Діагностика напівпровідникових перетворювачів із застосуванням вейвлет-функцій m-ічного аргументу
Аналіз напівпровідникових перетворювачів як об'єктів діагностування, розгляд методів обробки діагностичних даних. Розробка підходів до діагностування напівпровідникових перетворювачів на основі вейвлет-спектрів часових залежностей їх струмів та напруг.
Подобные документы
Фізичні основи роботи піросенсорів. Робота піроелектрика в зовнішніх електричних колах навантаження і підсилення. Методи побудови мікроелектронних перетворювачів теплової потужності у частоту. Методи вимірювання температури на основі піроелектриків.
статья, добавлен 24.12.2018Встановлення закономірностей фізичних процесів, що протікають у детекторах гамма-випромінювання на основі напівпровідникових сполук CdTe і CdZnTe. Методи поліпшення характеристик детекторів, створення на їхній основі дозиметричних блоків детектування.
автореферат, добавлен 22.07.2014Розгляд особливостей електронного спектра, хімічного зв’язку, оптичних, термодинамічних та структурних властивостей напівпровідникових твердих розчинів заміщення. Розробка підходу до аналізу термодинамічної стабільності невпорядкованих твердих розчинів.
автореферат, добавлен 27.07.2014Фізичні основи технології створення низькорозмірних і об'ємних напівпровідникових структур та їх електричні, фотоелектронні та оптичні властивості. Розрахунок параметрів енергетичного спектра напівпровідникових чотирикомпонентних твердих розчинів.
автореферат, добавлен 24.06.2014Дослідження та розробка теоретичних основ, принципів і методології створення поліфункціональних електромеханічних перетворювачів. Розробка математичних і програмних засобів для підвищення ефективності їх проектного синтезу, аналізу та оптимізації.
автореферат, добавлен 26.07.2014- 31. Комп’ютеризований комплекс дослідження фільтруючих ланок для споживачів з нелінійним навантаженням
Впровадження напівпровідникових пристроїв управління, які покращують роботу технологічних об’єктів, викликаючи при цьому негативні електромагнітні явища. Підключення силових напівпровідникових пристроїв за допомогою комутаційних фільтруючих елементів.
статья, добавлен 21.06.2016 Розробка методики вимірювань параметрів напівпровідникових кристалів кремнію в умовах контрольованого ультразвукового навантаження. Дослідження температурної залежності поперечної акустоелектричної напруги в шаруватій системі п’єзоелектрик-напівпровідник.
автореферат, добавлен 23.02.2014- 33. Концентраційні аномалії властивостей в напівпровідникових твердих розчинах на основі телуриду свинцю
Проведено дослідження кристалічної структури, механічних, теплових, гальваномагнітних та термоелектричних властивостей напівпровідникових твердих розчинів на основі телуриду свинцю в системах PbTe-MnTe та PbTe-GeTe в залежності від складу і температури.
автореферат, добавлен 12.07.2014 Формулювання проблеми підвищення якості електроенергії на вході та виході напівпровідникових перетворювачів частоти і напруги з широтно-імпульсною модуляцією. Визначення гармонічного складу і показників якості вихідної напруги автономного інвертора.
автореферат, добавлен 20.07.2015Розробка методів підвищення точності контролю параметрів сипких матеріалів при використанні резонансних високочастотних перетворювачів. Моделі параметричної класифікації рівнів вологості за корельованими вихідними сигналами резонансного перетворювача.
автореферат, добавлен 14.09.2014Аналіз особливостей моделювання підсилення в лазерах з об'ємними й квантоворозмірніми шарами. Вплив температурних ефектів на оптичне підсилення лазерів. Розробка комп'ютерної моделі для дослідження напівпровідникових лазерів різних конструкцій.
автореферат, добавлен 22.02.2014Акустична емісія в напівпровідникових світловипромінюючих структурах при протіканні електроструму. Акустичний відгук в монокристалах при дії на їх поверхню наносекундного лазерного випромінювання. Динаміка дефектоутворення напівпровідникових структур.
