Фізичні властивості кристалів селеніду цинку, легованих елементами І та V груп
Встановлення оптимальних умов отримання діркової провідності у кристалах селеніду цинку при їх легуванні елементами І та V груп. Комплексне дослідження основних фізичних властивостей виготовлених зразків та вивчення можливостей практичного використання.
Подобные документы
Розгляд підходу до спектроскопії свинцевих активаторних центрів у лужно-галоїдних кристалах. Опис методики створення монокристалів та дослідження їх люмінесцентно-кінетичних властивостей. Аналіз впливу квантово-розмірного ефекту на властивості кристалів.
автореферат, добавлен 29.04.2014Визначення фізичних механізмів тензорезистивних ефектів в сильно деформованих кристалах багатодолинних напівпровідників. Характеристика та особливості індукованого переходу метал-ізолятора у сильно легованих кристалах кремнію, вплив радіаційних дефектів.
автореферат, добавлен 28.10.2015- 53. Вивчення механізму електричної провідності нематичних рідких кристалів у навчальному експерименті
Проблема удосконалення навчального експерименту у вищих навчальних закладах. Природа рідких кристалів. Лабораторна робота по вивченню процесів переносу носіїв струму провідності у нематичному рідкому кристалі, який знаходиться у різних фазових станах.
статья, добавлен 28.12.2017 Вивчення структури одержаних нових рідкісноземельних монокристалів боратів. Визначення основних дозиметричних і сцинтиляційних характеристик одержаних кристалів. Дослідження механізму пластичної деформації монокристалів острівного та каркасного типів.
автореферат, добавлен 18.07.2015Встановлення впливу технологічних факторів на процеси формування ростового забарвлення в кристалах ітрій-алюмінієвого перовськиту. дослідження ролі домішкових іонів рідкісноземельних та перехідних елементів в радіаційно- і термоіндукованих процесах.
автореферат, добавлен 22.06.2014Вирішення науково-технічної проблеми щодо одержання підвищеного комплексу міцнісних та пластичних властивостей металів на основі встановлення умов направленої зміни структурного стану. Фізичні властивості та механічна поведінка металевих матеріалів.
автореферат, добавлен 27.07.2015Дослідження з метою виявлення електрооптичних властивостей композитів ліотропних іонних рідких кристалів та віологену і встановлення зв’язку між цими властивостями. Аналіз голографічного запису динамічних ґраток на забарвлених зразках композитів.
автореферат, добавлен 14.07.2015Теорія оптичних констант. Дослідження поверхневих поляритонів в напівпровідниках та діелектриках. Метод порушеного повного відбивання. Поверхневі поляритони в системі ZnO на сапфірі. Дослідження структури окису цинку на сапфірі методами ІЧ спектроскопії.
курсовая работа, добавлен 09.05.2020Систематичне експериментальне дослідження складу, структури і основних властивостей плівкових систем у залежності від умов розпилення. Аналіз впливу температури конденсації та величини високочастотного потенціалу зсуву на характеристики конденсатів.
автореферат, добавлен 28.07.2014Особливість дослідження розрахунковими методами процесів рафінування кадмію, цинку і телуру дистиляцією у вакуумі. Аналіз способів визначення рівноважних і граничних коефіцієнтів розподілення домішок у металах при їхній спрямованій кристалізації.
автореферат, добавлен 28.08.2015Фазовий склад і структура плівок, вирощених із парової фази. Механізми деградації електричних властивостей плівки. Встановлення залежності типу провідності і концентрації носіїв струму. Аналіз профілів властивостей плівок різної структурної досконалості.
автореферат, добавлен 14.07.2015Роль іонних процесів у формуванні простих і агрегатних центрів забарвлення та в їх термо-, фотоіндукованих перетвореннях у кристалах галогенідів двовалентних металів. Дослідження електричних, оптичних, радіаційних властивостей кристалів галогенідів барію.
