Гетеропереходы и гетероструктуры
Основная классификация полупроводников и структур на их основе. Улучшение параметров транзисторов с помощью явления сверхинжекции. Проведение исследования гетеропереходных биполярных транзисторов на основе GaAs. Характеристика оптоэлектронных приборов.
Подобные документы
Разработка структурной и принципиальной схем устройства. Параметры и характеристики бескорпусных транзисторов. Вычисление сопротивления в цепи эмиттера. Нахождение коэффициента передачи тока базы. Дифференциальный каскад на биполярных транзисторах.
курсовая работа, добавлен 22.02.2014Методы анализа линейных усилительных каскадов в частотной области. Исследование биполярных и полевых транзисторов. Особенность изучения усилителей с обратной связью. Сущность аналоговых перемножителей сигналов. Устройства вторичных источников питания.
учебное пособие, добавлен 17.11.2015Выполнение принципиальной схемы интегрирующего аналого-цифрового преобразователя. Выбор типа тактового генератора, определение биполярных транзисторов. Расчёт мощности, потребляемой от источника питания. Построение передаточной характеристики устройства.
курсовая работа, добавлен 03.12.2014Фундамент развития электроники и создания электронных приборов. Изобретение лампы накаливания. Создание электровакуумного диода и приемо-усилительных радиоламп. Предпосылки появления транзисторов, интегральных микросхем. Этапы развития микроэлектроники.
дипломная работа, добавлен 07.07.2014Принцип работы транзисторной импульсной и цифровой техники. Ключи на биполярном транзисторе. Применение генератора синусоидальных колебаний: преобразование энергии источника постоянного тока в переменный. Генератор с трансформаторной обратной связью.
лекция, добавлен 09.12.2013Характеристики и параметры оптоэлектронных элементов и устройств: источники и приемники оптического излучения, оптроны, индикаторные устройства. Физические основы работы, конструкция и технологии изготовления, области применения оптоэлектронных приборов.
учебное пособие, добавлен 07.08.2013Требования к монтажу кристаллов MOS-транзисторов. Технологии пайки эвтектическим сплавом золото-кремний и припоями из сплавов металлов. Особенности монтажа на токопроводящую клеевую композицию. Подготовка поверхности для обеспечения процесса пайки.
дипломная работа, добавлен 28.08.2018Изучение влияния ионизирующего излучения на МОП-транзисторы. Генерация электронно-дырочных пар. Измерение и анализ характеристик схем после воздействия ионизирующего излучения. Описание среды моделирования LTSpice. Анализ характеристик транзисторов.
дипломная работа, добавлен 01.12.2019Структура биполярных транзисторов типов. Движение носителей заряда в транзисторе типа п-р-п. Включение транзистора типа п-р-п по схеме с общим эмиттером. Структура и схема включения полевого транзистора. Вольт-амперные характеристики триодного тиристора.
лекция, добавлен 09.12.2013Результаты проектирования и экспериментального исследования монолитного малошумящего усилителя диапазона частот 30–37,5 ГГц на GaAs рНЕМТ-гетероструктурах. Сущность методики проектирования транзисторных усилителей на основе гетероструктурной технологии.
статья, добавлен 26.09.2014Анализ прогресса в изготовлении транзисторов. Влияние попадания тяжелых заряженных частиц на работу транзисторов и КМОП-ячейки памяти. Моделирование воздействия заряженных частиц при разных размерах и разной температуре. Влияние радиации на транзисторы.
дипломная работа, добавлен 28.11.2019Функциональная схема радиоприемного устройства, расчет радиоприемника. Усиление несущей, промежуточной и звуковых частот. Параметры полевого и биполярных транзисторов. Функциональная микросхема К174ПС1. Описание работы и электрическая схема РПУ.
курсовая работа, добавлен 25.08.2014Применение полупроводниковых гетероструктур в телекоммуникациях, основанных на лазерах с двойной гетероструктурой, малошумящих транзисторах. Изучение деградации излучающих свойств материалов на основе InGaN с помощью прецизионных измерений потока света.
реферат, добавлен 03.06.2014- 114. Полевые транзисторы
Рабочий участок выходной характеристики транзистора. Неудобство полевых транзисторов. Питание цепи затвора и стока. Определение коэффициента усиления усилителя на основе полевого транзистора. Зависимость тока стока от напряжения на затворе и стоке.
лекция, добавлен 30.07.2013 Анализ режима работы схемы по постоянному току. Рассмотрение последовательности операций планарно-эпитаксиальной технологии. Выбор конструкции транзисторов в составе ИС. Расчет параметров обедненных слоев. Определение параметров диффузионных процессов.
курсовая работа, добавлен 19.09.2015Рассмотрен опыт разработки и расчета основных характеристик усилительных каскадов, а так же в активизации самостоятельной учебной работы студентов, пользоваться справочной литературой, определять параметры и эквивалентные схемы биполярных транзисторов.
курсовая работа, добавлен 23.04.2014Развитие технологий биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT), совмещение в одном приборе лучших свойства полевого и биполярного транзистора. Устройство и особенности работы, целесообразность применения в дискретном и модульном исполнениях.
реферат, добавлен 25.09.2009Понятие, классификация и принцип работы электронного усилителя. Типы электронных усилителей, их параметры и характеристики. Сравнительный анализ основных параметров усилителей с различным включением транзисторов в схемах. Разработка печатной платы.
курсовая работа, добавлен 28.08.2013Характеристики полупроводниковых приборов, имеющих два p-n перехода, пригодных для усиления мощности электрических сигналов. Принцип инжекции носителей в базу транзистора. Свойства коллекторного перехода. Отличия кремниевого и германиевого транзисторов.
реферат, добавлен 24.04.2017Интерес производителей электронного оборудования к производству преобразователей частоты на основе IGBT-модулей. Причины и условия пробоя транзисторов и диодов в модулях, рекомендации по их монтажу и эксплуатации, позволяющие предотвратить выход из строя.
статья, добавлен 16.01.2017Буквенно-цифровой код в основе системы условных обозначений интегральных микросхем отечественного производства. Многофункциональные аналоговые и цифровые устройства, обозначение их элементов и звеньев (матриц, триггеров, резисторов, транзисторов).
лекция, добавлен 30.08.2012Входные характеристики при включении транзистора по схеме с общим эмиттером. Характеристики управления при включении транзистора по схеме. Параметры и эквивалентные схемы биполярных транзисторов. Эквивалентная схема в виде модели Эбертса-Молла (вид).
презентация, добавлен 23.09.2016Характеристика структурной схемы измерителя S-параметров волноводного четырехполюсника, реализующего модуляционный метод измерения. Анализ способов измерения параметров волноводных элементов с помощью устройств на основе направленных ответвителей.
контрольная работа, добавлен 28.07.2013Исследование активного и ключевого режимов работы усилительного элемента. Цепи подачи смещения. Использование способа автоматического смещения в каскадах на электронных лампах и полевых транзисторах. Стабилизация рабочей точки биполярных транзисторов.
реферат, добавлен 07.01.2015Типы полупроводниковых приборов. Электронные процессы в полупроводниках. Характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодов, светодиодов, фотоприемников. Квантовый эффект Холла, микроминиатюризация и приборы наноэлектроники.
книга, добавлен 19.03.2015