Вплив нейтронного та іонізуючого опромінення на електрофізичні властивості кремнієвих структур
Розрахунок залежності положення рівня Фермі та концентрації вільних носіїв заряду в високоомному кремнії від дози опромінення нейтронами. Визначення зсуву вольт-амперних характеристик кремнієвих структур та розподіл електричного поля в стрип-детекторах.
Подобные документы
Дослідження природи хімічного зв’язку Si–Al при входженні кремнію в решітку за допомогою ab initio розрахунків. Взаємозв’язок квантово-хімічних параметрів і термодинамічних характеристик системи Si–Al. Утворення кластерів під дією нейтронного опромінення.
автореферат, добавлен 28.07.2014Властивості кремнієвих структур та їх механізми люмінесценції. Модель квантової ями та циліндричної квантової нитки, що знаходиться в діелектричному оточенні. Сферична напівпровідникова квантова точка з діелектричною сталою у діелектричному середовищі.
автореферат, добавлен 30.10.2015Механізми, які обумовлюють спостережений експериментально ріст та еволюцію функції розподілу за радіусами ниткоподібних кремнієвих кристалів, вирощуваних у процесі газотранспортних реакцій. Розробка математичної моделі процесу формування пор у кремнії.
автореферат, добавлен 25.06.2014Утворення структурних та електрофізичних досліджень пористого кремнію. Методи дослідження мікроструктури, хімічного складу багатошарових структур при адсорбції газів. Електрофізичні властивості багатошарових структур з шаром термічно окисненого кремнію.
автореферат, добавлен 14.07.2015Аналіз і оцінка залежності відносного опромінення від кількості люмінесцентних ламп в блоці та висоти їх розміщення над поверхнею, яка опромінюється. Число та загальна потужність ламп установки. Визначення розміру поверхні, що опромінюється одним блоком.
контрольная работа, добавлен 03.12.2016Значення нуклеїнових кислот у функціонуванні організмів, вплив іон-гідратного оточення, радіації на їх структуру, стабільність, рухливість і фізико-хімічні властивості. Залежнісь стабільності природної ДНК від дози опромінення та рівня гідратації.
автореферат, добавлен 27.08.2013Елементний склад і розподіл елементів по глибині для плівок SiOX у залежності від методу їх формування та механізми впливу технологічних параметрів отримання на їх властивості. Вплив домішки азоту на формування структур із кремнієвими нанокластерами.
автореферат, добавлен 26.09.2015Сфери використання такого напівпровідникового матеріалу, як германій. Дослідження температурних залежностей питомого опору для монокристалів n-Ge, опромінених різними дозами електронів. Вплив електронного опромінення на радіаційну стійкість монокристалів.
статья, добавлен 03.07.2016Аналіз використання планарних кремнієвих p-i-n діодів у змішаних нейтронних та гамма-полях для визначення дози швидких нейтронів і потужності дози гамма-компоненти. Отримання характеристик радіаційного пошкодження за допомогою струмів короткого замикання.
статья, добавлен 08.10.2013Неоднорідність розподілу домішок Te та In в монокристалах антимоніду кадмію і їх вплив на електрофізичні ефекти. Вплив освітлення на кінетичні параметри монокристалів. Характер впливу гамма опромінення на явища переносу в монокристалах CdSb, легованих In.
автореферат, добавлен 27.07.2015Огляд фізичних властивостей домішок Mn у GaAs, домішкових і вакансійних дефектів у політипах SiC і парамагнітних дефектів у поруватому кремнії і кремнієвих матеріалах, в яких утворюються нанокристаліти. Електронна структура домішок і дефектів у кристалах.
автореферат, добавлен 28.10.2015Дослідження впливу електричного поля. Структуроутворення та релаксаційні властивості гнучколанцюгових полімерів. Вплив теплового тиску фононів на величину внутрішньої енергії пластифікованих систем. Розрахунок межі міцності на стиск композиту в матриці.
