Формування акцепторної зони дефектами і домішками в кристалах вузькощілинного p-Hg1-xCdxTe
Встановлення природи особливостей електронних властивостей кристалів та епітаксійних структур твердих розчинів вузькощілинного p-Hg1-xCdxTe в області домішкової та стрибкової провідності. Опис переходів Мотта й Андерсона у домішковій зоні цих кристалів.
Подобные документы
Дослідження короткотривалої релаксації надструктури неспівмірних фаз кристалів тетраметиламін-тетрахлорметалатів, а також вивчення впливу електричного поля на поведінку хвилі модуляції в умовах "в’язкої взаємодії" в кристалах [N(CH3)4]2МеCl4 (Me=Cu, Zn).
автореферат, добавлен 14.09.2014Власна провідність напівпровідників. Енергія, потрібна електрону для міжзонального переходу. Концентрація вільних носіїв у верхній частині валентної зони і нижній частині зони провідності. Відстань між рівнями в зоні провідності і валентній зоні.
лабораторная работа, добавлен 28.07.2017Теорія деформаційного потенціалу й експериментальних даних поздовжнього п’єзоопору в кристалографічному напрямку сильнолегованих монокристалів германію в області виключно іонного розсіювання. Розрахунок ефективної маси густини станів для 1-мінімуму.
статья, добавлен 25.03.2016Встановлення особливостей магнітної сприйнятливості та преципітації кисню у монокристалічному і ниткоподібному кремнію, попередньо опроміненому нейтронами та легованому ізовалентними домішками. Рентгеноструктурні дослідження кристалів після термообробки.
автореферат, добавлен 29.09.2014Розробка широкосмугових, перебудовуваних, радіаційностійких ІЧ фотоприймачів та оптичних елементів на кристалах і плівках твердих розчинів телуриду ртуті з телуридами двох- та трьохвалентних металів. Методи підготовки поверхні монокристалічних підкладок.
автореферат, добавлен 26.09.2015Встановлення закономірностей впливу електромагнітного поля на характер перебудови пружних і електричних полів дефектів структури кристалів CdZnTe і ZnSe:Te та розробка засобів для її стимуляції. Спосіб стабілізації електрофізичних характеристик кристалів.
автореферат, добавлен 29.07.2015Дослідження широкосмугових оптичних фільтрів на основі фотонних кристалів та впливу на їх оптичні характеристики нелінійних властивостей середовища. Розробка методу розрахунку структури фотонних кристалів із урахуванням матеріальної дисперсії матеріалу.
автореферат, добавлен 18.07.2015Спонтанний та індукований п’єзооптичний і фотопружній ефект в кристалах Cs2HgBr4 і Cs2CdBr4 та коефіцієнти акустооптичної якості кристалів, вивчення дифракції світла в них. Поляризаційно-оптичні, мікроскопічні та дилатометричні дослідження кристалів.
автореферат, добавлен 28.07.2014Роль іонних процесів у формуванні простих і агрегатних центрів забарвлення та в їх термо-, фотоіндукованих перетвореннях у кристалах галогенідів двовалентних металів. Дослідження електричних, оптичних, радіаційних властивостей кристалів галогенідів барію.
автореферат, добавлен 10.01.2014Моделі для опису кривих дифракційного відбиття кристалів з неоднорідним шаром і їх когерентної та дифузної компонент багатошарових структур з однорідно розподіленими дефектами. Динамічна модель дифракції РП в багатошаровій структурі з дефектами.
автореферат, добавлен 10.08.2014Виявлення і дослідження зміни мікромеханічних, електрофізичних характеристик і наноструктури кристалів кремнію при впливі магнітного поля. Аналіз особливостей зміни мікротвердості кристалів кремнію при довготривалій дії слабких постійних магнітних полів.
автореферат, добавлен 30.07.2015Визначення критеріїв конкурентоздатності домінуючих міжзонних і домішкових механізмів рекомбінації в кристалах телуридів кадмію, ртуті в залежності від складу і рівня легування матеріалу. Встановлення процесів природної деградації кристалів КРТ n-типу.
