Механизмы отказов полупроводниковых комплектующих электрорадиоизделий при воздействии внешнего электромагнитного излучения
Исследование влияния импульсного электромагнитного излучения, сопровождаемого возникновением токов в проводящих элементах изделий и возникновением их внутренних полей, на надежность и отказоустойчивость полупроводниковых комплектующих электрорадиоизделий.
Подобные документы
Закономерности внешнего и внутреннего фотоэффекта. Принцип действия, устройство и конструкция фотоэлементов, фоторезисторов, фотодиодов и гибридных приемников. Параметры и характеристики фотоэлектрических приемников излучения, аспекты их применения.
учебное пособие, добавлен 07.08.2013Основные характеристики электромагнитного излучения. Распределение показателя преломления по сечению волоконного световода. Химическая стойкость и защита оптических волокон от воздействия внешней среды. Сердечники, оболочки и армирующие элементы ОК.
книга, добавлен 19.08.2013Изучено устройство, принцип действия и основные свойства полупроводниковых фоторезисторов, а также принцип действия построенных на их основе фотодетекторов. Применение фоторезисторов. Регистрация оптического излучения. Световое реле для освещения улиц.
реферат, добавлен 17.02.2022Биполярные и униполярные (полевые) транзисторы - базовые элементы большинства полупроводниковых интегральных схем. Изучение основных технологические процессов для формирования полупроводниковых структур. Локальное изменение типа проводимости кремния.
презентация, добавлен 01.03.2023Знакомство с классификацией полупроводниковых приборов по признаку их функционального назначения в радиоэлектронных схемах. Варикап как полупроводниковый нелинейный управляемый конденсатор. Особенности параметрических и полупроводниковых диодов.
дипломная работа, добавлен 21.08.2015Создание новых типов полупроводниковых приборов, их функции. Разработка, моделирование и экспериментальное исследование нового интегрального позиционно-чувствительного полупроводникового фотоприемника с отрицательной дифференциальной проводимостью.
автореферат, добавлен 14.04.2018Знакомство с методикой расчета относительной плотности потока энергии по совокупности передающих радиотехнических объектов и радиотехнических средств. Использование СУБД и пакета прикладных программ как один из основных элементов проектирования.
статья, добавлен 25.11.2020- 58. Импульсно-периодические источники перестраиваемого излучения для ультрафиолетового диапазона спектра
Исследование генерации второй гармоники излучения лазеров на красителях с ламповой накачкой в различных спектральных диапазонах, его практическое применение. Выбор типа и длины нелинейного кристалла и вычисление степени фокусировки основного излучения.
статья, добавлен 23.10.2010 Экспериментальное исследование характера распространения побочного электромагнитного излучения и наводок от кабелей разного типа. Рассмотрение данных: коаксиальный кабель - сильнейшее побочное излучение, наибольшая защита - экранированная витая пара.
лабораторная работа, добавлен 04.05.2014Особенность сравнения полупроводниковых приборов с электронными лампами. Характеристика электронно-дырочного перехода. Рассмотрение вольтамперной характеристики диода и выявление его нелинейных свойств. Принцип действия и схема включения транзистора.
реферат, добавлен 15.11.2015Изучение влияния ионизирующего излучения на МОП-транзисторы. Генерация электронно-дырочных пар. Измерение и анализ характеристик схем после воздействия ионизирующего излучения. Описание среды моделирования LTSpice. Анализ характеристик транзисторов.
дипломная работа, добавлен 01.12.2019- 62. Способ пеленгации источников когерентного излучения с использованием модифицированного метода Прони
Исследование результатов имитационного моделирования процесса пеленгации системы, состоящей из двух источников когерентных излучения дополненной источником-эквивалентом фонового излучения. Характеристика математической модели лоцируемого объекта.
статья, добавлен 27.02.2019 Четырёхзондовый метод измерения удельного поверхностного сопротивления полупроводниковых подложек и тонких плёнок. Определение типа проводимости полупроводниковых подложек на оборудовании. Расчет тонкопленочных резисторов гибридной интегральной схемы.
лабораторная работа, добавлен 26.03.2022Способ описания степени неупорядоченности активных слоев полупроводниковых приборов. Введение функциональной зависимости энергетического спектра на основе упрощенного построения дефектной решетки материала. Результаты экспериментальных исследований.
статья, добавлен 03.03.2012Понятие и виды радиопередающих устройств. Изучение строения и принципа работы радиопередающего устройства на полупроводниковых приборах. Характеристика основных принципов построения передатчиков коммерческой связи, реализующих частотную модуляцию.
курсовая работа, добавлен 16.02.2016Сущность метода импедансного аналога электромагнитного пространства, предназначенного для компьютерного моделирования сложных электродинамических систем во временной и частотной областях. Основы метода импедансного аналога электромагнитного пространства.
статья, добавлен 04.11.2018Солнце - ключевой источник мощного потока электромагнитного излучения космического происхождения в частотных диапазонах вблизи Земли. Применение модифицированного метода Кирхгоффа в сверхвысокочастотной радиометрии взволнованной морской поверхности.
статья, добавлен 30.10.2018Свойства и виды (простые и сложные) полупроводниковых материалов. Основные методы промышленного получения монокристаллов соединений: метод Чохральского, направленная кристаллизация. Классификация и общая характеристика полупроводниковых соединений.
доклад, добавлен 15.10.2011Движение электронов в вакууме в режиме объемного заряда. Электронно-оптические системы электронно-лучевых приборов. Газоразрядные приборы, основанные на использовании излучения плазмы. Физические основы полупроводниковых приборов. Квантовая электроника.
учебное пособие, добавлен 06.09.2017Области применения и технические характеристики датчиков температуры. Особенности полупроводниковых температурных датчиков. Преимущества и недостатки датчиков на основе диодов и транзисторов, терморезисторов и пленочных полупроводниковых приборов.
реферат, добавлен 06.08.2010Оценка предельной энергии, излучаемой круглой поверхностной антенной. Рассмотрение импульсного критерия пробоя. Расчёт и определение характеристик зависимостей предельной энергии излучения от длительности импульса в различных режимах работы генератора.
статья, добавлен 02.04.2019Техника полупроводниковых приборов как самостоятельная область электроники. Выпрямительные диоды малой, средней и большой мощности. Импульсные диоды и полупроводниковые стабилитроны. Полупроводниковый преобразователь тепловой энергии окружающей среды.
реферат, добавлен 09.04.2009Радиоэлектронная разведка как дисциплина сбора разведывательной информации на основе приема и анализа электромагнитного излучения: характеристика видов, основное содержание. Анализ основных способов определения частоты сигналов радиоэлектронных средств.
курсовая работа, добавлен 22.12.2012Общая характеристика основных методов и средств фокусировки когерентного электромагнитного излучения в ограниченной области пространства. Знакомство с ключевыми особенностями широкополосных сфокусированных антенных систем, анализ сфер применения.
статья, добавлен 02.04.2019Физические основы полупроводниковых приборов. Строение полупроводниковых материалов. Понятие дырочной проводимости. Характеристика основных носителей заряда. Причины появления электрического тока в полупроводнике. Влияние примесной электропроводности.
презентация, добавлен 31.10.2020