Метрология и радиоэлектроника
Использование метода сравнения показаний при определении погрешности средств измерений в метрологии. Принцип действия полупроводниковых приборов. Применение транзистора в радиоэлектронике. Средства пожаротушения, их назначение и правила эксплуатации.
Подобные документы
Понятие газоразрядных и вакуумных индикаторов, характеристика их разновидности. Принцип работы дисплея с полевой эмиссией. Сущность электролюминесцентных индикаторов, их свойства, значение и отличительные черты. Использование углеродных нанотрубок.
лекция, добавлен 17.08.2014Применение различных типов материалов в качестве теплопроводящего слоя в месте контакта металлического основания транзистора и охлаждающего основания платы. Влияние применение материала на параметры уровня выходной мощности LDMOS-транзистора BLF578XR.
статья, добавлен 23.03.2018Принцип работы лазера. Различные виды полупроводниковых лазеров. Применение лазерных инструментов в хирургии глаза, при диагностике заболеваний различных внутренних органов, при лечении варикозной болезни вен. Полупроводниковые лазерные скальпели.
реферат, добавлен 13.06.2014Сущность принципа оптического усиления. Классификация и назначение полупроводниковых усилителей. Расчёт усиления и выходной мощности сигнала, ширины и равномерности полосы усиления эрбиевого усилителя. Принцип действия волоконно-оптических усилителей.
курсовая работа, добавлен 18.12.2013Тенденции развития измерительной техники. Обобщенная структурная схема измерительного прибора, сущность класса средств измерений. Составные части отсчетного устройства, понятие шкалы и указателя. Классификация измерительных приборов и их применение.
реферат, добавлен 12.05.2013Характеристика и назначение стрелочного электропривода (СЭП), его структурная схема. Классификация СЭП по принципу действия, роду питающего тока, типу коммутации электрических цепей. Конструкция, принцип действия, технология разборки и сборки СЭП.
практическая работа, добавлен 21.12.2017Знакомство с классификацией полупроводниковых приборов по признаку их функционального назначения в радиоэлектронных схемах. Варикап как полупроводниковый нелинейный управляемый конденсатор. Особенности параметрических и полупроводниковых диодов.
дипломная работа, добавлен 21.08.2015Основные принципы классификации полупроводниковых диодов. Последовательное включение выпрямительных диодов. Классификация и основные особенности транзисторов. Устройство биполярного транзистора. Расчет входной и выходной характеристики транзистора.
курсовая работа, добавлен 13.12.2013- 109. Полевые транзисторы
Характеристика и схема полевых транзисторов с управляющим переходом и с изолированным затвором, как полупроводниковых приборов, в которых ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом.
контрольная работа, добавлен 18.08.2010 Методология, условия и сроки поверки электрических измерительных приборов. Определение класса точности и приведенной погрешности технического амперметра магнитоэлектрической системы. Построение графика поправок. Заполнение и анализ таблицы измерений.
лабораторная работа, добавлен 22.05.2018Описание устройства и принципа действия биполярного транзистора как трёхполюсного полупроводникового прибора с двумя p-n переходами. Электросвязь и полупроводниковые области биполярного транзистора. Общий активный режим, отсечка и насыщение транзистора.
лекция, добавлен 19.09.2011Классификация и механизмы отказов транзисторов и диодов, причины выхода их из строя. Зависимость интенсивности отказов полупроводниковых приборов от условий их применения. Выбор щадящего режима работы устройств для увеличения надежности оборудования.
контрольная работа, добавлен 25.11.2012Анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора, используя включения с общей базой. Определение по построенным характеристикам графоаналитическим способом h-параметров. Значение элементов схемы R1/R4 и пределы измерительных приборов.
лабораторная работа, добавлен 16.09.2017Применение вакуумных и плазменных приборов в современной электротехнике. Преимущества электровакуумных приборов. Характеристика лампы накаливания, вакуумно-люминесцентного синтезирующего модуля и электроннолучевых приборов (классификация, применение).
контрольная работа, добавлен 04.06.2014Способ описания степени неупорядоченности активных слоев полупроводниковых приборов. Введение функциональной зависимости энергетического спектра на основе упрощенного построения дефектной решетки материала. Результаты экспериментальных исследований.
статья, добавлен 03.03.2012Описание способов измерения температуры и видов термометров. Разработка и описание системы приборов, работа их в комплексе. Манометрические термометры, особенности их устройства и разработки. Метрологические характеристики и погрешности приборов.
курсовая работа, добавлен 27.02.2009Назначение и принцип действия инвертора. Подбор контрольно-измерительных приборов и инструментов, необходимых для его ремонта. Неисправности устройства. Алгоритм поиска дефекта. Организация рабочего места регулировщика радиоэлектронной аппаратуры.
курсовая работа, добавлен 11.04.2016Области применения и технические характеристики датчиков температуры. Особенности полупроводниковых температурных датчиков. Преимущества и недостатки датчиков на основе диодов и транзисторов, терморезисторов и пленочных полупроводниковых приборов.
реферат, добавлен 06.08.2010Техника полупроводниковых приборов как самостоятельная область электроники. Выпрямительные диоды малой, средней и большой мощности. Импульсные диоды и полупроводниковые стабилитроны. Полупроводниковый преобразователь тепловой энергии окружающей среды.
реферат, добавлен 09.04.2009Проектирование тензочувствительного преобразователя для измерения нагрузки. Конструкция и принцип действия преобразователя. Основные параметры и характеристики преобразователя. Методы расчёта тензорезисторов. Погрешности измерения тензорезисторами.
курсовая работа, добавлен 10.01.2016- 121. Полевые транзисторы
Изучение активных полупроводниковых приборов, управляемых электрическим полем. История создания полевых транзисторов и их классификация. Исследование приборов с управляющим p-n-переходом и изолированным затвором. Схемы включения и область применения.
реферат, добавлен 07.07.2016 Физические основы полупроводниковых приборов. Строение полупроводниковых материалов. Понятие дырочной проводимости. Характеристика основных носителей заряда. Причины появления электрического тока в полупроводнике. Влияние примесной электропроводности.
презентация, добавлен 31.10.2020Основные параметры биполярного транзистора с p-n-p переходом, определяющие работу линейного усилителя низкой частоты. Принципиальная схема работы усилителя. Расчет и экспериментальная проверка рабочей точки по статическим характеристикам транзистора.
курсовая работа, добавлен 20.09.2014Способы измерения и преобразования сигналов. Особенности автоматических систем с программным управлением. Принцип действия командоаппаратов. Схема устройства электромагнитного соленоида. Назначение и функции усилителей. Диаграмма токов работы тиристора.
лекция, добавлен 17.11.2019Физика работы транзистора. Параметры биполярного транзистора. Технология диффузионных процессов для легирования эмиттерной области. Метод тройной диффузии. Параметры диффузионных процессов. Эпитаксиальные процессы для формирования базовой области.
курсовая работа, добавлен 21.12.2012