Особенности применения электрорадиоэлементов
Маркировка резисторов, конденсаторов, диодов, транзисторов, тиристоров, интегральных микросхем. Определение, классификация, основные характеристики и параметры усилителей. Рассмотрение влияния обратных связей на характеристики и параметры усилителя.
Подобные документы
Режимы работы диодов источников питания и транзисторов в электронных схемах, установление связи между параметрами указанных приборов и параметрами электронных схем, в которых они работают. Характеристики выпрямительных схем и стабилизаторов напряжения.
методичка, добавлен 18.05.2010Рассмотрение методики исследований интегральных микросхем на стойкость в электромагнитных полях импульсного радиоизлучения. Изучение повреждений печатных плат радиоэлектронной аппаратуры. Анализ нарушений работоспособности интегральных микросхем.
статья, добавлен 30.10.2018Расчетные характеристики и принцип работы усилителей мощности звука низкой частоты, их классификация: ламповые, транзисторные. Функции и назначение дросселей, механизм передачи сигнала и его коррекция. Ремонт и регулировка усилителя, выбор магнитопровода.
курсовая работа, добавлен 26.04.2015Понятие обратной связи между цепями усилителя, ее виды. Структурные схемы усилителей с обратной связью. Определение коэффициента усиления усилителя. Анализ изменений амплитудно-частотных характеристик усилителя при введении отрицательной обратной связи.
контрольная работа, добавлен 27.03.2016Обозначения буквенно-цифровые в электрических схемах. Кодированное обозначение номинального сопротивления, допуска и примеры обозначения. Цветовая и кодовая маркировка номинального сопротивления и допуска отечественных резисторов. Маркировка диодов.
отчет по практике, добавлен 18.02.2019Исследование влияния входной цепи сверхвысокочастотного отражательного транзисторного усилителя, с последовательной положительной обратной связью, на основные характеристики. Особенность уточненных выражений для расчета коэффициентов передачи и шума.
статья, добавлен 30.10.2018Основные статические параметры транзистора. Показатели динамического режима транзисторного усилителя. Принципиальная схема усилительного каскада. Расчет транзисторного каскада, работающего в ключевом режиме. Определение параметров схемы мультивибратора.
контрольная работа, добавлен 03.06.2018Влияние кремниевой подложки на частотные показатели биполярного транзистора. Конструктивные средства снижения ее влияния на параметры аналоговых блоков на основе триода. Зависимость напряжения помехи в подложке от частоты и расстояния до источника помехи.
статья, добавлен 29.05.2017Принцип работы, основные характеристики и методики наладки транзисторных реле на интегральных микросхемах. Назначение и технические параметры устройства защиты от однофазных замыканий, дифференциальной защиты различных типов, промежуточных реле.
методичка, добавлен 30.10.2015Расчет автоколебательного мультивибратора: выбор напряжения источника, выбор транзистора, расчет сопротивления резисторов и хронирующего конденсатора. Параметры ждущего мультивибратора, его транзисторов и резисторов. Проверка условия восстановления схемы.
курсовая работа, добавлен 28.08.2012- 86. Защита кристаллов полупроводниковых приборов и интегральных микросхем от воздействий внешней среды
Понятие и функциональные особенности интегральных микросхем, эксплуатационные и технологические требования к ним. Виды корпусов данных микросхем, современный этап развития: керамические, пластмассовые, металлополимерные. Методы герметизации пластмассами.
курсовая работа, добавлен 11.03.2012 Основные параметры и характеристики спутниковой радиолинии (СРЛ): перестройка антенны, энергетические параметры СРЛ, места установки антенны, системные параметры приемного оборудования. Влияние помех мешающих ИСЗ на величину помехозащищенности систем.
практическая работа, добавлен 11.12.2010Классификация полевых транзисторов. Частотные, шумовые, тепловые и вольт-амперные характеристики. Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом. Схемы включения полевых транзисторов. Ключевой режим работы. Области применения полевых транзисторов.
курсовая работа, добавлен 21.12.2015Выбор усилителя звуковых частот. Определение числа каскадов. Расчет цепей питания и термостабилизации. Построение структурной схемы передатчика. Основные параметры генератора. Выбор и расчёт предоконечного транзистора. Расчёт блокировочных конденсаторов.
курсовая работа, добавлен 10.09.2015Основы физики полупроводников. Классификация диодов, биполярных транзисторов. Структура и принцип действия тиристоров. Полупроводниковые приборы с зарядной связью. Приборы на квантово-размерных эффектах. Электролюминесцентные и пленочные излучатели.
учебное пособие, добавлен 08.09.2015Логические микросхемы, использующие структуры металл-окисел-полупроводник. Отличительная особенность серии КР1561 от К561. Логика работы микросхем с идентичными буквенно-цифровыми обозначениями после номера серии. Основные параметры серий микросхем.
доклад, добавлен 07.09.2012- 92. Усилители
Усилители электрических сигналов, их параметры и принципы работы. Структурная схема усилительного каскада. Входная и коллекторные характеристики транзистора. Области применения усилителей постоянного тока. Схемы и диаграммы работы дифференцирующих цепей.
лекция, добавлен 09.12.2013 Обзор принципа действия устройства звукового оповещения. Обоснование элементной базы. Выбор головки динамической, конденсаторов, микросхем, резисторов и транзисторов. Расчет печатной платы и надежности устройства. Описание конструкции электронного звонка.
курсовая работа, добавлен 14.02.2015Принцип действия биполярных транзисторов. Технология изготовления полупроводниковых микросхем на основе биполярных транзисторов с диэлектрической изоляцией. Структура полупроводниковых ИМС на основе биполярного транзистора. Метод диэлектрической изоляции.
курсовая работа, добавлен 20.11.2011Характеристика типов усилителей электрических сигналов, сущность принципа их работы, практическое применение в радиосвязи и радиовещании, дальней проводной связи. Особенности расчёта каскада усилителя низкой частоты и разделительных конденсаторов.
контрольная работа, добавлен 13.06.2013Разработка гибридной интегральной микросхемы усилителя с помощью метода масочного формирования ГИС. Приведены методы расчета тонкопленочных резисторов и конденсаторов, материалов подложки, навесных элементов. Площадь занимаемая пленочными элементами.
контрольная работа, добавлен 25.05.2012Области применения и технические характеристики датчиков температуры. Особенности полупроводниковых температурных датчиков. Преимущества и недостатки датчиков на основе диодов и транзисторов, терморезисторов и пленочных полупроводниковых приборов.
реферат, добавлен 06.08.2010Принципы работы операционного усилителя в различных схемах включения. Анализ влияния гамма-излучения на основные характеристики. Схемотехническое моделирование характеристик с учётом влияния гамма-излучения. Определение радиационно-зависимых параметров.
дипломная работа, добавлен 23.12.2015Влияние температуры на прямую и обратную ветвь диода. Классификация диодов по их назначению. Основные параметры выпрямительных, импульсных диодов. Электрический и туннельный пробой. Время установления прямого напряжения на диоде (прямого сопротивления).
лекция, добавлен 06.09.2017Характеристика понятия, свойств инверторов. Вольтамперные характеристики инвертора. Технологический маршрут создания инвертора на основе двух полевых транзисторов с барьером Шоттки. Изучение технологий, используемых в создание инвертора на основе GaAs.
курсовая работа, добавлен 08.01.2018