Фотоелектричні властивості багатошарових напівпровідникових SiGe гетероструктур з наноострівцями
Розрахунок зонної діаграми гетеропереходу SiGe-острівець/Si-оточення, використовуючи данні про компонентний склад та деформації SiGe наноострівців, отримані з аналізу спектрів. Взаємодія оптичного випромінювання з багатошаровими гетероструктурами з SiGe.
Подобные документы
Фізичні основи оптичного зв'язку. Випромінювальні напівпровідникові прилади та їх фізичні характеристики. Умови генерації світла лазерними діодами. Засоби модуляції оптичного випромінювання. Властивості поширення світла у світловодах, вікна прозорості.
методичка, добавлен 24.06.2014Пошук нових надпровідних напівпровідникових структур і з'ясування механізму, що відповідає за надпровідні властивості цих гетероструктур. Вибір матеріалів, на основі яких можуть бути створені інші епітаксіальні напівпровідникові гетероструктури.
автореферат, добавлен 29.07.2014Характеристика фізичної природи інфрачервоного випромінювання – оптичного випромінювання з довжиною хвилі більшою ніж у видимого випромінювання. Область застосування інфрачервоного випромінювання. Дослідження природи ультрафіолетового випромінювання.
презентация, добавлен 16.05.2016Розробка прецизійних засобів вимірювання енергетичних характеристик оптичного випромінювання в широкому спектральному діапазоні і різних умовах експлуатації. Термоперетворювачі на термоелектричному анізотропному напівпровіднику для вимірювальної техніки.
автореферат, добавлен 11.08.2015Удосконалення теорії спектрів квазічастинок. Визначення впливу взаємодій класичних і квантованих полів на оптичні властивості середовища та пошук на цій основі новітніх матеріалів для потреб наноелектроніки. Стан бістабільності в екситонній області.
автореферат, добавлен 27.07.2015- 31. Вплив модового складу на робочі характеристики напівпровідникових лазерів з вертикальним резонатором
Теоретичний опис впливу модового складу випромінювання напівпровідникових лазерів з вертикальним резонатором, оксидним вікном і квантоворозмірним активним шаром. Модифікація дифузійно-динамічної моделі за рахунок введення аналізу в термінах концентрацій.
автореферат, добавлен 27.07.2014 Дослідження перебудови домішково-дефектних станів у сполуках під дією високочастотного електромагнітного випромінювання. Вивчення модифікації структури напівпровідників. Вплив випромінювання на спектр дефектних станів напівпровідникових кристалів.
автореферат, добавлен 29.09.2015Поняття напівпровідникових матеріалів та пристроїв. Електронно-дірковий перехід та його властивості. Класифікація напівпровідникових діодів, їх різновиди та функціональні особливості. Опис і властивості арсеніду галію. Розрахунок параметрів діоду АД110А.
контрольная работа, добавлен 14.04.2015Загальні закономірності синтезу інтерференційних структур із заданими спектральними характеристиками і максимальним подавленням фонового випромінювання. Дослідження властивостей багатошарових інтерференційних фільтрів із широкими смугами прозорості.
автореферат, добавлен 28.08.2014Розрахунок електронної зонної структури бінарних сполук методом модельного псевдопотенціалу та дослідження впливу на неї деформацій і температури. Моделювання твердих розчинів заміщення і дослідження впливу структурної релаксації на електронний спектр.
автореферат, добавлен 06.07.2014Фізичні властивості низькорозмірних напівпровідникових гетероструктур. Дослідження морфологічного переходу від двомірного псевдоморфного росту до трьохмірного в InxGa1-xAs/GaAs наноструктурах. Комбінаційне розсіювання світла в InAs/Al(Ga)Sb структурах.
автореферат, добавлен 30.10.2015- 37. Електричні та фотоелектричні процеси в сонячних елементах та детекторах оптичного випромінювання
Механізм переносу заряду електричних та фотоелектричних процесів. Зміст основних експериментальних та теоретичних кривих при зворотних напругах. Характеристика математичних форм спектральних нерівностей. Аналіз досліджуваних поверхнево-бар’єрних діодів.