автореферат, добавлен 26.09.2015Поняття напівпровідникових матеріалів та пристроїв. Електронно-дірковий перехід та його властивості. Класифікація напівпровідникових діодів, їх різновиди та функціональні особливості. Опис і властивості арсеніду галію. Розрахунок параметрів діоду АД110А.
контрольная работа, добавлен 14.04.2015Аналіз основних структурних змін, що відбуваються у напівпровідникових кристалах при легуванні шляхом імплантації та при наступних технологічних обробках. Встановлення ролі легуючої домішки бору в утворенні електрично-активних кисневмісних комплексів.
автореферат, добавлен 07.08.2014Удосконалення теорії спектрів квазічастинок. Визначення впливу взаємодій класичних і квантованих полів на оптичні властивості середовища та пошук на цій основі новітніх матеріалів для потреб наноелектроніки. Стан бістабільності в екситонній області.
автореферат, добавлен 27.07.2015Аналіз впливу термічної обробки монокристалічних напівпровідникових матеріалів. Характеристика дислокаційно-домішкових структур та розсіянь рентгенівських променів. Дослідження анізотропії полів напруг кремнію з впорядкованою дислокаційною конструкцією.
автореферат, добавлен 29.08.2014Теорія фононного та поляронного станів в анізотропних напівпровідникових квантових ямах. Залежність середньої кількості віртуальних фононів полярона від хвильового вектора. Аналіз енергетичного спектра в гетероструктурах із плоскою квантовою ямою.
автореферат, добавлен 25.08.2015Дослідження властивостей наноструктурованих металізованих напівпровідникових підкладок для спектроскопії поверхнево підсиленого комбінаційного розсіювання світла. Морфологічні параметри срібних острівцевих плівок, сформованих на кремнієвій основі.
автореферат, добавлен 29.07.2015Аналіз та класифікація відомих конструкцій магнітоелектричних перетворювачів, виявлення їхніх недоліків. Розроблення рекомендацій щодо зменшення масо-габаритних показників МЕП при одночасному покращенні вихідних характеристик та енергетичних показників.
автореферат, добавлен 06.07.2014Ознайомлення з основними видами світлових перетворювачів світлової енергії придатних для використання в текстилі. Аналіз втрат сонячного випромінювання при трансформації його в електричну енергію, що визначається фундаментальними обмеженнями фотоефекту.
статья, добавлен 24.06.2017Дослідження електро- та фотофізичних властивостей плівок напівпровідникових молекулярних композитів на основі полімерів і полікомплексів азобензолу і гетерополіядерних комплексів з координованими іонами металів. Здійснення голографічного запису.
автореферат, добавлен 30.07.2015Застосування приладів для вимірювання і графічного відображення вольт-амперних характеристик. Величина транспортно-заготівельних витрат. Калькуляція собівартості вимірювача вольт-амперних характеристик напівпровідникових елементів. Розрахунок амортизації.
контрольная работа, добавлен 19.10.2012Теорія системного аналізу електромагнітних процесів у напівпровідникових перетворювачах модуляційного типу. Створення нових структур інверторів напруги та алгоритмів управління ними у напівпровідникових перетворювачах зі змінними та постійними напругами.
автореферат, добавлен 13.07.2014Встановлення закономірностей впливу розмірних ефектів на магнітні та термоелектричні властивості надграток EuS-PbS. Можливість існування в напівпровідникових НГ EuS-PbS міжшарової обмінної взаємодії феромагнітних шарів через немагнітні прошарки.
автореферат, добавлен 28.07.2014Основы вейвлет-анализа и пакетного вейвлет-преобразования, как мощного и гибкого средства исследования данных. Разработка алгоритма, целесообразности и этапов вейвлет-анализа для сжатия осциллограмм с целью уменьшения нагрузки на каналы передачи данных.
статья, добавлен 08.05.2013