Вдосконалення приладів теплового контролю складу речовин на основі застосування сенсорів з p-n переходом
Впливу температури на характеристики напівпровідникових сенсорів з p-n переходом. Залежність процесів теплорозподілу в діодних та транзисторних сенсорах від складу і структури кристалу напівпровідника. Вибір температурозалежних параметрів р-n переходу.
Подобные документы
Характеристика об’єкту та аналіз зорових задач. Вибір нормованої освітленості і коефіцієнту запасу, джерел світла та освітлювальних приладів, системи освітлення та її видів. Розміщення освітлювальних приладів та вибір марки проводу та способу прокладання.
контрольная работа, добавлен 18.05.2014Фізичні основи роботи піросенсорів. Робота піроелектрика в зовнішніх електричних колах навантаження і підсилення. Методи побудови мікроелектронних перетворювачів теплової потужності у частоту. Методи вимірювання температури на основі піроелектриків.
статья, добавлен 24.12.2018- 78. Взаємодія електромагнітних хвиль з активними хвилями в періодичних напівпровідникових структурах
Дослідження властивостей повільних поверхневих власних хвиль структури, утвореної однорідним плазмоподібним напівпростором та шарувато-періодичним середовищем (шарами напівпровідника та діелектрика). Взаємодія власних та кінетичних хвиль у напівпросторі.
автореферат, добавлен 02.08.2014 Дослідження змін рекомбінаційних процесів у бінарних сполуках сульфіду кадмію при варіюванні параметрів надвисокочастотного опромінювання. Вплив слабких магнітних полів на випромінювальну рекомбінацію в напівпровідниках з різною морфологією поверхні.
автореферат, добавлен 29.09.2014Поняття напівпровідникових матеріалів та пристроїв. Електронно-дірковий перехід та його властивості. Класифікація напівпровідникових діодів, їх різновиди та функціональні особливості. Опис і властивості арсеніду галію. Розрахунок параметрів діоду АД110А.
контрольная работа, добавлен 14.04.2015Процес проходження й відбиття світла від двошарової феромагнітної структури з неколінеарною орієнтацією намагніченостей шарів. Залежність оптичних характеристик структури від її параметрів і параметрів падаючої хвилі. Одержання рішень рівнянь Максвелла.
автореферат, добавлен 24.08.2015Залежність потужності теплового ІЧ випромінювання напівпровідника за краєм власного поглинання, збуджуваного світлом з області поглинання. Параметри напівпровідникового кристала: концентрація домішок, товщина кристала, коефіцієнт відбивання кристала.
автореферат, добавлен 29.07.2014Вивчення основних питань контролю якості технологічних рідин електрокінетичним методом на основі явища потенціалу протікання. Дослідження та обґрунтування можливості і доцільності використання потенціалу протікання рідини для експрес-контролю її складу.
автореферат, добавлен 27.07.2015Розробка структурної схеми системи живлення низьковольтних кіл з вузлом керування на сучасній базі. Аналіз схемних рішень для розробки вузлів керування напругою з урахуванням перехідних процесів. Основи вибору типів силових напівпровідникових ключів.
автореферат, добавлен 17.07.2015Дослідження закономірностей у змінах структурних, електрофізичних, термо-, магніто- і тензорезистивних властивостей сильно легованих та компенсованих гетероепітаксійних плівок Ge. Умови експлуатації мікроелектронних приладів для екстремальної електроніки.
автореферат, добавлен 28.07.2014Дослідження впливу параметрів експерименту на процес формування та основні характеристики шарів нітриду алюмінію. Отримання близьких до стехіометричного складу шарів нітриду алюмінію, що мають кристалічну будову з гексагональною граткою типу вюрциту.
статья, добавлен 13.10.2016Дослідження впливу типу вакансій на характер протікання процесів їх впорядкування у карбідних фазах втілення на основі ванадію, ніобію і молібдену з гексагональною симетрією кристалічної гратки. Вивчення зміни фазового складу в нанокристалічних порошках.
