Твердотельная электроника
Теоретические принципы контактных явлений в полупроводниках. Строение полупроводниковых диодов, вольт-амперная характеристика. Туннельный, лавинный пробой. Биполярные, полевые транзисторы. Переключение тиристоров. Принцип действия фоторезисторов, лазеров.
Подобные документы
Выявление основных областей использования полупроводниковых датчиков температуры в системах регулирования. Рассмотрение характеристики датчиков на основе диодов, транзисторов, терморезисторов, а также пленочных полупроводниковых датчиков температуры.
реферат, добавлен 16.05.2016Свойства нагревостойких диэлектриков, область их применения. Механизм пробоя жидких диэлектриков. Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Основные параметры магнитных материалов. Конструкционные материалы для разрывных контактов.
контрольная работа, добавлен 22.02.2010Способы представления колебаний, характеристики цепей переменного тока и резонансных систем. Основы генерации и распространения звуковых и электромагнитных волн. Принципы действия полупроводниковых элементов, на основе которых строятся преобразователи.
курс лекций, добавлен 22.06.2014Суть преобразования солнечной радиации в электрическую энергию. Анализ станций, использующих фотоэлектрические модули. Вольт-амперная характеристика p-n перехода. Основные параметры фотоэлемента. Схемы работы и недостатки данного инженерного сооружения.
презентация, добавлен 08.11.2016- 80. Закономерности деградации полупроводниковых чувствительных элементов автомобильных датчиков Холла
Автомобильные датчики, принцип действия которых основан на эффекте Холла и в которых чувствительным элементом является кремниевый кристалл. Методы определения внутренних механических напряжений в кристаллах. Механизмы в полупроводниковых элементах.
автореферат, добавлен 27.03.2018 Этапы развития лазеров. Уникальные свойства лазерного излучения. Применение маломощных импульсных лазеров и мощной лазерной технологии. Особенности газовых лазеров. Принципы работы магнитно-оптического накопителя. Лазерная локация и системы навигации.
реферат, добавлен 12.07.2009Закономерности дефектообразования в легированных и нелегированных полупроводниковых материалах методами просвечивающей электронной микроскопии. Расчет энергии дефекта упаковки. Контроль стойкости полупроводниковых материалов к образованию дефектов.
автореферат, добавлен 26.07.2018Предионизация в эксимерных лазерах. Возбуждение LC-инвертором, оптическим разрядом. Использование лазеров для детального изучения нелинейных спектроскопических явлений, тонкострунных спектров сложных молекул. Исследование лазерно-индуцированных процессов.
контрольная работа, добавлен 15.12.2013Физические основы электронных приборов и понятие полупроводников, применение акцепторной примеси. Электрическое поле, создаваемое пространственными зарядами и возникновение прямого тока. Вольт-амперная характеристика электронно-дырочного перехода.
контрольная работа, добавлен 23.01.2015Природа сварочной дуги. Ее технологические и электрические свойства. Классификация данного физического явления в зависимости от атмосферы, в которой оно возникает. Вольт-амперная характеристика дуги. Правила техники безопасности при дуговой сварке.
реферат, добавлен 08.04.2018Термоэлектрические преобразователи: принцип действия, применяемые материалы. Уравнение теплового баланса. Напряжение на выходе термопары. Погрешности и поправки измерений термопарой. Методы контактных электроизмерений средних и высоких температур.
реферат, добавлен 17.06.2013Устройство селенового выпрямителя и его преимущества: стойкость к токовым перегрузкам и к перегрузкам по напряжению. Вольт-амперная характеристика селеновых элементов, их зависимость от температуры. Применение селеновых выпрямительных столбов и блоков.
реферат, добавлен 08.12.2013Типы полупроводников c примесями n-типа и p-типа. Структура полупроводникового диода. Граница раздела двух областей с различной проводимостью. Включение диода в простейшую электрическую цепь. Вольт-амперная характеристика диода. Выпрямительные диоды.
реферат, добавлен 07.07.2016Методика расчета импульсных регуляторов. Основные компоненты импульсных источников питания: дроссели, конденсаторы, управляемые ключи и трансформаторы. Схема повышающего импульсного и инвертирующего регулятора. Вольт-амперная характеристика диода.
лекция, добавлен 03.03.2017Типы полупроводников c примесями n-типа и p-типа. Структура полупроводникового диода. Граница раздела двух областей с различной проводимостью. Включение диода в простейшую электрическую цепь. Вольт-амперная характеристика диода. Выпрямительные диоды.
реферат, добавлен 11.12.2011Отличительные особенности и принцип работы полупроводникового лазера. Люминесценция (излучение кванта света) в полупроводниках, использование способа генерации избыточных электронно-дырочных пар для ее наблюдения. Инверсия населённостей в полупроводниках.
реферат, добавлен 16.10.2011История изобретения транзисторов, их назначение, область применения и недостатки первых моделей. Структура и типовые характеристики биполярных транзисторов с изолированным затвором. Сравнительная характеристика различных семейств биполярных транзисторов.
реферат, добавлен 02.12.2015Законы внешнего фотоэффекта. Принцип действия фотометра как измерительного прибора. Преобразование энергии в солнечных батареях за счет фотовольтаического эффекта, который возникает в полупроводниковых структурах при воздействии солнечного излучения.
реферат, добавлен 29.05.2013Изучение основных законов и методов расчёта линейных электрических и магнитных цепей. Принципы функционирования трансформаторов, электрических машин постоянного и переменного тока. Организация сетевого питания. Работа основных полупроводниковых приборов.
курс лекций, добавлен 16.11.2015Физические основы квантовой электроники, ее применение. Связанные электроны в составе атомных систем, генерация электромагнитных волн в приборах. Квантовый переход электрона с одного энергетического уровня на другой. Электрическое строение молекул.
реферат, добавлен 11.12.2010Структура и режимы работы биполярных транзисторов. Распределение стационарных потоков носителей заряда. Значения постоянных токов при активном режиме. Работа транзистора на малом переменном сигнале. Малосигнальные параметры и частотные характеристики.
презентация, добавлен 29.08.2015Изменение напряжения на стоке для обеспечения управления сопротивлением канала в тех же пределах, что и в случае подачи управляющего напряжения на затвор. Статические характеристики полевого транзистора. Характеристика и работа пентодного режима.
реферат, добавлен 19.02.2011История изобретения лазера Альбертом Энштейном, принцип его действия (монохроматическое излучение), виды (когерентный идеальный поглотитель, атомный, сазер) и применение. Оптический резонатор и система накачки. Лазер с распределенной обратной связью.
реферат, добавлен 09.12.2014Расчет вольт-амперных разрядных характеристик свинцовых стартерных аккумуляторных батарей. Характеристика основ баланса электроэнергии автомобилей и автобусов. Расчет параметров системы зажигания. Определение эквивалентного внутреннего сопротивления.
контрольная работа, добавлен 16.01.2014Принцип работы лазерного устройства, генерирующего электромагнитное излучение. Диапазон длины волн. Основные компоненты лазера, схема его строения. Режимы процесса генерации. Характеристика лазеров различных типов. Особенности применения лазеров.
реферат, добавлен 18.02.2014