Исследование полупроводниковых диодов
Исследование характеристик и параметров выпрямительных полупроводниковых диодов и изучение влияния температуры на их свойства. Особенности германиевых и кремниевых диодов. Их дифференциальное сопротивление на участках вольт-амперной характеристики.
Подобные документы
Исследование вольт-амперной характеристики твердых оксидных суперионных проводников при высоких температурах и плотностях постоянного тока. Переходные характеристики реального кислородного насоса. Приборы и устройства для исследования структуры слоев.
дипломная работа, добавлен 23.06.2017Приборы, работающие в микроволновом диапазоне волн. Специфические параметры смесительных диодов. Рассмотрение параметров и технических характеристик генератора дифракционного излучения. Движение электронов в пространстве взаимодействия магнетрона.
презентация, добавлен 10.08.2015Физические свойства полупроводниковых сверхрешеток, определяющихся их электронным спектром. Исследование плотности электрического состояния, отличающейся от соответствующей величины в трехмерной системе. Особенность структуры многоволнового лазера.
статья, добавлен 29.05.2017Построение вольт-амперной и световой характеристик, удельная чувствительность фотосопротивления. Внутренний фотоэффект в собственных и примесных полупроводниках с точки зрения зонной теории. Построение люкс-амперных характеристик фотосопротивления.
лабораторная работа, добавлен 12.09.2019Выбор и обоснование выпрямительной схемы. Расчет напряжения, токов и мощности трансформатора. Подбор типа диодов и разработка соединения плеч преобразователя. Исследование внешних характеристик агрегата, коммутации, защиты и аварийных режимов работы.
курсовая работа, добавлен 13.05.2015Описание действия потока электронов в вакууме. Применение вакуумных диодов. Параметры триода: внутреннее сопротивление, коэффициент усиления, крутизна характеристики анодного тока, их характеристика. Достоинства и недостатки четырехэлектродных ламп.
реферат, добавлен 20.09.2014Классификация полупроводниковых материалов, их особенности и основные требования при применении. Собственная и примесная проводимость. Применение полупроводниковых материалов, приборы, основанные на их действии. Тепловые сопротивления, термоэлементы.
курсовая работа, добавлен 25.09.2014Исследование инфракрасного, видимого и ультрафиолетового излучений. Изучение видов электромагнитных волн. Естественные и искусственные источники света. Применение инфракрасных диодов и в быту. Лечение эмоциональных расстройств человека излучением.
презентация, добавлен 05.03.2015Описание лабораторной установки для исследования температурной зависимости фототока полупроводниковых фоторезисторов. Результаты измерений времени жизни неосновных носителей фототока проводимости в зависимости от температуры и частоты волн облучения.
статья, добавлен 29.04.2019Изучение сути и назначения управляемых напряжением полупроводниковых конденсаторов переменной емкости. Вольт-фарадная и вольт-амперная характеристики варикапа и мгновенное напряжение на варикапе. Схема включения варикапа в колебательный контур генератора.
реферат, добавлен 20.05.2013Разработка электротепловых моделей силовых полупроводниковых приборов (СПП) различных конструкций корпусов и моделей их группового соединения. Основные технические средства для определения электрических и тепловых параметров и характеристик СПП.
автореферат, добавлен 13.04.2018Изучение функции диодов на выходе схемы. Исследование асинхронного счётчика 133ИЕ5. Характеристика особенностей работы двоично-десятичного синхронного счётчика с переменным коэффициентом деления. Рассмотрение аспектов функционирования делителя частоты.
лабораторная работа, добавлен 08.11.2013Особенности и статические характеристики проводниковых и полупроводниковых терморезисторов. Выходные унифицированные шкалы датчиков в соответствии с требованиями системы обеспечения качества. Чувствительность медных терморезисторов, влияние на объект.
лабораторная работа, добавлен 16.06.2017Исследование вольт-амперной характеристики с помощью промышленного характериографа TR-4805, формирующего синусоидальный сигнал. Значение напряжений отсечки для исследуемых диодных структур. Особенность формирования двух разно полярных импульсов.
статья, добавлен 02.02.2019Исследовано влияние внешних когерентных или шумовых возмущений большой амплитуды на поведение вольтамперных характеристик туннельных диодов. Показано, что шумовое воздействие приводит к подавлению отрицательного дифференциального сопротивления N-типа.
статья, добавлен 07.11.2018Общая характеристика полупроводниковых материалов, характеризующихся значениями электропроводности, промежуточными между электропроводностью металлов и диэлектриков. Наиболее распространенный способ получения монокристаллов полупроводниковых материалов.
курсовая работа, добавлен 13.10.2016Назначение спектроколориметра, оптическая схема полихроматора прибора. Свойства диаграммы цветности, цветовой треугольник Максвелла. Кривые спектральных коэффициентов отражения. Определение термина "колориметрия", международная колориметрическая система.
лабораторная работа, добавлен 04.04.2016Сущность управления процессом следования импульсов от источника к нагрузке при передаче электронных сигналов. Осуществление коммутации за счет изменения внутреннего сопротивления. Использование диодов для повышения быстродействия и точности коммутации.
лекция, добавлен 23.07.2013Исследование основных типовых и предложенных емкостных зарядных узлов магнитно-полупроводниковых импульсных устройств. Определение электродинамических показателей магнитно-полупроводниковых импульсных устройств. Построение емкостных зарядных узлов.
статья, добавлен 29.07.2016Анализ методов переходов между подсистемами различной физической природы. Исследование моделирования оптической, механической и управляющей подсистем в микрооптоэлектромеханической системе, которая представляет собой матрицу светочувствительных диодов.
доклад, добавлен 12.02.2017Правила техники безопасности в лабораториях кафедры ТОЭ. Измерение напряжений регулируемых источников питания. Расчет параметров цепей постоянного тока с одним ЭДС. "Прозвонка" цепи или проверка диодов. Лабораторный стенд по электротехнике К4822-2.
методичка, добавлен 26.04.2014Открытие и экспериментальное исследование фотоэлектрического эффекта. Характеристика явления испускания электронов с поверхности металла под действием света. Изучение вольт-амперной характеристики внешнего фотоэффекта. Определение постоянной Планка.
презентация, добавлен 17.03.2013Мощность нагрузки выпрямителя. Входное напряжение. Величина магнитной индукции для стали марки 3412. Выбор диодов. Расчет индуктивности рассеяния обмоток трансформатора. Обратное напряжение на вентиле. Сопротивление резистора, шунтирующего вентиль.
контрольная работа, добавлен 27.12.2021Определение сущности электронно-дырочного перехода, который является основным элементом большинства полупроводниковых приборов. Рассмотрение и анализ зонной диаграммы гетероперехода. Характеристика особенностей границ раздела "полупроводник–диэлектрик".
реферат, добавлен 31.01.2015Выбор метода формирования липосомальных контейнеров со встроенными в них полупроводниковыми наночастицами, обеспечивающего минимальный разброс значений диаметра липосомальных контейнеров. Измерение геометрических свойств полупроводниковых наночастиц.
дипломная работа, добавлен 30.08.2016