автореферат, добавлен 14.09.2014Розгляд досліджень, направлених на з’ясування відхилень від стехіометрії сполуки при її формуванні та з подальшим плином часу для встановлення особливостей зміни хімічного складу компонентів гетеропереходу. Аналіз стехіометрії в шарі сульфіду міді.
статья, добавлен 13.01.2017Фізична модель впливу тривалої витримки на повітрі і робочої температури на ефективність плівкових гетероструктур на основі базових шарів CuIn0,7Ga0,3Se2. Методика експериментального дослідження фотоелектричних процесів у плівкових гетероструктурах.
автореферат, добавлен 06.07.2014Аналіз впливу на глибину модуляції фізичних параметрів сумішей, температури та характеристик керуючого сигналу. Розробка рекомендацій по створенню матеріалів для ефективних низькочастотних модуляторів лазерного випромінювання видимого діапазону спектру.
автореферат, добавлен 18.11.2013Розробка теорії варизонних напівпровідникових приладів з гетеропереходом. Вивчення ефектів міждолинного переносу і резонансного тунелювання електронів. Визначення параметрів енергетичного зазору між долинами. Підвищення граничної частоти генерації.
автореферат, добавлен 27.08.2015Напівпровідникові прилади як різноманітні за конструкцією, технології виготовлення і призначенню електронні прилади, засновані на використанні властивостей напівпровідників. Залежність електропровідності напівпровідника від різних зовнішніх впливів.
реферат, добавлен 19.12.2021Визначення перспектив розвитку вакуумного та твердотільного чутливих елементів у рентгенівських телевізійних системах неруйнівного контролю. Підвищення ефективності та покращення вихідних параметрів рентгенотелевізійних систем неруйнівного контролю.
автореферат, добавлен 29.09.2014Оптимізація складу полімерної матриці та показ впливу основних наповнювачів на реологічні, теплофізичні і антифрикційні властивості матеріалів при формуванні композицій під дією ультразвукового й магнітного полів. Структурні зміни трибологічних процесів.
автореферат, добавлен 05.01.2014Розробка моделей ізотермічних і неізотермічних згинних коливань тонких в’язкопружних пасивних пластин з розподіленими п’єзоелектричними сенсорами та актуаторами на основі лінійної теорії в’язкопружності, гіпотез Кірхгофа-Лява та адекватних їм гіпотез.
автореферат, добавлен 28.08.2014Дослідження залежності коефіцієнту теплового розширення води від температури з врахуванням розширення скла. Фізичні особливості води як рідини. Зміна її просторової структури при аномальному тепловому розширенні, обчислення температурного коефіцієнту.
лабораторная работа, добавлен 29.07.2017Опис методу обчислення конфігурації ближнього поля поверхні напівпровідника з неоднорідним розподілом носіїв заряду під нею. Створення методик обраховування параметрів поверхні - коефіцієнта дифузії, часу релаксації, швидкості поверхневої рекомбінації.
автореферат, добавлен 26.09.2015Процеси окислення та їх вплив на механізми дефектоутворення у легованому кремнії. Закономірності деградації параметрів приладів залежно від структури приповерхньої області. Моделювання топологічних процесів струмопереносу в системах діоксиду кремнію.
автореферат, добавлен 14.08.2015Дослідження ефектів, що виникають в напівпровідникових структурах при протіканні струмів екстремальна великої густини. Характеристика дослідження механічного руйнування через невідповідність коефіцієнтів теплового розширення плівки і підкладинків.
автореферат, добавлен 12.02.2014Загальні принципи нормування світлотехнічних установок. Особливість врахування спектрального складу випромінювання при стандартизації. Вибір нормованої фотометричної характеристики. Розрахунок розподілу світлового потоку від точкового випромінювача.
курс лекций, добавлен 16.09.2017