Формування гетероструктур Ge33As12Se55 - p-Si, механічні властивості та особливості переносу носіїв заряду в них
Перенос і накопичення носіїв заряду в гетероструктурах Ge33As12Se55 - p-Si. Вплив на механічні властивості гетероструктур технологічних режимів одержання плівок, термообробки і високоенергетичного електронного опромінення. Оцінка параметрів осадження.
Подобные документы
Систематичне експериментальне вивчення змін складу, структури та властивостей плівок систем Zr-B та V-B. Оцінювання умови формування та зростання конденсатів, які отримують за допомогою систем ІПР. Осадження високотвердих наноструктурних плівок.
автореферат, добавлен 28.07.2014Визначення природи контактних явищ в гетероструктурах з надпровідними і ненадпровідними купратними металооксидами. Особливості утворення ненадпровідних фаз на поверхні та межах розділу ВТНП гетероструктур. Методи твердофазного синтезу буферних шарів.
автореферат, добавлен 12.07.2014Напрямки вивчення процесів формування тунельного струму в резонансно-тунельних діодах на основі AlGaAs/GaAs гетероструктур. Дослідження можливостей практичного застосування квантово-розмірних ефектів для застосування в опто- та мікроелектроніці.
автореферат, добавлен 29.08.2014Аналіз акумуляторів та методів їх заряду, розробка моделей акумуляторної батареї та адаптивного способу заряду. Способи та схеми пристроїв для заряду акумуляторних батарей асиметричним струмом з підвищеною енергоефективністю, процес керування зарядом.
автореферат, добавлен 28.09.2015Дослідження властивостей тонких багатокомпонентних плівок: епітаксійних плівок SiGe, Si-Ge-С, отриманих методом плазмохімічного осадження. Введення вуглецю в процесі іонної імплантації і його вплив на рівень механічних напружень в епітаксійних структурах.
автореферат, добавлен 20.04.2014Вплив різних типів димеризації на структурні і термодинамічні властивості водних розчинів поліелектролітів, характеристика та сутність рівноваги Донана. Дослідження впливу заряду катіона на структурні та динамічні властивості його гідратної оболонки.
автореферат, добавлен 25.08.2014Повышение качества гетероструктур и микроэлектронных приборов на их основе. Наличие примесей и нарушений кристаллической структуры в слоях. Приборы с зарядовой связью на основе гетероструктур, основные факторы, определяющие их высокочастотные свойства.
реферат, добавлен 01.08.2009Визначення поняття електричного заряду. Його склярність, дискретність та носії. Закон збереження електричного заряду. Дослідження принципу Кулона – закону взаємодії нерухомих точкових зарядів та досліду Міллікена - експерименту з олійними краплями.
лекция, добавлен 15.04.2014Дослідження впливу бомбардування високоенергетичними частинками (іонами, протонами, нейтронами) на механічні і електричні властивості напівпровідників та приладних шаруватих структур на їх основі. Радіаційні пошкодження та мікропластичність кремнію.
автореферат, добавлен 28.08.2014Дослідження впливу умов отримання та модифікації вуглецевих матеріалів на їх структурну досконалість, оптичні та механічні властивості. Вивчення полікристалічних алмазних та аморфних алмазоподібних плівок. Оцінка нанопористі вуглецевих композитів.
автореферат, добавлен 12.08.2014Дослідження оптичних властивостей і структурно-фазового стану матеріалів у вихідному та опроміненому станах в залежності від параметрів опромінення. Вплив опромінення на оптичні властивості напівпровідникової сполуки GaAs з різним типом провідності.
автореферат, добавлен 28.08.2015Виявлення особливостей енергетичного спектру носіїв заряду в сполуках AII3BV2 різних кристалічних модифікацій. Математичне моделювання поверхонь рівної енергії в околі рівня Фермі та розрахунки параметрів, що визначаються геометрією цих поверхонь.
