Некоторые вопросы эксплуатации IGBT-модулей
Интерес производителей электронного оборудования к производству преобразователей частоты на основе IGBT-модулей. Причины и условия пробоя транзисторов и диодов в модулях, рекомендации по их монтажу и эксплуатации, позволяющие предотвратить выход из строя.
Подобные документы
Основные понятия и определения теории надежности, главные факторы безотказности работы радиоэлектронного оборудования. Анализ вероятности отказа и дефекта приборов, характеристика эквивалентности диодов. Особенности технической диагностики оборудования.
курс лекций, добавлен 21.11.2014Характеристика магнитного пускателя, его составные части и конструкция. Виды пускателей, принципы их успешной эксплуатации (износоустойчивость, четкость срабатывания, коммутационная способность, минимальное потребление мощности) и особенности ухода.
курсовая работа, добавлен 01.08.2011Методика исследования вольтамперных характеристик диодов. Анализ результатов измерения стабилитрона. Типовые схемы включения полупроводниковых диодов и области их применения. Порядок определения параметров исследованных полупроводниковых приборов.
лабораторная работа, добавлен 22.05.2022Схематическое изображение структуры диода на основе контакта полупроводников. Анализ изменения соотношения между диффузионными и дрейфовыми составляющими потоков электронов и дырок при прямом и обратном напряжениях на электронно-дырочной структуре.
учебное пособие, добавлен 05.12.2016- 80. Делитель частоты
Назначение и принцип работы десятичного делителя частоты. Разработка функциональной схемы делителя с коэффициентом деления 100. Выбор транзистора, диодов и других элементов схемы. Осуществление расчетов параметров резисторов и конденсаторов схемы.
курсовая работа, добавлен 10.05.2015 Характеристика кремниевых транзисторов с изолированным затвором. Рассмотрение особенностей технологического процесса изготовления FinFET-транзистора. Анализ функций нанотранзисторов на основе углеродных нанотрубок. Знакомство с проблемами GaN-технологии.
дипломная работа, добавлен 17.12.2013Методы измерений биполярных транзисторов. Влияние температуры и частоты на свойства транзисторов и полупроводниковых приборов. Обоснование алгоритма экстракции SPICE-параметров модели. Разработка интерфейса и вычислительного ядра программного модуля.
магистерская работа, добавлен 01.12.2019Возможности основных архитектур аналого-цифровых преобразователей в зависимости от разрешения и частоты дискретизации. Каскад для выполнения одного однобитового преобразования. Архитектуры, использующиеся для выполнения аналого-цифрового преобразования.
статья, добавлен 08.12.2018Организация службы эксплуатации контрольно-измерительных приборов. Графики планово-предупредительных работ, проверки и калибровки средств измерений. Правила эксплуатации микропроцессорной техники, датчиков, вторичных приборов средств автоматизации.
реферат, добавлен 14.12.2017Области применения транзисторов в современной электронике. Интегральные микросхемы усиления мощности. Главные недостатки транзисторов на широкозонных полупроводниках. Влияние технологии выращивания кристаллов и подложек на себестоимость транзисторов.
статья, добавлен 08.06.2018Определение причин отказов радиоэлектронных средств и способов их устранения при помощи автоматизированной подсистемы синтеза и анализа конструкций РЭС на базе АСОНИКА-ТМ. Причины появления механических нагрузок при эксплуатации радиоэлектронных средств.
статья, добавлен 29.11.2016Характеристика эксплуатационной долговечности, правила хранения и испытания работоспособности при полной нагрузке электролитических конденсаторов. Влияние электрических и температурных параметров конденсаторов на срок эксплуатации электронных устройств.
реферат, добавлен 12.11.2012Использование многоуровневых преобразователей частоты (МПЧ) в асинхронном электроприводе большой мощности. Применение принципа несимметрии для каскадных МПЧ. Предельное значение амплитуды выходного фазного напряжения. Амплитуды пульсаций гармоник.
статья, добавлен 01.07.2018Принцип действия биполярных транзисторов. Технология изготовления полупроводниковых микросхем на основе биполярных транзисторов с диэлектрической изоляцией. Структура полупроводниковых ИМС на основе биполярного транзистора. Метод диэлектрической изоляции.
курсовая работа, добавлен 20.11.2011Исследование основных параметров усилителей мощности звуковой частоты. Фазочастотная характеристика предоконечного и оконечного каскадов. Изучение порядка сборки и особенностей монтажа конструкции. Установка транзисторов. Наладка усилителя мощности.
контрольная работа, добавлен 08.06.2016Блок схема портативного зарядного устройства. Климатическое исполнение, категория изделия. Нормальные значения климатических факторов внешней среды при эксплуатации и испытаниях. Содержание в атмосфере на открытом воздухе коррозионно активных агентов.
презентация, добавлен 05.04.2021Электронно-дырочные и металлополупроводниковые переходы. Принцип действия полупроводников, биполярных транзисторов, диодов. Цифровая микросхемотехника. Логические функции и их реализация. Характеристики усилителей. Устройства отображения информации.
книга, добавлен 07.02.2014Структура и параметры p-i-n диода. Сопротивление i-слоя при подаче прямого СВЧ тока. Технология производства p-i-n диодов. Брак, связанный с технологией изготовления структуры, на сборочных операциях. Причины брака при основных технологических операциях.
дипломная работа, добавлен 23.09.2018Особенности эксплуатационно-технического обслуживания линейных сооружений ВОЛС. Правила планирования, контроля и обеспечения работ по технической эксплуатации ВОЛС, методы их измерения. Охрана кабельных сооружений и аварийно-восстановительные работы.
реферат, добавлен 27.11.2009Рассмотрение модуляционно-легированных полевых транзисторов. Особенности биполярных транзисторов на гетеропереходах. Изучение резонансного туннельного эффекта. Анализ транзисторов на горячих электронах, с резонансным туннелированием и одноэлектронных.
реферат, добавлен 26.08.2015Определение числа каскадов усиления и составление структурной схемы усилителя низкой частоты. Схема оконечного каскада усиления на комплементарных парах транзисторов. Постоянный ток базы в рабочей точке. Сопротивление нагрузки RК в цепи коллектора.
курсовая работа, добавлен 16.02.2015Классификация полевых транзисторов. Частотные, шумовые, тепловые и вольт-амперные характеристики. Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом. Схемы включения полевых транзисторов. Ключевой режим работы. Области применения полевых транзисторов.
курсовая работа, добавлен 21.12.2015Возникновение ЭВМ на радиолампах. Исследование влияния полупроводниковых диодов. Переход от точечной и сплавной технологий создания транзисторов к диффузионной. Сущность процесса фотолитографии. Этапы изготовления микросхемы. Интенсивность ее отказов.
лекция, добавлен 01.09.2013Изучение свойств p-n перехода. Исследование принципов действия полупроводниковых диодов и триодов. Анализ схем включения транзисторов, их достоинств и недостатков. Рассмотрение областей применения. Построение выпрямителей и фильтров переменного тока.
реферат, добавлен 16.10.2017- 100. Диоды и транзисторы
Классификация и система обозначений полупроводниковых диодов: стабилитрон, туннельный, варикап, фотодиод и диод Шотки. Устройство биполярного транзистора, его частотные и усилительные свойства. Статические характеристики полевых транзисторов, их схема.
курсовая работа, добавлен 19.04.2014