Дослідження температурної залежності електропровідності напівпровідників і визначення енергії активації
Власна провідність напівпровідників. Енергія, потрібна електрону для міжзонального переходу. Концентрація вільних носіїв у верхній частині валентної зони і нижній частині зони провідності. Відстань між рівнями в зоні провідності і валентній зоні.
Подобные документы
Дослідження низькотемпературних властивостей кристала, який містить надпровідні включення різних матеріалів. Розрахунок намагніченості та провідності кристала з двома типами надпровідних включень. Аналіз залежності провідності системи від магнітного поля.
статья, добавлен 12.09.2013Отримання хвильової функції і зонного спектру стиснутого двошарового графену, виразів для тензора провідності при стискові напрямку як "крісла" і "зигзагу". Використання анізотропії провідності при створенні нових чутливих тензорів механічних напружень.
статья, добавлен 27.02.2016Напівпровідникові прилади як різноманітні за конструкцією, технології виготовлення і призначенню електронні прилади, засновані на використанні властивостей напівпровідників. Залежність електропровідності напівпровідника від різних зовнішніх впливів.
реферат, добавлен 19.12.2021Вплив на провідність квантових контактів розсіювання електронів одиничними дефектами. Аналітичні залежності провідності від різних параметрів, що характеризують контакт. Експериментальні дані, формулювання умов спостереження ефектів, що передбачаються.
автореферат, добавлен 23.08.2014Дослідження впливу анізотропії та непараболічності енергетичних спектрів носіїв на термодинамічні характеристики електронів та дірок у телурі в області біполярної провідності. Характеристика температурних залежностей дрейфових рухливостей електронів.
автореферат, добавлен 05.01.2014Аналіз вивчення класичної електронної теорії металевої провідності. Головна сутність швидкості розповсюдження електричного струму в провідниках. Особливість використання надпровідності металів. Вольт-амперна характеристика хімічних елементів і речовин.
контрольная работа, добавлен 31.10.2016Фотопровідність напівпровідників. Оптична генерація носіїв току. Характеристики і параметри напівпровідників: вольт-амперна, спектральна, енергетична, температурна, гранична. Фотодіоди з внутрішнім підсиленням. Застосування і перспективи фотоприймачів.
реферат, добавлен 19.02.2009Показано можливість комплексного дослідження електричних, оптичних та люмінесцентних характеристик широкозонних напівпровідників та діелектриків. Опис експериментальної комплексної установки для спектрально-люмінесцентних та опто-електричних досліджень.
статья, добавлен 29.09.2016Застосування методу опорних переходів. Енергія конверсійного переходу з ізомерного стану на перший збуджений рівень. Дослідження функціональної залежності градуювальної кривої спектрометра від енергії. Оцінка величини можливої систематичної похибки.
статья, добавлен 24.09.2013Дослідження впливу короткосяжних кореляцій на енергетичний спектр одновимірних систем з іонним та протонним типами провідності. Аналіз перебудови енергетичного спектру при зміні температури. Опис ефектів, що мають місце в околі суперіонного переходу.
автореферат, добавлен 28.08.2015Дослідження електропровідності провідника з поперечним перерізом. Визначення основних фізичних явищ надпровідності. Особливість руху носіїв зарядів. Головна характеристика електронно-діркового переходу. Сутність і види напівпровідникових діодів.
реферат, добавлен 23.10.2020Дослідження особливостей механізмів тензорезистивних ефектів у деформованих кристалах кремнію й германія n-типу провідності. Розробка методів визначення фізичних механізмів тензоефектів у сильно деформованих кристалах багатодолинних напівпровідників.
автореферат, добавлен 25.08.2014Визначення залежності термоелектрорушійної сили від різниці температур металевих контактів і величини коефіцієнта опору провідника. Концентрація вільних носіїв заряду в напівпровідниковому монокристалі. Методи визначення величин похибок при вимірюванні.
методичка, добавлен 23.07.2017Визначення структурних змін на поверхні та в приповерхневих шарах карбіду кремнію під дією лазерного опромінення в залежності від режимів випромінювання. Вплив лазерного опромінення на мікроструктурні та фізичні властивості широкозонних напівпровідників.
автореферат, добавлен 20.07.2015Обчислення енергії іонізації мілких донорів для випадку L1 та дельта 1 моделі зони провідності монокристалів германію на основі варіаційного методу та теорії збурень. Порівняння розрахунків з експериментальними даними. Врахування хімічного зсуву.
статья, добавлен 27.07.2016Дослідження властивостей двовимірних структур на основі напівмагнітних напівпровідників. Ефекти нерезонансного тунелювання в подвійних квантових ямах з напівмагнітним бар'єром. Урахування впливу інтерфейсу на енергії носіїв струму в квантових структурах.
автореферат, добавлен 07.03.2014Електричні кола постійного струму. Закон Джоуля Ленца. Сила тяги електромагніту. Однофазні кола змінного струму. Основні визначення, види електричних вимірювань, переваги. Характеристика трансформатора. Електрофізичні властивості напівпровідників.
курс лекций, добавлен 19.08.2017Аналіз особливостей дефектоутворення в базових областях інфрачервоних пристроїв під дією іонізуючого випромінювання. Дослідження характеру протікання фотоелектричних процесів у реальних базових кристалах вузькощілинних напівпровідників із дефектами.
автореферат, добавлен 25.04.2014Дослідження структур з квантовими ямами і надграток вузькощілинних напівпровідників, зокрема сполук А4В6. Дослідження їх властивостей з метою встановлення параметрів зонного спектра. Вивчення можливостей їх практичного використання в ІЧ фотоелектроніці.
автореферат, добавлен 04.03.2014Дослідження фізичних явищ в тонкоплівкових гетероструктурах на основі органічних напівпровідників. Електронний процес на границі розділу фоточутливих шарів. Створення ефективних органічних світлодіодів, транзисторів, сенсорів та сонячних елементів.
автореферат, добавлен 24.07.2014Характеристики прямої й оберненої кристалічних ґраток. Властивості електронів. Ознайомлення з основами квантової теорії. Механізми коливання атомів. Види дефектів у напівпровідниках. Дифузійні і дрейфові струми. Електропровідність напівпровідників.
учебное пособие, добавлен 27.08.2015Визначення температурної залежності коефіцієнту дифузії вакансії і з’ясування характеру вакансійного руху в ОЦК фазі кристалів 3Не. Явища квантової дифузії, характерний для широкозонних квазічасток. Залежність ширини зони від щільності твердого гелію.
автореферат, добавлен 15.11.2013Аналіз будови кристалічної ґратки та характеру сил, що діють між частинками твердого тіла. Вимірювання електричних величин та обчислення похибок. Температурна залежність електропровідності напівпровідників. Вивчення фотопровідності в діелектриках.
методичка, добавлен 28.07.2017Програма розрахунку кінетичних коефіцієнтів напівпровідників. Енергетичне положення міжвузлового типу дефектів у забороненій зоні кремнію. Параметри кластерів дефектів, утворених нейтронами, протонами, 50 МеВ електронами в бінарних напівпровідниках.
автореферат, добавлен 28.08.2015Дослідження релаксації фотофізичних властивостей в плівках аморфних органічних напівпровідникових полімерів. Встановлення спектроскопії інфрачервоного поглинання, змін коливної структури аморфних молекулярних напівпровідників та допуючих їх фулеренів С60.
автореферат, добавлен 29.08.2015