Полупроводниковые датчики температуры
Выявление основных областей использования полупроводниковых датчиков температуры в системах регулирования. Рассмотрение характеристики датчиков на основе диодов, транзисторов, терморезисторов, а также пленочных полупроводниковых датчиков температуры.
Подобные документы
- 101. Датчики
Классификация датчиков, основные требования к ним. Принцип действия термопреобразователей сопротивления. Поплавковый датчик уровня. Классификация гигрометров по принципу работы. Статическая характеристика нереверсивного потенциометрического датчика.
контрольная работа, добавлен 17.06.2013 Аналитическое описание процессов флуктуаций в результате самоорганизации упругих полей сдвиговых напряжений и деформации, а также температуры пленки смазки. Описание влияния величины времени корреляции исследуемых флуктуаций на фазовую диаграмму.
реферат, добавлен 24.10.2010Основные проблемы теплового баланса Е области ионосферы Земли, методика расчета высотного профиля температуры ее электронов. Анализ результатов расчета профиля электронной температуры на высотах 100-170 км в зависимости от зенитного угла Солнца.
дипломная работа, добавлен 31.10.2017Характеристики идеального цикла Ренкина. Сопряженное повышение начальной температуры и давления пара. Промежуточный или повторный перегрев пара. Предельная и частичная регенерация. Анализ влияния начальной температуры пара на эффективность цикла Ренкина.
реферат, добавлен 08.12.2012Диаграмма состояния воды: общее описание. Физический смысл диаграммы состояния воды. Диаграмма состояния серы. Уравнение Клаузиуса-Клайперона: общая форма. Зависимость давления насыщенного пара от температуры, а также температуры плавления от давления.
реферат, добавлен 12.07.2013Снятие вольтамперной характеристики фотоэлектрического модуля U=f(I). Снятие зависимости тока короткого замыкания фотоэлектрического модуля от его температуры. Анализ зависимости напряжения холостого хода фотоэлектрического модуля от его температуры.
методичка, добавлен 01.11.2021Материал, который при определенных условиях приобретает сверхпроводящие свойства при понижении температуры. Полное исчезновение электрического сопротивления проводника при его охлаждении ниже критической температуры. Применение сверхпроводников.
контрольная работа, добавлен 11.10.2015Планирование режимных параметров и технико-экономических показателей в сфере обеспечения функционирования электроэнергетики. Построение графика зависимости электропотребления от среднесуточной температуры с помощью программного комплекса "Энергостат-1".
практическая работа, добавлен 28.01.2015Акселерометр как прибор, измеряющий проекцию кажущегося ускорения. Устройство, принцип действия и характеристики акселерометра линейных ускорений. Применение датчиков в пилотажно-навигационных системах самолетов. Формирование сигналов обратной связи.
лекция, добавлен 06.02.2017Выявление основных структурных и схемотехнических аспектов построения аппаратных средств преобразования сигналов тензометрических датчиков. Исследования и анализ основных метрологических характеристик. Особенности путей снижения погрешностей измерения.
статья, добавлен 02.02.2019Сущность и предназначение термисторов, их характеристика и преимущества. Конструкции терморезисторов, выбор и расчет датчика для него. Определение измерительного механизма вольтамперметров. Конструкция монокристаллического полупроводникового алмаза.
реферат, добавлен 16.05.2015Структурная схема канала измерения температуры. Расчет значения суммарной погрешности канала измерения температуры. Средства измерения, входящие в измерительный канал. Определение значения предельной допустимой погрешности и коэффициента корреляции.
контрольная работа, добавлен 03.03.2014Синтез измерительной системы, ее статические характеристики. Обоснование выбора термоэлектрического преобразователя. Анализ и расчет погрешностей системы измерения температуры воды. Определение метрологической точности ее работы при заданных условиях.
курсовая работа, добавлен 25.09.2014Характеристика и закономерности изменений в составе систем объемных и поверхностных свойств. Описание рентгенографических, электронно-микроскопических, электрофизических исследований определения кислотно-основных свойств полупроводниковых материалов.
статья, добавлен 02.02.2019Причины возникновения временной нестабильности в чувствительных элементах датчиков давлений на основе карбида кремния. Рассмотрение схемы температурной компенсации высокоомного терморезистора. Характеристики полупроводникового чувствительного элемента.
статья, добавлен 06.05.2018Краткая техническая характеристика датчика давления. Принципы реализации: тензометрический, пьезорезистивный метод. Регистрация сигналов датчиков. Волоконно-оптический и оптоэлектронный принцип измерения. Вид выходного сигнала. Степенью защиты прибора.
реферат, добавлен 03.05.2017- 117. Особенности диода
Исследование характеристик и принципов действия импульсных и высокочастотных диодов. Ознакомление с историей диода Ганна — типа полупроводниковых диодов, использующихся для генерации и преобразования колебаний. Анализ технологии изготовления диода.
контрольная работа, добавлен 27.10.2015 - 118. Пирометрия пламени
Использование методов эмиссионной и адсорбционной спектроскопии для измерения температуры пламени. Зависимость испускательной способности абсолютно черного тела от волны и температуры. Выражение спектральной плотности мощности излучения для реальных тел.
статья, добавлен 29.10.2018 Технические особенности измерения температуры газа как части задачи термокоррекции. Рассмотрение вопросов температурной коррекции объема его потребления. Анализ экономического эффекта для конечного потребителя. Методика косвенного измерения температуры.
статья, добавлен 30.07.2017Сопоставление погрешностей данных дрифтера и сканера-спутника. Анализ особенностей оценки погрешности восстановления спутниковых измерений температуры поверхности океана на основе сопоставления с контактными данными дрифтеров. Принцип работы дрифтера.
контрольная работа, добавлен 31.07.2013Изучение зависимости электрического сопротивления различных металлов, полупроводников и приборов на их основе от температуры. Перенос электрических зарядов в веществе под действием внешнего электрического поля. Понятие твердотельных проводников.
лабораторная работа, добавлен 08.03.2014Исследование КНИ МОП транзисторов в условиях экстремальных температур (до 300°C). Работоспособность элементов и фрагментов аналоговых КМОП-схем, изготовленных по субмикронной 0,5-мкм КНИ КМОП-технологии. Влияние температуры на параметры транзисторов.
дипломная работа, добавлен 01.08.2017Исследование основных типовых и предложенных емкостных зарядных узлов магнитно-полупроводниковых импульсных устройств. Определение электродинамических показателей магнитно-полупроводниковых импульсных устройств. Построение емкостных зарядных узлов.
статья, добавлен 29.07.2016- 124. Полупроводники. Учебное пособие по общепрофессиональной дисциплине "Электротехника и электроника"
Понятие полупроводниковых приборов, история их развития. Признаки и свойства полупроводников. Структура элементарных частиц: электрона и протона. Причины появления у кремния полупроводниковых свойств. Вольт-амперные характеристики электронных компонентов.
статья, добавлен 04.01.2021 Применение и общий принцип действия оптоволоконного устройства для детектирования некоторых величин, температуры и механического напряжения. Сенсоры на основе брэгговских решеток. Квази-распределенное зондирование. Измерение позиционно-зависимых величин.
статья, добавлен 02.03.2021