Разработка технологии изготовления наногетероструктур gaas/ingaas/algaas методом молекулярно-лучевой эпитаксии на нанотехнологическом комплексе Нанофаб Нтк-9

Технологии на основе напряженных гетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs с квантовой ямой как наиболее перспективные для приборов и интегральных схем СВЧ-диапазона. Зависимость критической толщины от содержания индия. Установка молекулярно-лучевой эпитаксии.

Подобные документы

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.