автореферат, добавлен 12.11.2013Опис енергетичного спектру, спінового транспорту та магнітних властивостей кристалів з сильними електронними кореляціями. Дослідження намагнічуваності та просторових неоднорідностей магнітної структури в системах з сильними електронними кореляціями.
автореферат, добавлен 28.09.2014Результати діелектричних досліджень сегнетиелектричних кристалів CuIn1+гамаP2S6 в температурному інтервалі 293-450 К при дії гідростатичних тисків до р=300МПа. Етапи побудови фазової p,T-діаграми кристалів; причини її відхилення від лінійного закону.
контрольная работа, добавлен 27.12.2016Дослідження температурних, спектральних та баричних залежностей показників заломлення та інверсії знака двопроменезаломлення кристалів. Виявлення нових фазових переходів, баричного витіснення несумірної фази. Розрахунок параметрів формули Зельмейєра.
автореферат, добавлен 10.01.2014Політипність досліджуваних кристалів TlInS2 і TlGaSe2. Вплив всебічного стиснення кристалів на область існування неспівмірно-модульованої фази. Особливості впливу гідростатичного тиску і температури на оптичні та діелектричні властивості кристалів.
автореферат, добавлен 14.08.2015Кристалічні речовини, їх характерні властивості, як: стала температура плавлення, спайність, анізотропія, пружність. Існування рідких кристалів, їх застосування для створення осциляторів для годинників, радіо, телевізорів, електронних ігор, комп’ютерів,
презентация, добавлен 27.02.2020Дослідження зонної структури кристалів Cs2CdI4 і суперіоніки Ag2CdI4. Генезис зон та непрямозонний характер оптичних переходів. Спектри оптичних констант для кристала зі структурою типу Sr2GeS4 та походження смуг у спектрах діелектричної проникності.
автореферат, добавлен 06.07.2014Розгляд підходу до спектроскопії свинцевих активаторних центрів у лужно-галоїдних кристалах. Опис методики створення монокристалів та дослідження їх люмінесцентно-кінетичних властивостей. Аналіз впливу квантово-розмірного ефекту на властивості кристалів.
автореферат, добавлен 29.04.2014Закономірності мікропластичної деформації ковалентних кристалів при індентації і одноосьовому стисканні в температурній області крихкого руйнування. Розробка методики деформування приповерхневих шарів за допомогою імпульсного лазерного опромінення.
автореферат, добавлен 28.12.2015Зміни параметра анізотропії рухливості K в n-Si з точковими дефектами під впливом високого гідростатичного тиску. Зміни рухливості носіїв струму під впливом гама-опромінення і пружної направленої деформації досліджуваних кристалів, опис експерименту.
автореферат, добавлен 04.03.2014Встановлення впливу технологічних факторів на процеси формування ростового забарвлення в кристалах ітрій-алюмінієвого перовськиту. дослідження ролі домішкових іонів рідкісноземельних та перехідних елементів в радіаційно- і термоіндукованих процесах.
автореферат, добавлен 22.06.2014Встановлення зв'язку особливостей електронного спектру молібдену з аномаліями надпровідних і кінетичних властивостей подвійних та потрійних сплавів. Проявлення топологічних переходів в металах. Вивчення впливу домішок і температури на величину аномалій.
автореферат, добавлен 06.07.2014Створення елементної бази сенсорів температури та деформації на основі ниткоподібних кристалів твердого розчину Si1-хGeх, вплив магнітного поля на їх характеристики. П’єзорезистивні і термоелектричні властивості кристалів в області низьких температур.
автореферат, добавлен 28.07.2014Закономірності тензорезистивних ефектів, обумовлених перебудовою енергетичних зон кристалів Si та Ge під дією сильної одновісної деформації і дослідження анізотропії тензорезистивних ефектів, пов’язаної зі змінами симетрії кристалів і рівня легування.
автореферат, добавлен 29.08.2014