Законы движения электрона
Взаимодействие движущихся электронов с электрическим полем как основной процесс во всех электронных приборах. Характеристика движения электронов в вакууме в электрическом и магнитном полях, в ускоряющем и тормозящем поле, и в однородном поперечном поле.
Подобные документы
Характеристика и классификация приемников излучения, используемых в оптико-электронных приборах, их паспортизация и пересчет параметров. Одноэлементные координатные (позиционно-чувствительные), развертывающие и многоэлементные приемники излучения.
монография, добавлен 17.11.2018Изучение активных полупроводниковых приборов, управляемых электрическим полем. История создания полевых транзисторов и их классификация. Исследование приборов с управляющим p-n-переходом и изолированным затвором. Схемы включения и область применения.
реферат, добавлен 07.07.2016Принцип действия биполярного транзистора. Ток электронов из эмиттера в коллектор. Отношение коллекторного тока к базовому. Использование в электронике усилителей по напряжению. Дифференциальное коллекторное сопротивление у схемы с общим эмиттером.
лекция, добавлен 26.10.2013Описание туннельного эффекта. Проявление его в неоднородных структурах и использование в устройствах микроэлектроники. Механизм прохождения электронов сквозь плёнку диэлектрика. Токоперенос в тонких плёнках. Эффекты Джозефсона и Франца-Келдышева.
курсовая работа, добавлен 29.08.2015Характеристика исследования структур, находящихся вне пределов видимости светового микроскопа и имеющих размеры менее одного микрона. Выявление компонентов изучаемых объектов и сохранение их структуры в условиях высокого вакуума под пучком электронов.
статья, добавлен 27.02.2016Коэффициенты прохождения и отражения микрочастицы через барьер по законам квантовой механики. Роль туннельного эффекта в электронике. Энергетическая схема контакта металлов. Прохождение электронов в диэлектрическом слое. Процессы в туннельном диоде.
курсовая работа, добавлен 28.01.2014Экспериментальное исследование взаимодействия молекулярного газа с фазо-диффузионным полем и когерентным сигналом. В результате эксперимента показано, что воздействие шумового сигнала на молекулярный газ аналогично воздействию когерентного сигнала.
статья, добавлен 05.11.2018Принцип действия, типы и схемы включения биполярных транзисторов. Причины инжекции электронов из эмиттера в базу. Определение коэффициента усиления по току и напряжению. Усиление света в полупроводниках. Квантовые генераторы и светоизлучающие диоды.
реферат, добавлен 04.12.2018Назначение, основные типы и характеристики биполярных транзисторов. Принципы переноса заряда в полупроводниковой структуре. Понятие рекомбинации электронов. Схемы включения и режимы работы. Анализ зависимости токов эмиттера и коллектора от напряжения.
реферат, добавлен 21.01.2019Определение значение барьерной емкости Cj (-2B). Расчет электрического поля вдали от перехода в Р области при прямом смещение 0,5В. Построение YD(VG) для двух значений VD. Модель идеального диода. Определение дрейфового тока и подвижности электронов.
контрольная работа, добавлен 14.10.2017- 61. Магнетроны
Устройство и статические характеристики цилиндрического магнетрона. Виды колебаний анодного блока многорезонаторного магнетрона. Движение электронов в пространстве взаимодействия магнетрона. КПД, рабочие и нагрузочные характеристики магнетронов.
контрольная работа, добавлен 20.08.2015 Взаимодействие мод акустического поля источника на стационарной трассе под влиянием интенсивных внутренних волн. Реконструкция интерферограмм полей. Восстановление передаточной функции невозмущенного волновода и наблюдение временной изменчивости среды.
статья, добавлен 02.04.2019Контакты с участием полупроводниковых материалов. Средства управления потоками носителей в полупроводниках, применяемые при проектировании и изготовлении диодов и в частности – диодов Шоттки. Эффект поля и поверхностная концентрация электронов и дырок.
курсовая работа, добавлен 08.10.2017Методика расчета при проектировании светофорной сигнализации. С помощью программы АРМ ТЕХНОЛОГ рассчитаны схемы организации и параметры регулирования движения транспорта и пешеходов на перекрестках города, обеспечивающие минимум транспортных задержек.
статья, добавлен 13.01.2021Изучение свойств полевых транзисторов - полупроводниковых элементов, которые в отличие от обычных биполярных транзисторов управляются электрическим полем, то есть практически без затрат мощности управляющего сигнала. Режим насыщения и напряжение отсечки.
лабораторная работа, добавлен 22.10.2012Изучение активных полупроводниковых приборов, управляемых электрическим полем. История создания полевых транзисторов и их классификация. Исследование приборов с управляющим p-n-переходом и изолированным затвором. Схемы включения и область применения.
реферат, добавлен 14.05.2015Рассмотрение поведения частицы при прохождении через потенциальный барьер. Проведение исследования плотного контакта двух металлов с разными работами выхода. Проявление туннельного механизма продвижения электронов сквозь тонкие диэлектрические слои.
курсовая работа, добавлен 24.09.2017Электропроводность полупроводников, действие полупроводниковых приборов. Рекомбинация электронов и дырок в полупроводнике и их роль в установлении равновесных концентраций. Нелинейные полупроводниковые резисторы. Верхние разрешенные энергетические зоны.
лекция, добавлен 04.10.2013- 69. Туннельные диоды
Изготовление туннельного диода из германия или арсенида галлия с высокой концентрацией примеси. Электронно-дырочный переход в вырожденном полупроводнике. Диффузионное перемещение. Туннельный переход электронов с энергией меньшей потенциального барьера.
презентация, добавлен 23.09.2016 Основные причины развития нанотехнологии. Главные этапы развития информационных технологий и их реальная основа. Транзисторные схемы и их планарная реализация. Основные уровни энергии электронов в потенциальной яме и плотность энергетических состояний.
шпаргалка, добавлен 03.05.2019Описание метода и схемы растрового электронного микроскопа. Характеристика функциональных элементов камеры, схемы детектора эмитированных электронов. Анализ задач, решаемых с помощью растрового электронного микроскопа, его достоинств и недостатков.
презентация, добавлен 31.05.2016Описание физических свойств, применения, оптики и легирования полупроводников. Изучение состава полупроводникового устройства транзистора, электронно-дырочного механизма проводимости. Анализ зависимости подвижности электронов и дырок от их концентрации.
реферат, добавлен 26.03.2011Риометр – специальный радиоприемник, использующийся для мониторинга высыпающихся в атмосферу авроральных электронов и протонов солнечного происхождения. Методика определения среднего превышения уровня сигнала над уровнем помех на входе приемника.
дипломная работа, добавлен 23.01.2019Описание использования программных имитаторов навигационных систем с информационным обменом на основе трёхуровневой системы, обеспечивающей снижение объема вычислений в имитационных компьютерах с использованием моделей оборудования ПНК и движения ВС.
статья, добавлен 28.10.2018Знакомство с методом измерения параметров движения контакта вакуумного выключателя. Способы усовершенствования алгоритма обработки сигналов. Общая характеристика структурной схемы измерителя перемещения подвижного контакта вакуумного выключателя.
контрольная работа, добавлен 17.08.2013