Основные свойства полупроводников

Этапы совершенствования полупроводниковой технологии для решения задач микроминиатюризации и интеграции электронной аппаратуры. Особенности примесной проводимости, эффект компенсации доноров и акцепторов. Измерение удельного сопротивления полупроводников.

Подобные документы

  • Описание и свойства вещества в диспергированном состоянии. Особенности обмена свободных носителей заряда через границу раздела металл-полупроводник. Анализ одиночной металлической сферической частицы в полупроводниковой электронной невырожденной матрице.

    реферат, добавлен 23.10.2010

  • Зависимость сопротивления металлов и сплавов от температуры. Закон Ома, электронный газ, теория проводимости металлов. Электродвижущая сила гальванического элемента методом компенсации. Балластное сопротивление и нормальный элемент, законы Кирхгофа.

    учебное пособие, добавлен 04.06.2015

  • Понятие полупроводниковых приборов, история их развития. Признаки и свойства полупроводников. Структура элементарных частиц: электрона и протона. Причины появления у кремния полупроводниковых свойств. Вольт-амперные характеристики электронных компонентов.

    статья, добавлен 04.01.2021

  • Измерение сопротивления изоляции установки, находящейся и не находящейся под напряжением. Определение места повреждения изоляции линии. Измерение сопротивления заземления методом амперметра и вольтметра. Измеритель сопротивления на основе логометра.

    лекция, добавлен 02.04.2019

  • Фотолитография и основы оптики. Проекционная, контактная печать и печать с зазором. Характеристики электронно-лучевых установок, поглощение излучения высоких энергий. Радиационные повреждения приборов. Рентгеновское и ионно-лучевое экспонирование.

    курсовая работа, добавлен 28.08.2013

  • Рассмотрение эффекта квантования холловского сопротивления - проводимости двумерного электронного газа в сильных магнитных полях и при низких температурах. Качественная интерполяция целочисленного КЭХ. Определение понятия индукции магнитного поля.

    доклад, добавлен 28.03.2012

  • Сущность р-п перехода как структуры, содержащей дырочную и электронную области полупроводника. Процесс диффузии доноров или акцепторов. Возникновение дрейфового тока. Понятие области объёмного заряда как области, в которой изменяются энергетические зоны.

    лекция, добавлен 29.10.2013

  • Использование полупроводников для усиления и генерации электрических колебаний. Понятие биполярного транзистора как полупроводникового прибора с двумя взаимодействующими переходами и тремя или более выводами. Основные виды конструктивного оформления.

    лабораторная работа, добавлен 16.01.2014

  • Рассмотрение использования функции состояния системы для описания систем в квантовой механике. Приведение решения координатного уравнения Шредингера. Нахождение коэффициента надбарьерного отражения, энергии Ферми и зависимости уровня Ферми от температуры.

    контрольная работа, добавлен 16.10.2014

  • Влияние на фотоэлектрические свойства пленок медного фталоцианина модификации формы молекул периферийными и аксиальными заместителями. Критическая толщина, выше которой кристаллическая подложка не оказывает ориентирующего воздействия на молекулы пленки.

    автореферат, добавлен 31.07.2018

  • Реализация метода двух полых цилиндров с различной толщиной стенки в температурном интервале 2300-3300 К. Метод определения изучаемого комплекса свойств с учетом зависимости теплопроводности и удельного электрического сопротивления от температуры.

    автореферат, добавлен 31.08.2018

  • Определение верхней температурной границы измерения теплопроводности графита в стационарном тепловом режиме при применении электрического тока в качестве источника нагрева. Исследование температурной зависимости удельного электрического сопротивления.

    автореферат, добавлен 01.05.2018

  • Определение удельного сопротивления раствора электролита. Особенности электрического сопротивления металлов. Процесс фокусировки электронного пучка магнитным полем, кaлибровка термопары. Снятие вольтамперной характеристики полупроводникового диода.

    дипломная работа, добавлен 14.09.2017

  • Техническое описание метода определения удельного электрического сопротивления графита в диапазоне высоких температур от 1000 до 3300 K (ниже температуры сублимации) с использованием электротермического атомизатора атомно-абсорбционного комплекса.

    статья, добавлен 26.10.2010

  • Основные методы формирования и свойства слоев пористого кремния. Температурные зависимости удельного сопротивления бесцветного кристалла, испещренного порами с высокой пористостью. Главная характеристика отпора среды продуктов электрохимических реакций.

    курсовая работа, добавлен 01.05.2015

  • Понятие электрического тока как переноса электрических зарядов. Характеристика основных структурных элементов атома. Особенности и порядок использования принципа Паули. Сущность туннельного эффекта и принцип действия функции распределения Ферми-Дирака.

    лекция, добавлен 29.10.2013

  • Минимальное значение усиливаемого сигнала и нормирование его ограничений. Обоснование флуктуации напряжений и токов в электрических цепях. Основные характеристики внутренних шумов, их источники. Параметры шумов электрических цепей, ламп, полупроводников.

    реферат, добавлен 27.06.2015

  • Расчет систематических и случайных погрешностей при измерении удельного сопротивления проволоки. Применение методов обработки большого числа экспериментальных данных при измерении сопротивлений. Закономерности измерении интенсивности радиационного фона.

    методичка, добавлен 12.02.2016

  • Сущность удельного расхода электроэнергии; его составляющие: преодоление сопротивления движению, покрытие потерь в резисторах, преобразователях, двигателях. Расчет компенсации потерь кинетической энергии поезда в тормозах. Понятие рекуперации энергии.

    реферат, добавлен 29.09.2018

  • Изучение комплекса информационных технологий, обеспечивающих мониторинг процесса выращивания монокристаллов, поддержку принятия решений по коррекции режима выращивания, а также оптимизацию геометрических параметров теплового экрана ростовой установки.

    статья, добавлен 22.03.2016

  • Понятие полупроводниковых материалов. Собственная и примесная проводимость полупроводников. Механизм формирования и способы изменения состояния n-p перехода. Особенности расчета схем с нелинейным элементом - диодом. Расчет параметрического стабилизатора.

    методичка, добавлен 21.10.2014

  • Основные принципы решения прямых и обратных задач терморазведки. Характеристика энергетических процессов, при помощи которых формируется тепловое поле Земли. Анализ специфических особенностей аппаратуры для проведения геотермических исследований.

    статья, добавлен 07.08.2015

  • Исследование прибора для измерения температуры на основе терморезистивного преобразователя (термометра сопротивления). Методические погрешности контактных методов. Измерительные цепи термометров сопротивления. Погрешности, обусловленные терморезистором.

    методичка, добавлен 17.01.2018

  • Обзор особенности электропроводности твердых тел. Измерение зависимости электропроводности германия и меди от температуры, определение ширины запрещенной зоны германия, температурного коэффициента удельного сопротивления меди и длины свободного пробега.

    лабораторная работа, добавлен 24.06.2016

  • Сверхпроводимость как макроскопическое квантовое явление. Эффект Джозефсона. Причины возникновения, свойства и применение сверхпроводимости. Туннельный эффект. Стационарный эффект Джозефсона. Квантовая интерференция. Сверхпроводниковый суперкомпьютер.

    реферат, добавлен 24.03.2009

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.