Технологии производства микроактюаторов
Характеристика кремниевой объёмной микрообработки. Рассмотрение маскирования полимерами и тонкими плёнками. Изучение прохождения химического осаждения из паровой фазы при пониженном давлении поликристаллического кремния или фосфорокварцевого стекла.
Подобные документы
Обоснование роли оптоэлектронных элементов, воспроизведенных методами интегральной технологии, среди средств передачи информации. Характеристика силленитов, используемых для систем оптической связи. Стадии производства пленочного лазерного элемента.
дипломная работа, добавлен 29.10.2013Изучение разновидностей систем тарификации сетей мобильного широкополосного доступа. Рассмотрение сетей с прямой зависимостью стоимости услуги от максимальной скорости передачи данных. Процесс прохождения тарификации трафика в сетях четвертого поколения.
статья, добавлен 26.07.2018Классификация и применение оптического волокна. Процесс его производства на основе кварцевого стекла. Требования к волоконно-оптической арматуре, ее основные производители. Преимущества спиральной арматуры по сравнению с традиционными конструкциями.
реферат, добавлен 07.12.2012Особенности распространения электромагнитных волн в ионосфере. Результаты статистического моделирования прохождения сверхширокополосных сигналов через ионосферу и характеристика основных показателей возникающих искажений. Анализ результатов моделирования.
статья, добавлен 28.10.2018Современное состояние производства гибких печатных плат. Технологические методы и оборудование для нанесения проводящего слоя на полимерную пленку. Рассмотрение методов повышения адгезионной способности покрытий. Классификация гибких печатных плат.
диссертация, добавлен 23.12.2013Телекоммуникационные технологии автоматической идентификационной системы. Понятие сети электронных вычислительных машин. Изучение сервера базы данных, тополигии вычислительных сетей. Рассмотрение базовой эталонной модели взаимодействия открытых сетей.
реферат, добавлен 18.05.2014Устройство для контроля твердой фазы пылегазового потока, его преимущества. Характеристика проблем при использовании пьезоэлектрических преобразователей. Методы решений для исключения самовозбуждения схемы согласования. Результаты испытания устройства.
статья, добавлен 30.05.2017Статистические характеристики алгоритма оценки фазы сверхширокополосного квазирадиосигнала с неизвестной длительностью, наблюдаемого на фоне гауссовского белого шума. Исследование влияния априорного незнания длительности сигнала на точность оценки фазы.
статья, добавлен 02.04.2019Условия распространения радиоволн внутри помещений. Расчет прохождения радиосигнала и потерь на трассе. Изменение мощности сигнала в результате его отражения. Определение коэффициента прохождения волны через стены, перегородки и другие слоистые среды.
реферат, добавлен 04.08.2013Основные этапы производства: выращивание диоксида кремния и создание проводящих областей, тестирование, изготовление корпуса. Технологические этапы создания микропроцессоров. Процесс легирования и диффузии. Формирование структуры с помощью фотолитографии.
статья, добавлен 12.12.2012Характеристика полупроводников. История развития транзисторных технологий. Характеристика химической связи в аморфных полупроводниках. Общая характеристика оптических спектров поглощения аморфных полупроводников. Структура связей аморфного кремния.
реферат, добавлен 15.05.2015Изучение особенностей технологии FTTx. Рассмотрение дерева с пассивным оптическим разветвлением PON (P2MP). Характеристика основных оптических компонентов сети. Анализ схемы магистрального участка пассивной оптической сети. Расчет оптического бюджета.
курсовая работа, добавлен 26.05.2019Рассмотрение параметров и архитектуры технологии LTE. Характеристики беспроводного доступа MIMO. Формирование максимальной площади покрытия сети LTE. Методы обеспечения требуемой емкости для исследуемой технологии мобильной радиопередачи информации.
дипломная работа, добавлен 24.12.2013Анализ прохождения периодической последовательности импульсов через электрические фильтры с реальными элементами. Разложение исходной функции в ряд Фурье. Расчет номинальных величин элементов фильтра. Входное сопротивление нагруженного четырехполюсника.
курсовая работа, добавлен 03.05.2014Биполярные и униполярные (полевые) транзисторы - базовые элементы большинства полупроводниковых интегральных схем. Изучение основных технологические процессов для формирования полупроводниковых структур. Локальное изменение типа проводимости кремния.
презентация, добавлен 01.03.2023Видеодисплейные модули - источник электромагнитного излучения, содержащего информационный сигнал, который может быть перехвачен и восстановлен. Тестовый кадр - эталонный показатель, который используется для оценки качества маскирования видеосигнала.
статья, добавлен 03.05.2019Спектры тригонометрического, комплексного ряда Фурье. Расчет корреляционной функции для периодического сигнала. Поиск выражения фазовой модуляции. Анализ прохождения сигнала через апериодический усилитель. Анализ случайного процесса (плотности колебания).
контрольная работа, добавлен 18.12.2014Определение и анализ сущности радиочастотной идентификации. Ознакомление со схемой подключения ридера. Рассмотрение действий, которые выполняет разработанный скетч. Изучение процесса подключения библиотек и установки начальных настроек программы.
статья, добавлен 01.03.2019Технологии создания приборов с элементами наночастиц. Моделирование процесса ионной имплантации структуры, состоящей из наночастиц золота в матрице диоксида кремния. Расчеты распределения легирующих ионов, каскадов смещенных ионов матрицы и наночастицы.
статья, добавлен 08.04.2019Определение свойств тел и их поведения в электрическом поле. Рассмотрение образования электронов проводимости в полупроводниках на примере кремния. Процесс проводимости в чистых полупроводниках. Контакт полупроводников с различными типами проводимости.
реферат, добавлен 24.11.2015Представлены результаты разработки лабораторной технологии получения высокоапертурных волоконных световодов и планарных оптических волноводов методом PCVD. Использование неизотермической плазмы резонансного локального СВЧ-разряда пониженного давления.
статья, добавлен 07.11.2018Недостатки кремниевой полупроводниковой памяти в электронике. Сравнение различных современных технологий памяти. Проблема сопряжения наноустройств с устройствами традиционной схемотехники. Перспективы уменьшения техпроцесса памяти и процессоров.
статья, добавлен 22.03.2018Расчет параметров и характеристик МОП-транзисторов на основе дырочного кремния, со встроенным каналом. Изучение понятия и сущности транзисторов, анализ их основных видов. Классификация полевых транзисторов. Анализ концентрации легирующей примеси в канале.
курсовая работа, добавлен 14.06.2020- 49. Твердотельные СВЧ-модули для радиотехнической аппаратуры и систем миллиметрового диапазона длин волн
Презентация научно-технического и производственно-технологического потенциала исследовательского института "Орион" в области создания твердотельных СВЧ-модулей, которые изготавливаются на собственных кремниевой и арсенид-галлиевой технологических линиях.
статья, добавлен 02.12.2017 Эволюция оптических сетей доступа. Принцип работы, структура и свойства технологии PON. Использование технологии PON в сетях доступа. Анализ проекта участка сети доступа по технологии PON. Оценка схемы построения. Перспективные направления технологии PON.
дипломная работа, добавлен 12.04.2019