Особенности выбора транзисторов в интегральных малошумящих усилителях
Условия согласования интегрального малошумящего усилителя с источником сигнала, результаты моделирования зависимостей коэффициента передачи по напряжению и коэффициента шума от длины эмиттера биполярного транзистора и ширины затвора МОП транзистора.
Подобные документы
Физические свойства транзистора как усилительного элемента. Назначение Усилителя "З-1": схема электрическая принципиальная, принципы работы. Описание рабочего места для проведения экспериментальных исследований схемы Усилителя "З-1", техника безопасности.
отчет по практике, добавлен 25.10.2012Выбор и обоснование структурной схемы усилителя мощности. Определение числа каскадов усиления по напряжению. Вычисление номинального сквозного коэффициента передачи. Расчет цепи термостабилизации. Построение карты напряжений и токов моделируемой схемы.
курсовая работа, добавлен 15.01.2022Устройство плоскостного биполярного транзистора. Концентрация основных носителей заряда. Схемы включения биполярных транзисторов. Статические характеристики биполярных транзисторов. Простейший усилительный каскад. Режимы работы и область применения.
реферат, добавлен 23.08.2009Определение коэффициента передачи аналогового тракта и коэффициента ослабления синфазного сигнала. Расчет согласующего усилителя. Выбор схемы устройства. Блоки гальванической развязки. Преобразователи постоянного напряжения. Расчет фильтра нижних частот.
курсовая работа, добавлен 09.02.2019Разработка топологического чертежа микросхемы усилителя промежуточной частоты. Расчет мощности, длины резистивной пленки, площади, коэффициента нагрузки резистора; максимальной удельной емкости, длины и ширины диэлектрического слоя конденсатора.
курсовая работа, добавлен 28.02.2010Расчет рабочей точки усилителя. Расчет схем термостабилизации транзистора. Расчёт параметров схемы Джиаколетто и эмиттерной коррекции. Промежуточный каскад. Искажения, вносимые входной цепью. Расчет входной корректирующей цепи и коэффициента усиления.
курсовая работа, добавлен 15.06.2014Назначение, устройство, система обозначения и способы изготовления транзисторов. Получение электронно-дырочных переходов в полупроводниковом приборе. Особенности биполярного низкочастотного транзистора NPN. Его техническая спецификация и сфера применения.
реферат, добавлен 16.06.2014Структурная схема усилителя с одноканальной обратной связью. Выбор транзистора и расчет режима работы выходного каскада. Выбор схемы цепи усиления и расчет по постоянному току. Расчет коэффициента усиления и параметров АЧХ. Принципиальная схема.
курсовая работа, добавлен 25.05.2010Основные области применения транзисторов. Схема лабораторного источника питания. Включение биполярного транзистора в ключевом режиме. Переделка узла управления для устройства плавного включения ламп накаливания. Схемы базовых элементов ТТЛ и КМОП.
доклад, добавлен 29.08.2013Экспериментальное определение параметров транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером. Использование эквивалентных схем, основанных на представлении транзистора как активного линейного четырехполюсника. Измерение напряжения коллектора транзистора.
лабораторная работа, добавлен 22.10.2012Полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрического тока и управления. Устройство и конструкция диффузиозно-сплавного транзистора структуры p–n–p. Включение p–n–p транзистора по схемах общего эмиттера, общей базы и общего коллектора.
реферат, добавлен 29.01.2014Выбор транзистора для выходного каскада. Расчет схемы температурной стабилизации тока покоя выходного транзистора. Основное требование, предъявляемое к выходному каскаду импульсного усилителя. Обеспечение заданной амплитуды импульса на нагрузке.
курсовая работа, добавлен 06.11.2014Исследование структурных элементов передатчика. Принципиальная схема усилителя мощности с выходной цепью согласования. Методика расчета мощности рассеивания транзистора. Определение основных условий для возникновения фильтрации в цепи согласования.
курсовая работа, добавлен 31.10.2016Определение координат точки покоя напряжения питания прибора. Построение статической и динамической линий нагрузки, выбор транзистора. Графоаналитический расчет параметров усилителя. Определение hэ-параметров и физических параметров транзистора.
реферат, добавлен 27.11.2013Структура и принцип действия биполярного транзистора. Схема его включения и выключения с общей базой, общим эмиттером и коллектором. Температурные и частотные свойства транзистора. Анализ и расчет усилительного каскада по постоянному и переменному току.
курсовая работа, добавлен 04.04.2015Ячейка флэш-памяти на основе МОП-транзистора: её структура и особенности. Обобщенная стокозатворная характеристика транзисторов различного типа. Обзор полевых транзисторов с изолированным затвором. Распространение транзисторов с управляющим p-n-переходом.
презентация, добавлен 20.07.2013Выбор режима работы мощного усиления. Расчет способа включения транзистора и точки покоя по семейству выходных характеристик транзистора. Расчет коэффициента трансформации, активных сопротивлений первичной и вторичной обмоток выходного трансформатора.
курсовая работа, добавлен 10.01.2016Факторы, ограничивающие возможность использования низкочастотных транзисторов в сверхвысокочастотном диапазоне. Устройство и принцип действия биполярного транзистора. Уменьшение толщины и легирование базы. Представление СВЧ БТ эквивалентными схемами.
реферат, добавлен 20.01.2016Выбор режима работы транзистора. Определение сопротивления делителя в цепи базы, параметров транзистора по статическим характеристикам и элементов схемы по напряжению, коэффициентов усиления и нелинейных искажений каскада. Выбор резисторов, конденсаторов.
курсовая работа, добавлен 20.01.2014Построение нагрузочной кривой на графике выходных характеристик транзистора и проходной характеристики. Расчет входного сопротивления и коэффициента усиления с учетом обратной связи. Расчет промежуточного каскада усилителя и разделительных конденсаторов.
курсовая работа, добавлен 28.06.2015Структурная схема усилителя и распределение искажений по каскадам. Определение требуемого режима транзистора, термостабилизации, эквивалентной схемы замещения и коэффициента усиления. Искажения, вносимые входной цепью. Расчёт разделительных ёмкостей.
курсовая работа, добавлен 15.06.2014Исследование особенностей работы полевых транзисторов. Изучение структуры полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. Способы изоляции управляющего электрода от управляемого токопроводящего канала. Образование индуцированного канала транзистора.
презентация, добавлен 20.07.2013Особенность изготовления дискретного биполярного транзистора. Усиление или генерация колебаний портативными радиоприемниками. Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Проведение исследования правил пользования пробником индикатором.
курсовая работа, добавлен 18.04.2016Понятие, виды и принцип действия полевых транзисторов. Структурная схема и характеристики полевого транзистора с управляющим p-n переходом. Особенности полевых транзисторов с изолированным затвором и встроенным каналом. Схемы включения транзисторов.
реферат, добавлен 24.04.2017Выбор режима работы транзистора. Расчет сопротивления делителя в цепи базы и мощности резистора. Физические малосигнальные параметры П-образной схемы замещения биполярного транзистора. Определение параметров каскада. Оценка его нелинейных искажений.
курсовая работа, добавлен 20.08.2017