Исследование физических свойств гетероструктуры AlSb/InAs/AlSb с двумерным вырожденным электронным газом на основе результатов, полученных из эффекта Шубникова-де Гааза

Особенность установления концентрационного порога заполнения, при котором начинается заселение возбужденной подзоны размерного квантования. Анализ идентификации доминирующих механизмов рассеяния в сильнолегированных гетероструктурах типа InAs/AlSb.

Подобные документы

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.