автореферат, добавлен 10.01.2014Встановлення особливостей дисперсії елементарних збуджень різного типу (фононних та електронних) у тетрагональних гіротропних енантіоморфних кристалах у таких як a-ZnP2, CdP2 та TeO2. Засоби спектроскопії оптичної із залученням методів теорії груп.
автореферат, добавлен 27.09.2014Закономірності впливу іонів Cr і Mn на формування термо- і фотоелектретних станів та на діелектричні властивості кристалів BSO у звуковому діапазоні частот. Об'ємно-зарядовий і квазідипольний механізми поляризації. Особливості термічного дефектоутворення.
автореферат, добавлен 07.03.2014Вивчення перетворень і умов стабілізації твердих розчинів (Cu, Со) і (Au, Со) з елементами гранульованого стану у спін-клапанній структурі. Аналіз кореляції між її структурно-фазовим станом і оптичними характеристиками, отриманими методом еліпсометрії.
автореферат, добавлен 26.09.2015- 66. Електрофізичні властивості кераміки на основі діоксиду олова для варисторів та сенсорів вологості
Аналіз структурних особливостей варисторної кераміки на основі SnO2, принципи її отримання та сфери практичного застосування. Роль добавок в формуванні високонелінійної кераміки, дослідження її електропровідності та принципи вивчення фізичних процесів.
автореферат, добавлен 14.09.2015 Динаміка гратки кристалів інертних газів під тиском. Розрахунок атомних властивостей неону, аргону, криптону. Моделі міжатомної взаємодії в кристалах інертних газів. Аналіз електрон-фононної взаємодії в ряду Ne-Xe в залежності від атомного номеру Z.
автореферат, добавлен 24.07.2014Дослідження електричних, гальваномагнітних, оптичних, фотоелектричних властивостей монокристалів CdTe. Вивчення та аналіз електричних та фотовольтаїчних процесів у поверхнево-бар’єрних структурах, створених на основі телуриду кадмію, легованого ванадієм.
автореферат, добавлен 06.07.2014Експериментальне визначення впливу окремих структурних груп на процеси формування різних низькотемпературних фаз у змішаних кристалах у подальшому розвитку уявлень про механізм фазового переходу до антифероелектричного стану в кристалах сімейства KDP.
автореферат, добавлен 06.07.2014Аналіз температурного впливу на питомий опір напівпровідників, вивчення їх зонної характеристики. Сутність електронної та діркової провідності. Сила прямого та зворотного струму. Використання напівпровідникових приладів. Вплив домішок на структуру.
реферат, добавлен 20.12.2010Фізичні процеси, що протікають при релаксації молекул з високозбуджених станів. Механізми у полікристалічних шарах і в полімерних розчинах поліаценів. Процеси в шарах з галогенідами ртуті, кадмію й цинку при реєстрації рентгенівського випромінювання.
автореферат, добавлен 24.07.2014Напрямки вивчення процесів формування тунельного струму в резонансно-тунельних діодах на основі AlGaAs/GaAs гетероструктур. Дослідження можливостей практичного застосування квантово-розмірних ефектів для застосування в опто- та мікроелектроніці.
автореферат, добавлен 29.08.2014Взаємозв'язок між умовами вирощування, чистотою вихідної сировини й формуванням структури власних та домішкових точкових дефектів, які суттєво впливають на роботу приладів, виготовлених на сапфірових підкладках. Технологія оптимального розкрою кристалів.
автореферат, добавлен 13.07.2014Встановлення елементарних механізмів рухливості дислокацій в зоні низьких температур на підставі експериментальних даних. Особливості кристалів з високими бар'єрами Пайєрлса. Властивості низькоенергетичного піка в нормальному та надпровідному ніобії.
автореферат, добавлен 05.01.2014Дослідження температурних залежностей властивостей сегнетоелектричних кристалів тригліцинсульфату, диметиламонійалюмінійсульфату, калія селенату та амонія гідроселенату. Ступень анізотропії показника заломлення та коефіцієнта лінійного розширення.
автореферат, добавлен 23.11.2013