автореферат, добавлен 18.07.2015Оцінка поведінки транзисторних структур у полі високоенергетичного опромінення. Деформація електричних сигналів, що поширюються в опромінених інтегральних схемах. Зміни ВАХ їх активних і пасивних компонентів. Вплив складного радіаційного фактору.
автореферат, добавлен 23.11.2013Евтектичні співвідношення у сплавах MeІB6 - МеІІВ2 та вплив відхилення від них на морфологію, досконалість структури та механічні властивості композиційних матеріалів. Кристалоорієнтаційні співвідношення між матричною та армуючою фазами матеріалів.
автореферат, добавлен 10.09.2014Теоретична оцінка параметрів осадження компонентів пари на підкладку, оптимізація умов напилення шарів. Особливості впливу концентраційного профілю та хімічного складу елементів-модифікаторів на параметри тонкоплівкових структур на основі As2S3.
автореферат, добавлен 22.04.2014Фізичні властивості низькорозмірних напівпровідникових гетероструктур. Дослідження морфологічного переходу від двомірного псевдоморфного росту до трьохмірного в InxGa1-xAs/GaAs наноструктурах. Комбінаційне розсіювання світла в InAs/Al(Ga)Sb структурах.
автореферат, добавлен 30.10.2015Дослідження об’ємного часу життя в монокристалічному кремнії з врахуванням рекомбінації Шоклі-Ріда. Аналіз впливу концентрації надлишкових носіїв заряду та звуження забороненої зони на поверхневу рекомбінацію в кремнієвих фоточутливих структурах.
автореферат, добавлен 14.09.2015Способи передпосівної стимуляції насіння овочевих культур і основні механізми дії стимулюючих факторів на проростання насіння. Експериментальні дослідження параметрів режимів імпульсного світлолазерного передпосівного опромінення насіння овочевих культур.
автореферат, добавлен 12.08.2014Дослідження процесів випаровування й осадження речовини тіогалату цинку при одержанні тонких плівок. Побудова моделі росту конденсату тіогалату цинку на підкладках. Розкриття впливу термічної і лазерної обробки на структуру й оптичні параметри плівок.
автореферат, добавлен 24.02.2014Дослідження відмінностей впливу опромінення електронами на оптичні та люмінесцентні властивості кристалів лейкосапфіру, вирощених видозміненим методом Кіропулоса. Вивчення сигналів термолюмінесценції за допомогою молібденових та ніобієвих екранів.
статья, добавлен 30.01.2016Визначення факторів впливу на структуру і фізичні властивості тонких плівок W-Ti-N і Ta-Si-N. Дослідження антидифузійних властивостей тонкоплівкових бар’єрів. Оптимізація технологічних основ отримання плівок, їх застосування в напівпровідникових системах.
автореферат, добавлен 27.08.2014Розвиток напівпровідникових квантово-розмірних лазерів. Феноменологічний аналіз надшвидкої динаміки напівпровідникових оптичних підсилювачів. Дослідження потенціального профілю й спектру власних станів багатошарових квантово-розмірних гетероструктур.
автореферат, добавлен 14.09.2015Визначення тиску насиченої пари фуллерена, що випаровувався. Формування металофуллеренових конденсатів під час осадження потоків часток з підвищенною енергією металевої компоненти. Дослідження структури плівок фуллериту, легованих атомами вісмуту.
автореферат, добавлен 25.08.2015Встановлення механізмів взаємодії ультразвуку й високоенергетичних опромінень з дефектною структурою CdXHg1-Xte й фотодіодів на цій основі. Визначення фізичних механізмів переносу заряду та вплив на них термічної обробки у фотодіодах CdXHg1-Xte.
автореферат, добавлен 30.07.2015Теорія збудження і переносу нерівноважних носіїв струму в неідеальних гетеропереходах. Створення ефективних сенсорів оптичного і рентгенівського зображення нового типу. Виготовлення перетворювача сигналів оптичного зображення із внутрішнім посиленням.
автореферат, добавлен 29.07.2015