Фотоелектронні процеси в твердих розчинах на основі телуридів кадмію, ртуті в умовах природної і стимульованої трансформації дефектної системи
Визначення кількісних критеріїв конкурентоздатності домінуючих міжзонних і домішкових механізмів рекомбінації в кристалах CdTe в залежності від складу і легування матеріалу. Роль перехідної металургійної границі парофазних епітаксійних гетеросистем.
Подобные документы
Визначення діапазонів термодинамічної стабільності багатокомпонентних напівпровідникових твердих розчинів АІІBVI з вмістом ртуті і виявлення причин утворення ділянок нестабільності. Пояснення особливостей електрофізичних характеристик фотодіодів Шотткі.
автореферат, добавлен 14.10.2015Дослідження фізичних явищ в тонкоплівкових гетероструктурах на основі органічних напівпровідників. Електронний процес на границі розділу фоточутливих шарів. Створення ефективних органічних світлодіодів, транзисторів, сенсорів та сонячних елементів.
автореферат, добавлен 24.07.2014Виявлення природи нових динамічних явищ, індукованих взаємодіями спінових систем локальних і нелокальних центрів у напівпровідниках та низькоомних твердих розчинах. Їх впливу на мікрохвильовий відгук, магнітні та електричні властивості цих матеріалів.
автореферат, добавлен 22.06.2014Методика дослідження закономірностей зміни структури та механічних властивостей сплавів системи титан-кремній. Обґрунтування впливу різної швидкості охолодження й легування цирконію на структуроутворення та фазовий склад титано-кремнієвих сполук.
автореферат, добавлен 20.07.2015Дослідження енергетичних спектрів носіїв заряду в об'ємних кристалах твердих розчинів Cd1-xMnxTe, кристалів із поверхнею телуриду кадмію та товщини надграток. Парціальні вклади марганцю в густину станів валентної зони та зони провідності цих структур.
автореферат, добавлен 19.04.2014Визначення впливу дефектної структури на характеристики міцності і термічної стабільності АМС типу метал-металоїд. Дослідження температурних залежностей мікротвердості матеріалу різного складу. Структура високотемпературної надпровідної композиції.
автореферат, добавлен 05.01.2014Дослідження електронно-стимульованих явищ у кріокристалах інертних елементів Ne та Xe, опромінених іонізуючим випромінюванням. Механізм релаксації у системі локалізованих заряджених часток, на основі випромінювальної рекомбінації домішкових атомів.
автореферат, добавлен 14.07.2015Вивчення фізичних властивостей домішкових та дефектних центрів у синтетичних кристалах. Дослідження донорів азоту, закономірностей температурної та концентраційної поведінки карбіду кремнію. Вивчення стрибкового механізму делокалізації електронів.
автореферат, добавлен 30.07.2014Розробка фізичної моделі рухливості коротких приповерхневих дислокацій. Розрахунок параметрів дислокаційно-домішкової взаємодії в кристалах кремнію з різним складом домішкових атмосфер. Нові електропластичні та магнітопластичні ефекти у кристалах кремнію.
автореферат, добавлен 28.07.2014З’ясування можливості використання тонко- і товстоплівкових структур на основі трикомпонентних твердих розчинів Cd1-xZn(Mn)xTe для поглинаючих шарів детекторів іонізуючого випромінювання. Оптимізація люмінесцентних характеристик плівкових базових шарів.
дипломная работа, добавлен 13.01.2020Аналіз особливостей дефектоутворення в базових областях інфрачервоних пристроїв під дією іонізуючого випромінювання. Дослідження характеру протікання фотоелектричних процесів у реальних базових кристалах вузькощілинних напівпровідників із дефектами.
автореферат, добавлен 25.04.2014Встановлення закономірностей фізичних процесів, що протікають у детекторах гамма-випромінювання на основі напівпровідникових сполук CdTe і CdZnTe. Методи поліпшення характеристик детекторів, створення на їхній основі дозиметричних блоків детектування.
