Расчет МОП-транзистора
Расчет параметров и характеристик МОП-транзисторов на основе дырочного кремния, со встроенным каналом. Изучение понятия и сущности транзисторов, анализ их основных видов. Классификация полевых транзисторов. Анализ концентрации легирующей примеси в канале.
Подобные документы
Транзистор, его функциональные особенности. Возникновение транзисторов, их классификация и применение. Полевые транзисторы, расчёт и построение нагрузочной прямой. Биполярные транзисторы, расчёт усилительного каскада. Общие сведения об электронных ключах.
курсовая работа, добавлен 21.11.2013Сущность и классификация транзисторов как радиоэлектронных компонентов из полупроводникового материала. Устройство биполярного транзистора. Эпитаксиальные транзисторы. Материалы для изготовления полупроводниковых приборов. Особенности расчёта транзистора.
курсовая работа, добавлен 21.02.2018Исследование режимов работы транзистора в усилителях, используемых в системах управления производственными процессами. Условия выбора режима работы транзистора. Анализ сведений о типах электронных устройств классов транзисторов и их основных свойствах.
статья, добавлен 21.10.2016Выбор функциональной схемы измерительного усилителя переменного напряжения. Расчет сопротивления обратной связи. Снижение коэффициента нелинейных искажений. Выбор транзисторов по току для бестрансформаторных схем. Частотные свойства выходных транзисторов.
курсовая работа, добавлен 06.06.2014Исследование отличительных особенностей выходных каскадов транзисторов. Анализ работы предварительного каскада в области средних частот. Расчет коэффициентов усиления базового тока композитного транзистора. Изучение схемы двухтактного выходного каскада.
лекция, добавлен 04.10.2013Основные статические параметры транзистора. Показатели динамического режима транзисторного усилителя. Принципиальная схема усилительного каскада. Расчет транзисторного каскада, работающего в ключевом режиме. Определение параметров схемы мультивибратора.
контрольная работа, добавлен 03.06.2018Входное сопротивление транзистора. Небольшие нелинейные искажения, их искажение. Процесс усиления сигнала в классе А. Определение четырех параметров данного каскада. Зависимость параметров биполярного транзистора от частоты. Влияние температуры.
презентация, добавлен 23.09.2016Методы измерений биполярных транзисторов. Влияние температуры и частоты на свойства транзисторов и полупроводниковых приборов. Обоснование алгоритма экстракции SPICE-параметров модели. Разработка интерфейса и вычислительного ядра программного модуля.
магистерская работа, добавлен 01.12.2019Классификация и система обозначений полупроводниковых диодов: стабилитрон, туннельный, варикап, фотодиод и диод Шотки. Устройство биполярного транзистора, его частотные и усилительные свойства. Статические характеристики полевых транзисторов, их схема.
курсовая работа, добавлен 19.04.2014Общие сведения о биполярных транзисторах как электропреобразовательных приборах, их классификация по мощности и частоте. Устройство, принцип действия и схемы включения транзисторов. Статические характеристики и схемы замещения биполярных транзисторов.
лекция, добавлен 26.09.2017Характеристика понятия, свойств инверторов. Вольтамперные характеристики инвертора. Технологический маршрут создания инвертора на основе двух полевых транзисторов с барьером Шоттки. Изучение технологий, используемых в создание инвертора на основе GaAs.
курсовая работа, добавлен 08.01.2018Расчет автоколебательного мультивибратора: выбор напряжения источника, выбор транзистора, расчет сопротивления резисторов и хронирующего конденсатора. Параметры ждущего мультивибратора, его транзисторов и резисторов. Проверка условия восстановления схемы.
курсовая работа, добавлен 28.08.2012Полевой транзистор - плоский конденсатор, между обкладками которого в диэлектрике помещён полупроводник, который является токопроводящим каналом. Зондовая станция - инструмент для непосредственного электрического подключения к тестовым транзисторам.
дипломная работа, добавлен 30.06.2017Расчет усилителя на биполярном и полевом транзисторах. Расчет частотных характеристик усилителя. Определение усилителя с заданным режимом покоя. Расчет генераторов тока и напряжения. Определение устройств на операционных усилителях и фильтра Чебышева.
курсовая работа, добавлен 24.04.2017Эффект изменения проводимости приповерхностного слоя полупроводника на границе с диэлектриком под воздействием поперечного электрического поля. Особенности транзисторов с изолированным затвором со встроенным каналом. Канал проводимости тока в пластине.
доклад, добавлен 24.06.2013Изучение принципа действия полупроводниковых приборов. Классификация диодов и транзисторов. Термостабилизация рабочей точки транзистора по постоянному току. Анализ работы усилителя сигналов низкой частоты. Характеристики компаратора и мультивибратора.
курс лекций, добавлен 23.03.2015Применение полупроводниковых приборов в различной радиоэлектронной аппаратуре. Преимущества транзисторов по сравнению с электронными лампами. Электронно-дырочный p-n переход. Устройство и принцип действия биполярных транзисторов, схемы их включения.
реферат, добавлен 22.03.2010Особенности полевых транзисторов с изолированным затвором, которые используются в глубокоохлаждаемых фотоприемных устройствах. Разработка гибридной таблично-аналитической модели полевого транзистора для электронных симуляторов интегральных схем.
статья, добавлен 30.05.2017Анализ режима работы схемы по постоянному току. Рассмотрение последовательности операций планарно-эпитаксиальной технологии. Выбор конструкции транзисторов в составе ИС. Расчет параметров обедненных слоев. Определение параметров диффузионных процессов.
курсовая работа, добавлен 19.09.2015Влияние ионизирующего излучения на характеристики КМОП транзисторов. Процессы, протекающие в окисле при влиянии радиации. Разработка моделей КМОП транзисторов с учетом влияния радиации космического пространства. Создание единой модели для доз радиации.
дипломная работа, добавлен 28.11.2019Применение и значение транзисторов в передатчиках, расчет и обоснование их структурной схемы. Электрический расчет нагрузочной системы выходного каскада. Выбор схемы автогенератора и транзистора. Определение нагрузочной системы умножителя частоты.
дипломная работа, добавлен 22.11.2015Характеристика кремниевых транзисторов с изолированным затвором. Рассмотрение особенностей технологического процесса изготовления FinFET-транзистора. Анализ функций нанотранзисторов на основе углеродных нанотрубок. Знакомство с проблемами GaN-технологии.
дипломная работа, добавлен 17.12.2013Характеристика источников опорного напряжения статического режима транзисторов. Предназначение генератора стабильного тока. Работа усилителя мощности и дифференциального усилителя в режиме синфазного усиления. Композитное включение транзисторов.
курсовая работа, добавлен 04.10.2012Современные перспективы развития электроники. Технология изготовления и принципы функционирования полупроводниковых диодов. Классификация полевых транзисторов и их условное обозначение. Изучение особенностей функционирования динистора и тринистора.
контрольная работа, добавлен 19.04.2014Процесс разработки антенны радиоприемного устройства. Расчет полосы пропускания и допустимого коэффициента шума приёмника. Выбор промежуточных частот и средств обеспечения избирательности. Правила выбора и расчет параметров транзисторов радиотракта.
курсовая работа, добавлен 30.10.2013