Моделирование точечных F-центров в щелочно-галоидных кристаллах
Основные представления о свойствах первичной радиационной дефектности в ионных кристаллах. Методика квантово-химических расчетов. Моделирование создания Френкелевских дефектов. Характеристики F-центров окраски ЩГК в основном и возбужденном состоянии.
Подобные документы
Исследование эффектов импульсного насыщения линий электронного парамагнитного резонанса сверхтонкой структуры; сигналов ЭПР нечетных изотопов разных парамагнитных центров в кристаллах; дорелаксационных откликов спиновых систем на резонансные возбуждения.
презентация, добавлен 29.03.2013Изучение свойств кристаллов, подвергнутых сверхвысокому давлению. Модель решетки диэлектрической фазы ионного кристалла. Термодинамические потенциалы диэлектрической и металлизированной фаз. Давления "металлизации" образцов щелочно-галоидных кристаллов.
статья, добавлен 30.07.2013Изучение F-центров щелочно-галлоидных кристаллов, активированных ураном. Проведение анализа кинетических кривых, полученных в эксперименте, на основе которого предложена модель ураниловых центров. Разложение кривой поглощения на полосы гауссовой формы.
статья, добавлен 20.05.2018Анализ генерации, рекомбинации и захвати носителей заряда в ионных соединениях при импульсном рентгеновском возбуждении по данным радиационно-индуцированной проводимости. Модель образования основного канала разряда в щелочно-галоидных кристаллах.
автореферат, добавлен 02.03.2018Изучение радиационных дефектов в режиме изолированных пар как перспективное для первичных пространственных эффектов в радиационных явлениях твердого тела. Фон дорадиационных дефектов. Кривые термостимулированной люминесценции облученных кристаллов.
статья, добавлен 08.12.2018Механизмы влияния внешнего магнитного поля на движение дислокаций в пара- и диамагнитных ионных кристаллах. Его роль в процессах, происходящих в системе дислокация-примесь с учетом спин-орбитального взаимодействия как существенного компонента явления.
статья, добавлен 23.01.2018Исследование процессов, происходящих при воздействии высокочастотных колебаний ультразвукового диапазона на дислокационные структуры и пластичность материалов. Режимы нагружения, позволяющие добиться необходимого изменения пластических свойств образца.
автореферат, добавлен 02.03.2018Классификация твердых тел по различным признакам, их структурные элементы. Типы точечных дефектов, наиболее распространенных в кристаллах: вакансии и междоузлия. Условия возникновения линейных, объемных и поверхностных дефектов, их основные виды.
реферат, добавлен 13.05.2013Анализ влияния урана и церия на оптическую стабильность электронных центров окраски. Облучение монокристаллов фтористого натрия, содержащих примеси урана и церия, мощным ионизирующим излучением для создания большого количества стабильных м+-центров.
статья, добавлен 08.12.2018Электрооптические эффекты в капсулированных полимером жидких кристаллах. Рассмотрение основных типов термотропных кристаллов. Полевые эффекты в жидких кристаллах и эффекты, обусловленные проводимостью. Рассеяние света биполярными каплями кристалла.
статья, добавлен 12.04.2019Физико-химические свойства "идеальных" кристаллических структур. Основные причины возникновения дефектов в кристаллах. Классификация и типы дефектов кристаллической решетки, их вредное влияние на свойства материалов и характеристики электронных приборов.
реферат, добавлен 27.02.2017Результаты динамической теории рассеяния рентгеновских лучей для кристаллов со случайно распределенными дефектами. Диффузное рассеяние на кристаллах с дефектами. Методы исследования дифракционных характеристик структурного совершенства кристаллов.
лекция, добавлен 21.03.2014Кристаллическое строение химических веществ и характеристика кристаллических решеток, их виды. Типы связи между частицами в кристалле. Решетки Бравэ кристаллов. Простая и сложные кристаллические решетки, дефекты в кристаллах (точечные и линейные).
курсовая работа, добавлен 27.08.2012- 14. Расчет параметров транзисторов в зависимости от режимов эксплуатации и их температурная зависимость
Анализ параметров транзистора в зависимости от параметров удельного сопротивления толщины эпитаксии. Технологические операции, связанные с получением монокристаллических полупроводниковых пластин. Причины возникновения точечных дефектов в кристаллах.
контрольная работа, добавлен 15.01.2016 Образование кластеров точечных дефектов при каскадообразующем облучении, в квазистационарном приближении. Стационарное распределение кластеров по размерам, его зависимость от параметров задачи. Физические свойства материала, в котором образуются кластеры.
статья, добавлен 22.08.2013Изучение двумерных материалов с необычными свойствами. Исследование различных типов дефектов, возникающих в состоянии равновесия. Получение дисклинации с топологическим зарядом равным единице. Изменение направления линий гексагонального порядка.
статья, добавлен 30.05.2017Современные представления о диэлектрических параметрах вещества. Компьютерное моделирование цилиндрического резонатора. Резонансный метод нахождения параметров диэлектриков. Проведение эксперимента для проверки соответствия аналитических расчетов.
дипломная работа, добавлен 03.09.2018Основные подходы к проблеме спектроскопических свойств примесных ионов в конденсированных средах. Кристаллографические аспекты допирования трехвалентным титаном вольфрамата бария. Расчет параметров кристаллического поля в кристаллах со структурой шеелита.
дипломная работа, добавлен 09.09.2015Анализ кристаллического строения твердых тел и дифракции рентгеновского излучения в кристаллах. Расчет углов отражения и интенсивности максимума для плоскостей с учетом плотности заполнения атомами, факторов поглощения, повторяемости и температуры.
лабораторная работа, добавлен 06.11.2021Исследование спектров дополнительного и наведенного поглощения кристаллов гранатов легированных ионами хрома и выращенных в различных условиях. Расчет энергетических состояний хрома в гранатах с использованием теоретических и эмпирических параметров.
автореферат, добавлен 24.10.2018Факторы, влияющие на фотоиндуцированное рассеяние света в кристаллах. Определение их фотопроводимости. Исследование анизотропии поглощения света. Генерация второй оптической гармоники в среде с пространственно-периодической квадратичной нелинейностью.
автореферат, добавлен 15.02.2018Изучение влияния пластической деформации при получении поликристаллических инфракрасных световодов на основе кристаллов AgCl и твердых растворов AgClxBr1-x. Обнаружение, что в кристаллах AgCl, по сравнению с AgClxBr1-x, текстуры роста не наблюдается.
статья, добавлен 07.12.2018Создание установки по исследованию дифракции рентгеновских лучей в кристаллах, промодулированных длинноволновым ультразвуком на основе трехкристального рентгеновского спектрометра. Расчет профилей деформации по ширине области засветки образца рентгеном.
автореферат, добавлен 02.08.2018Геометрические построения для определения скоростей распространения и направления колебаний светового вектора в кристаллах. Понятие об одноосных и двуосных кристаллах. Отыскание главных плоскостей индикатрисы. Определение характера (осности) индикатрисы.
лабораторная работа, добавлен 08.04.2020Характеристика температурной зависимости компонент тензора диэлектрической проницаемости для титаната бария. Определение точки Кюри. Анализ влияния поля на переход между тетрагональной и ромбической фазами в многоосных сегнетоэлектрических кристаллах.
контрольная работа, добавлен 08.09.2015