Законы движения электрона
Взаимодействие движущихся электронов с электрическим полем как основной процесс во всех электронных приборах. Характеристика движения электронов в вакууме в электрическом и магнитном полях, в ускоряющем и тормозящем поле, и в однородном поперечном поле.
Подобные документы
Характеристика и классификация приемников излучения, используемых в оптико-электронных приборах, их паспортизация и пересчет параметров. Одноэлементные координатные (позиционно-чувствительные), развертывающие и многоэлементные приемники излучения.
монография, добавлен 17.11.2018Изучение активных полупроводниковых приборов, управляемых электрическим полем. История создания полевых транзисторов и их классификация. Исследование приборов с управляющим p-n-переходом и изолированным затвором. Схемы включения и область применения.
реферат, добавлен 07.07.2016Принцип действия биполярного транзистора. Ток электронов из эмиттера в коллектор. Отношение коллекторного тока к базовому. Использование в электронике усилителей по напряжению. Дифференциальное коллекторное сопротивление у схемы с общим эмиттером.
лекция, добавлен 26.10.2013Описание туннельного эффекта. Проявление его в неоднородных структурах и использование в устройствах микроэлектроники. Механизм прохождения электронов сквозь плёнку диэлектрика. Токоперенос в тонких плёнках. Эффекты Джозефсона и Франца-Келдышева.
курсовая работа, добавлен 29.08.2015Характеристика исследования структур, находящихся вне пределов видимости светового микроскопа и имеющих размеры менее одного микрона. Выявление компонентов изучаемых объектов и сохранение их структуры в условиях высокого вакуума под пучком электронов.
статья, добавлен 27.02.2016Коэффициенты прохождения и отражения микрочастицы через барьер по законам квантовой механики. Роль туннельного эффекта в электронике. Энергетическая схема контакта металлов. Прохождение электронов в диэлектрическом слое. Процессы в туннельном диоде.
курсовая работа, добавлен 28.01.2014Экспериментальное исследование взаимодействия молекулярного газа с фазо-диффузионным полем и когерентным сигналом. В результате эксперимента показано, что воздействие шумового сигнала на молекулярный газ аналогично воздействию когерентного сигнала.
статья, добавлен 05.11.2018Принцип действия, типы и схемы включения биполярных транзисторов. Причины инжекции электронов из эмиттера в базу. Определение коэффициента усиления по току и напряжению. Усиление света в полупроводниках. Квантовые генераторы и светоизлучающие диоды.
реферат, добавлен 04.12.2018Назначение, основные типы и характеристики биполярных транзисторов. Принципы переноса заряда в полупроводниковой структуре. Понятие рекомбинации электронов. Схемы включения и режимы работы. Анализ зависимости токов эмиттера и коллектора от напряжения.
реферат, добавлен 21.01.2019Определение значение барьерной емкости Cj (-2B). Расчет электрического поля вдали от перехода в Р области при прямом смещение 0,5В. Построение YD(VG) для двух значений VD. Модель идеального диода. Определение дрейфового тока и подвижности электронов.
контрольная работа, добавлен 14.10.2017- 61. Магнетроны
Устройство и статические характеристики цилиндрического магнетрона. Виды колебаний анодного блока многорезонаторного магнетрона. Движение электронов в пространстве взаимодействия магнетрона. КПД, рабочие и нагрузочные характеристики магнетронов.
контрольная работа, добавлен 20.08.2015 Взаимодействие мод акустического поля источника на стационарной трассе под влиянием интенсивных внутренних волн. Реконструкция интерферограмм полей. Восстановление передаточной функции невозмущенного волновода и наблюдение временной изменчивости среды.
статья, добавлен 02.04.2019Контакты с участием полупроводниковых материалов. Средства управления потоками носителей в полупроводниках, применяемые при проектировании и изготовлении диодов и в частности – диодов Шоттки. Эффект поля и поверхностная концентрация электронов и дырок.
курсовая работа, добавлен 08.10.2017Методика расчета при проектировании светофорной сигнализации. С помощью программы АРМ ТЕХНОЛОГ рассчитаны схемы организации и параметры регулирования движения транспорта и пешеходов на перекрестках города, обеспечивающие минимум транспортных задержек.
статья, добавлен 13.01.2021Изучение свойств полевых транзисторов - полупроводниковых элементов, которые в отличие от обычных биполярных транзисторов управляются электрическим полем, то есть практически без затрат мощности управляющего сигнала. Режим насыщения и напряжение отсечки.
лабораторная работа, добавлен 22.10.2012Изучение активных полупроводниковых приборов, управляемых электрическим полем. История создания полевых транзисторов и их классификация. Исследование приборов с управляющим p-n-переходом и изолированным затвором. Схемы включения и область применения.
реферат, добавлен 14.05.2015Рассмотрение поведения частицы при прохождении через потенциальный барьер. Проведение исследования плотного контакта двух металлов с разными работами выхода. Проявление туннельного механизма продвижения электронов сквозь тонкие диэлектрические слои.
курсовая работа, добавлен 24.09.2017Электропроводность полупроводников, действие полупроводниковых приборов. Рекомбинация электронов и дырок в полупроводнике и их роль в установлении равновесных концентраций. Нелинейные полупроводниковые резисторы. Верхние разрешенные энергетические зоны.
лекция, добавлен 04.10.2013- 69. Туннельные диоды
Изготовление туннельного диода из германия или арсенида галлия с высокой концентрацией примеси. Электронно-дырочный переход в вырожденном полупроводнике. Диффузионное перемещение. Туннельный переход электронов с энергией меньшей потенциального барьера.
презентация, добавлен 23.09.2016 Основные причины развития нанотехнологии. Главные этапы развития информационных технологий и их реальная основа. Транзисторные схемы и их планарная реализация. Основные уровни энергии электронов в потенциальной яме и плотность энергетических состояний.
шпаргалка, добавлен 03.05.2019Описание метода и схемы растрового электронного микроскопа. Характеристика функциональных элементов камеры, схемы детектора эмитированных электронов. Анализ задач, решаемых с помощью растрового электронного микроскопа, его достоинств и недостатков.
презентация, добавлен 31.05.2016Описание физических свойств, применения, оптики и легирования полупроводников. Изучение состава полупроводникового устройства транзистора, электронно-дырочного механизма проводимости. Анализ зависимости подвижности электронов и дырок от их концентрации.
реферат, добавлен 26.03.2011Знакомство с методом измерения параметров движения контакта вакуумного выключателя. Способы усовершенствования алгоритма обработки сигналов. Общая характеристика структурной схемы измерителя перемещения подвижного контакта вакуумного выключателя.
контрольная работа, добавлен 17.08.2013Описание использования программных имитаторов навигационных систем с информационным обменом на основе трёхуровневой системы, обеспечивающей снижение объема вычислений в имитационных компьютерах с использованием моделей оборудования ПНК и движения ВС.
статья, добавлен 28.10.2018Риометр – специальный радиоприемник, использующийся для мониторинга высыпающихся в атмосферу авроральных электронов и протонов солнечного происхождения. Методика определения среднего превышения уровня сигнала над уровнем помех на входе приемника.
дипломная работа, добавлен 23.01.2019