 20.01.2016Резонатор, состоящий из акустоэлектрического преобразователя на основе пьезоэлектрической пленки оксида цинка и Брэгговского акустического отражателя на основе 5 пар слоев пленок молибдена и алюминия. Параметры элементов электрической схемы резонатора.
статья, добавлен 02.02.2019Рассмотрение влияния поверхностного электрического заряда состояний Тамма и Шокли на прохождение радиоизлучения через теплозащитные панели антенн космических аппаратов в слоях атмосферы. Прохождение радиоизлучения через границы плоскослоистой среды.
статья, добавлен 04.11.2018Краткий обзор системы управления Navis: программное обеспечение, поддержка сред и др. Определение сетевого элемента и частичная синхронизация базы данных. Добавление и удаление кросс-соединения. Мультисервисная платформа Metropolis ADM Universal.
курсовая работа, добавлен 25.02.2016Условия распространения радиоволн внутри помещений. Расчет прохождения радиосигнала и потерь на трассе. Изменение мощности сигнала в результате его отражения. Определение коэффициента прохождения волны через стены, перегородки и другие слоистые среды.
реферат, добавлен 04.08.2013Ряд моделей для прогнозирования уровня радиосигнала в СПР, их сравнительная характеристика, оценка преимуществ и недостатков: модель Окамуры, Хата и Ли, Классификации местностей по данным моделям. Факторы, которые могут влиять на значение уровня сигнала.
контрольная работа, добавлен 04.04.2013Основные виды уровнемеров, их устройство и промышленное изготовление. Уровнемеры, применяемые для измерения уровня угля в металлургической промышленности, конструкция датчиков уровня и радиолокационного уровнемера, их технические характеристики.
курсовая работа, добавлен 09.06.2014Технологии создания приборов с элементами наночастиц. Моделирование процесса ионной имплантации структуры, состоящей из наночастиц золота в матрице диоксида кремния. Расчеты распределения легирующих ионов, каскадов смещенных ионов матрицы и наночастицы.
статья, добавлен 08.04.2019Рассмотрение схемы коммутации абонентов через сеть транзитных узлов. Определение последовательности транзитных узлов и их интерфейсов, через которые надо передавать данные, чтобы доставить их адресату. Процесс оповещения сети о выбранном маршруте.
реферат, добавлен 20.01.2016