автореферат, добавлен 28.07.2014Рівняння сімейства вольтамперних характеристик фотодіода. Перехід освітлений паралельно та перпендикулярно. Аналіз залежності вольтамперних характеристик фотодіода від фізичних параметрів напівпровідника. Порядок розрахунку та специфіка розв’язку задач.
курсовая работа, добавлен 08.09.2014Дослідження еволюції смуг розсіяного світла та дифракції при утворенні періодичних структур у плівках As2S3–Ag під дією сфокусованого лазерного пучка. Вплив дії на плівку розсіяного в підкладку світла поза зоною опромінення плівки лазерним пучком.
автореферат, добавлен 05.08.2014- 40. Природа люмінесценції та процеси старіння структур з кремнієвими наночастинками в оксидній матриці
Вплив високотемпературного відпалу на хімічний склад, структуру та ФЛ-властивості шарів SiOx. Встановлення природи свічення ряду систем, що містять нанокристаліти кремнію (шари). Порівняння стабільності досліджених низьковимірних кремнієвих систем.
автореферат, добавлен 25.02.2015 Дослідження відмінностей впливу опромінення електронами на оптичні та люмінесцентні властивості кристалів лейкосапфіру, вирощених видозміненим методом Кіропулоса. Вивчення сигналів термолюмінесценції за допомогою молібденових та ніобієвих екранів.
статья, добавлен 30.01.2016Характеристика структурної досконалості кисневомістких кристалів кремнію. Головна особливість дослідження кінетики змін розмірів та концентрацій дефектів, що виникають під час відпалу. Вивчення впливу попереднього нейтронного опромінення на цей процес.
автореферат, добавлен 30.07.2015Дослідження впливу опромінення великими дозами гамма-квантів і швидких нейтронів на електричні, оптичні і фотоелектричні властивості нелегованих монокристалів CdSb. Особливості домішкової фотопровідності в монокристалах з неоднорідним розподілом дефектів.
автореферат, добавлен 21.11.2013Визначення залежності термоелектрорушійної сили від різниці температур металевих контактів і величини коефіцієнта опору провідника. Концентрація вільних носіїв заряду в напівпровідниковому монокристалі. Методи визначення величин похибок при вимірюванні.
методичка, добавлен 23.07.2017- 45. Вплив активних зовнішніх факторів на особливості випромінювальної рекомбінації кристалів Cd1-xZnxTe
Зміни люмінесцентних властивостей кристалів, викликані впливом активних зовнішніх факторів: термообробка, лазерне опромінення. Вивчення фотолюмінесценції кристалічних детекторів іонізуючого випромінювання. Аналіз впливу малих доз радіації на кристали.
автореферат, добавлен 12.07.2015 Вивчення механізмів дефектоутворення в кристалічному і аморфному кремнії та зміна його фотоелектричних властивостей під впливом гамма-опромінення, іонної імплантації та гідрогенізації матеріалу. Коефіцієнти квазіхімічних реакцій моделей дефектоутворення.
автореферат, добавлен 25.02.2014Розрахунки температурного поля, розподілу деформації і термічних напружень у зоні лазерної плями на опроміненій поверхні GaAs. Порогова густина оптичної енергії лазерного випромінювання. Розподіл інтенсивності опромінювання при дифракції від екранів.
автореферат, добавлен 29.08.2015Вимірювання перерізів, виконане з використанням нейтронно-активаційного методу. Опромінення зразків диспрозію і ербію природного ізотопного складу (d-t) нейтронами. Вимірювання апаратурних спектрів гамма-випромінювання продуктів активації на спектрометрі.
статья, добавлен 02.09.2013Встановлення фізичних закономірностей впливу особливостей структури композиційних матеріалів терморозширений графіт-полімер на їх механічні та електрофізичні властивості. Вплив опромінення електронами та квантами випромінювання на електроопір зразків.
автореферат, добавлен 27.08.2014Теоретичний опис процесів квантового переносу носіїв заряду в багатошарових структурах. Розгляд симетричних та асиметричних гетероструктур на базі багатокомпонентних напівпровідникових твердих розчинів. Розрахунок модуляційних характеристик лазерів.
автореферат, добавлен 28.09.2015