автореферат, добавлен 22.07.2014Визначення фізичних механізмів тензорезистивних ефектів в сильно деформованих кристалах багатодолинних напівпровідників. Характеристика та особливості індукованого переходу метал-ізолятора у сильно легованих кристалах кремнію, вплив радіаційних дефектів.
автореферат, добавлен 28.10.2015Виявлення оптимального методу створення гетеропереходів в системі сульфід-телурид кадмію на основі низькоомних монокристалів CdS. Дослідження електричних, фотоелектричних та дозиметричних характеристик структур у залежності від технології їх виготовлення.
автореферат, добавлен 10.01.2014- 65. Випромінювальні остовно-валентні та міжконфігураційні переходи в галоїдних сцинтиляційних матеріалах
Взаємодія остовних дірок з електронними домішковими рівнями, розташованими вище вершини валентної зони кристала. Виявлення основних механізмів передачі енергії збудження до церієвих центрів у кристалах галоїдів шляхом рекомбінації гарячих носіїв заряду.
автореферат, добавлен 22.07.2014 Електронна та домішково-дефектна структура монокристалічних сполук ZnSe і CdTe при гетеровалентному заміщенні компонентів. Розробка моделі неоднорідного напівпровідника для твердих розчинів ZnSe-GaAs, механізми рентгенолюмінесценції і рентгеночутливості.
автореферат, добавлен 22.04.2014Синтез кристалів хлористого стронцію, легованих іонами талію та спів активаторами. Визначення характеру входження іонів талію в гратку кристала, їх концентрації, кількісних параметрів. Розкриття специфіки механізмів генерації талієвих центрів забарвлення.
автореферат, добавлен 24.02.2014Експериментальне дослідження особливостей конденсаційно-стимульованої і термодифузії у двошарових плівках. Визначення закономірностей при формуванні структурно-фазового стану і електрофізичних властивостей двошарових плівок на основі Ni і Fe та Cr і Fe.
автореферат, добавлен 28.08.2015Дослідження впливу ванадію на електричні, фотоелектричні, оптичні та магнітні властивості CdTe в залежності від його концентрації. Встановлення природи дефектів ванадію. Дослідження структури кристалів CdTe:V, застосовування ультразвукової обробки.
автореферат, добавлен 15.11.2013Закономірності тензорезистивних ефектів, обумовлених перебудовою енергетичних зон кристалів Si та Ge під дією сильної одновісної деформації і дослідження анізотропії тензорезистивних ефектів, пов’язаної зі змінами симетрії кристалів і рівня легування.
автореферат, добавлен 29.08.2014Основний аналіз впливу на умови отримання модифікації композиційних полімерних термоелектретів. Релаксаційний стан та процеси структуроутворення. Особливість теплофізичних та термостабільних властивостей. Методи термічно-стимульованої деполяризації.
автореферат, добавлен 27.09.2014Закономірності формування структурно-фазового складу і електрофізичних властивостей двошарових плівок на основі Nі і V, Cr, Co. Розрахунок ефективних коефіцієнтів взаємної дифузії атомів у процесі зерномежової конденсаційно-стимульованої і термодифузії.
автореферат, добавлен 28.07.2014Створення математичної моделі пружного об'єкту на основі системи твердих тіл, з'єднаних пружними шарнірами. Методика отримання нелінійного рівняння чотирьох скінченномірних моделей. Принципи розробки ефективного алгоритму визначення резонансних частот.
автореферат, добавлен 21.11.2013Вивчення механізмів дефектоутворення в кристалічному і аморфному кремнії та зміна його фотоелектричних властивостей під впливом гамма-опромінення, іонної імплантації та гідрогенізації матеріалу. Коефіцієнти квазіхімічних реакцій моделей дефектоутворення.
автореферат, добавлен 25.02.2014Огляд фізичних властивостей домішок Mn у GaAs, домішкових і вакансійних дефектів у політипах SiC і парамагнітних дефектів у поруватому кремнії і кремнієвих матеріалах, в яких утворюються нанокристаліти. Електронна структура домішок і дефектів у кристалах.
автореферат, добавлен 28.10.2015