автореферат, добавлен 27.09.2014 Обумовленість існування неперервного та лінійчатого спектрів. Застосування спектрів поглинання для дослідження хімічного складу небесних тіл. Будова найпростішого спектрального апарата – спектроскопа. Проведення спектрального аналізу, його використання.
реферат, добавлен 19.10.2009Дослідження впливу зміни довжини хвилі лазерного випромінювання на характер розсіювання в шарі індукованого холестерика. Розробка нових багатошарових висококонтрастних рідкокристалічних модуляторів видимого і ближнього інфрачервоного випромінювання.
автореферат, добавлен 28.07.2014Будова, структура та склад напівпровідників. Послідовність операцій при вирощуванні монокристалів. Аналіз методу бестигельно-зонної плавки. Особливість створення інфрачервоних напівпровідникових лазерів і високоефективних термоелектричних перетворювачів.
реферат, добавлен 08.12.2015Вирощування монокристалів з використанням парофазного методу та дослідження їх фізичних властивостей. Процеси термічного окиснення на повітрі селеніду індію з різним умістом марганцю. Електрофізичні та фотоелектричні властивості різнотипних структур.
автореферат, добавлен 27.07.2015Застосування максимального показника Ляпунова для характеристики світлорозсіюючих об’єктів і просторово-часової стохастизації поля розсіяного оптичного випромінювання. Поляризаційно-інтерференційні методи, системи вимірювання стохастичних параметрів поля.
автореферат, добавлен 25.08.2015Дослідження впливу опромінення великими дозами гамма-квантів і швидких нейтронів на електричні, оптичні і фотоелектричні властивості нелегованих монокристалів CdSb. Особливості домішкової фотопровідності в монокристалах з неоднорідним розподілом дефектів.
автореферат, добавлен 21.11.2013Основні фотоелектричні властивості нелегованих полікристалічних алмазних плівок, які були вирощені CVD-методом. Внесок поверхні плівок в процеси електропереносу. Спектральна залежність нестаціонарного фотовідгуку у видимому та ближньому ІЧ-діапазонах.
автореферат, добавлен 25.02.2015Огляд використання напівпровідникових випромінювачів та модуляції оптичного випромінювання по інтенсивності. Дослідження проектування та монтажу передавальних квантово-електронних модулів. Аналіз цифрових систем передачі у волоконно-оптичному зв’язку.
реферат, добавлен 08.01.2011- 46. Діагностика напівпровідникових перетворювачів із застосуванням вейвлет-функцій m-ічного аргументу
Аналіз напівпровідникових перетворювачів як об'єктів діагностування, розгляд методів обробки діагностичних даних. Розробка підходів до діагностування напівпровідникових перетворювачів на основі вейвлет-спектрів часових залежностей їх струмів та напруг.
автореферат, добавлен 24.07.2014 Дослідження оптичних, магнітних та кінетичних властивостей кристалів напівпровідникових твердих розчинів (3HgSe)1-x(Al2Se3)x, легованих марганцем і залізом. Побудова схеми зонної структури напівпровідника. Властивості термообробки твердих розчинів.
автореферат, добавлен 19.07.2015Головні фотоелектричні, фотолюмінісцентні, фотомагнітні та електрофізичні властивості кристалів з різними значеннями складу х і ступеня компенсації. Причини низькотемпературних особливостей характеристик. Зміни механізмів власної міжзонної рекомбінації.
автореферат, добавлен 27.07.2014Структура рідин та взаємодія лазерного випромінювання з атомами. Пробій рідин під дією лазерного випромінювання. Тунельний ефект в лазерному полі. Застосування моделі Келдиша-Файсала-Ріса в якості теоретичного методу опису тунельного механізму пробою.
реферат, добавлен 04.06.2015Утворення структурних та електрофізичних досліджень пористого кремнію. Методи дослідження мікроструктури, хімічного складу багатошарових структур при адсорбції газів. Електрофізичні властивості багатошарових структур з шаром термічно окисненого кремнію.
автореферат, добавлен 14.07.2015