Основные свойства полупроводников
Этапы совершенствования полупроводниковой технологии для решения задач микроминиатюризации и интеграции электронной аппаратуры. Особенности примесной проводимости, эффект компенсации доноров и акцепторов. Измерение удельного сопротивления полупроводников.
Подобные документы
Описание и свойства вещества в диспергированном состоянии. Особенности обмена свободных носителей заряда через границу раздела металл-полупроводник. Анализ одиночной металлической сферической частицы в полупроводниковой электронной невырожденной матрице.
реферат, добавлен 23.10.2010- 77. Постоянный ток
Зависимость сопротивления металлов и сплавов от температуры. Закон Ома, электронный газ, теория проводимости металлов. Электродвижущая сила гальванического элемента методом компенсации. Балластное сопротивление и нормальный элемент, законы Кирхгофа.
учебное пособие, добавлен 04.06.2015 - 78. Полупроводники. Учебное пособие по общепрофессиональной дисциплине "Электротехника и электроника"
Понятие полупроводниковых приборов, история их развития. Признаки и свойства полупроводников. Структура элементарных частиц: электрона и протона. Причины появления у кремния полупроводниковых свойств. Вольт-амперные характеристики электронных компонентов.
статья, добавлен 04.01.2021 Измерение сопротивления изоляции установки, находящейся и не находящейся под напряжением. Определение места повреждения изоляции линии. Измерение сопротивления заземления методом амперметра и вольтметра. Измеритель сопротивления на основе логометра.
лекция, добавлен 02.04.2019Фотолитография и основы оптики. Проекционная, контактная печать и печать с зазором. Характеристики электронно-лучевых установок, поглощение излучения высоких энергий. Радиационные повреждения приборов. Рентгеновское и ионно-лучевое экспонирование.
курсовая работа, добавлен 28.08.2013Рассмотрение эффекта квантования холловского сопротивления - проводимости двумерного электронного газа в сильных магнитных полях и при низких температурах. Качественная интерполяция целочисленного КЭХ. Определение понятия индукции магнитного поля.
доклад, добавлен 28.03.2012- 82. Р-п переходы
Сущность р-п перехода как структуры, содержащей дырочную и электронную области полупроводника. Процесс диффузии доноров или акцепторов. Возникновение дрейфового тока. Понятие области объёмного заряда как области, в которой изменяются энергетические зоны.
лекция, добавлен 29.10.2013 Использование полупроводников для усиления и генерации электрических колебаний. Понятие биполярного транзистора как полупроводникового прибора с двумя взаимодействующими переходами и тремя или более выводами. Основные виды конструктивного оформления.
лабораторная работа, добавлен 16.01.2014Рассмотрение использования функции состояния системы для описания систем в квантовой механике. Приведение решения координатного уравнения Шредингера. Нахождение коэффициента надбарьерного отражения, энергии Ферми и зависимости уровня Ферми от температуры.
контрольная работа, добавлен 16.10.2014Влияние на фотоэлектрические свойства пленок медного фталоцианина модификации формы молекул периферийными и аксиальными заместителями. Критическая толщина, выше которой кристаллическая подложка не оказывает ориентирующего воздействия на молекулы пленки.
автореферат, добавлен 31.07.2018Реализация метода двух полых цилиндров с различной толщиной стенки в температурном интервале 2300-3300 К. Метод определения изучаемого комплекса свойств с учетом зависимости теплопроводности и удельного электрического сопротивления от температуры.
автореферат, добавлен 31.08.2018Определение верхней температурной границы измерения теплопроводности графита в стационарном тепловом режиме при применении электрического тока в качестве источника нагрева. Исследование температурной зависимости удельного электрического сопротивления.
автореферат, добавлен 01.05.2018Определение удельного сопротивления раствора электролита. Особенности электрического сопротивления металлов. Процесс фокусировки электронного пучка магнитным полем, кaлибровка термопары. Снятие вольтамперной характеристики полупроводникового диода.
дипломная работа, добавлен 14.09.2017Техническое описание метода определения удельного электрического сопротивления графита в диапазоне высоких температур от 1000 до 3300 K (ниже температуры сублимации) с использованием электротермического атомизатора атомно-абсорбционного комплекса.
статья, добавлен 26.10.2010Основные методы формирования и свойства слоев пористого кремния. Температурные зависимости удельного сопротивления бесцветного кристалла, испещренного порами с высокой пористостью. Главная характеристика отпора среды продуктов электрохимических реакций.
курсовая работа, добавлен 01.05.2015Понятие электрического тока как переноса электрических зарядов. Характеристика основных структурных элементов атома. Особенности и порядок использования принципа Паули. Сущность туннельного эффекта и принцип действия функции распределения Ферми-Дирака.
лекция, добавлен 29.10.2013- 92. Внутренние шумы
Минимальное значение усиливаемого сигнала и нормирование его ограничений. Обоснование флуктуации напряжений и токов в электрических цепях. Основные характеристики внутренних шумов, их источники. Параметры шумов электрических цепей, ламп, полупроводников.
реферат, добавлен 27.06.2015 Расчет систематических и случайных погрешностей при измерении удельного сопротивления проволоки. Применение методов обработки большого числа экспериментальных данных при измерении сопротивлений. Закономерности измерении интенсивности радиационного фона.
методичка, добавлен 12.02.2016Сущность удельного расхода электроэнергии; его составляющие: преодоление сопротивления движению, покрытие потерь в резисторах, преобразователях, двигателях. Расчет компенсации потерь кинетической энергии поезда в тормозах. Понятие рекуперации энергии.
реферат, добавлен 29.09.2018- 95. Информационные технологии управления качеством процесса выращивания монокристаллов полупроводников
Изучение комплекса информационных технологий, обеспечивающих мониторинг процесса выращивания монокристаллов, поддержку принятия решений по коррекции режима выращивания, а также оптимизацию геометрических параметров теплового экрана ростовой установки.
статья, добавлен 22.03.2016 Понятие полупроводниковых материалов. Собственная и примесная проводимость полупроводников. Механизм формирования и способы изменения состояния n-p перехода. Особенности расчета схем с нелинейным элементом - диодом. Расчет параметрического стабилизатора.
методичка, добавлен 21.10.2014Основные принципы решения прямых и обратных задач терморазведки. Характеристика энергетических процессов, при помощи которых формируется тепловое поле Земли. Анализ специфических особенностей аппаратуры для проведения геотермических исследований.
статья, добавлен 07.08.2015Исследование прибора для измерения температуры на основе терморезистивного преобразователя (термометра сопротивления). Методические погрешности контактных методов. Измерительные цепи термометров сопротивления. Погрешности, обусловленные терморезистором.
методичка, добавлен 17.01.2018Обзор особенности электропроводности твердых тел. Измерение зависимости электропроводности германия и меди от температуры, определение ширины запрещенной зоны германия, температурного коэффициента удельного сопротивления меди и длины свободного пробега.
лабораторная работа, добавлен 24.06.2016- 100. Эффект Джозефсона
Сверхпроводимость как макроскопическое квантовое явление. Эффект Джозефсона. Причины возникновения, свойства и применение сверхпроводимости. Туннельный эффект. Стационарный эффект Джозефсона. Квантовая интерференция. Сверхпроводниковый суперкомпьютер.
реферат, добавлен 24.03.2009