Разработка и изготовление индикатора исправности транзистора и диода
Особенность изготовления дискретного биполярного транзистора. Усиление или генерация колебаний портативными радиоприемниками. Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Проведение исследования правил пользования пробником индикатором.
Подобные документы
- 101. Диоды Шоттки
Выпрямительные диоды Шоттки. Время перезарядки барьерной ёмкости перехода и сопротивление базы диода. ВАХ кремниевого диода Шоттки 2Д219 при разных температурах. Импульсные диоды. Номенклатура составных частей дискретных полупроводниковых приборов.
реферат, добавлен 20.06.2011 Прямое и обратное включение диода. Физический смысл параметров диода. Низкочастотные и высокочастотные значения. Переходные процессы в диодах с p-n переходом. Частотные свойства диодов. Выпрямительные и импульсные диоды, стабилитроны, диоды Шоттки.
курсовая работа, добавлен 07.12.2014Анализ инерционности фотогенерированных носителей заряда в структуре кремниевого фотопреобразователя (ФЭП). Разработка многоэмиттерного биполярного транзистора. Исследование специфики влияния зарядовых насосов на световую вольтамперную характеристику ФЭП.
статья, добавлен 09.07.2013- 104. Диод
Рассмотрение основных свойств диодов. Направления использования германиевых, кремниевых диодов, диодов из арсенида галлия и фосфида индия. Основные электрические параметры, характеризующие диоды. Вольтамперная характеристика полупроводникового диода.
презентация, добавлен 06.05.2019 Принцип работы биполярного транзистора. Графоаналитический метод расчета усилительного каскада. Физический смысл h-параметров. Характерная особенность усилителя и его отличие от других преобразующих устройств. Выбор величины ЭДС источника питания.
методичка, добавлен 02.05.2014Принципы компьютерного моделирования схем на базе метода узловых потенциалов с использованием ступенчатой аппроксимации вольт-амперной характеристики диода. Разработка визуального обучающего конструктора. Пример моделирования диодно-резистивной схемы.
статья, добавлен 21.06.2018Принцип работы и математическая модель генератора экспоненциальных колебаний. Основные уравнения для его проектирования и последовательность действий. Расчет генератора с заданными параметрами частоты колебаний и напряжения. Выбор резистора и транзистора.
реферат, добавлен 08.10.2015Принцип работы схемы генератора синусоидальных колебаний. Получение сигналов треугольной (а также пилообразной) и синусоидальной форм последовательным преобразованием исходных прямоугольных импульсов. Вольтамперная характеристика полевого транзистора.
контрольная работа, добавлен 18.10.2010Исследование электрофизических и приборных характеристик одинарных и двойных гетероструктур. Разработка основных этапов технологии создания мощного полевого транзистора. Электрофизические параметры и стабильность приборных характеристик транзистора.
автореферат, добавлен 31.07.2018Особенности полевых транзисторов с изолированным затвором, которые используются в глубокоохлаждаемых фотоприемных устройствах. Разработка гибридной таблично-аналитической модели полевого транзистора для электронных симуляторов интегральных схем.
статья, добавлен 30.05.2017Разработка схемы автоматической регулировки мощности для генератора сигналов качающейся частоты с рабочим диапазоном частот 20-100 МГЦ. Эмиттерный повторитель с использованием биполярного транзистора. Расчет схемы усилителя с автоподстройкой усиления.
дипломная работа, добавлен 02.12.2013Характеристика и специфика принципа действия биполярного транзистора, понятие верхнего тока. Вольтамперная характеристика, вычисление возможного изменения тока. Схемы биполярных транзисторов, отличительные черты положительного и отрицательного напряжения.
лекция, добавлен 23.09.2017Исследование полупроводникового диода, биполярных транзисторов и транзисторных усилителей, неуправляемых однофазных выпрямителей, управляемых однофазных выпрямителей. Расчет динамического сопротивления стабилитрона, коэффициента нестабильности.
лабораторная работа, добавлен 16.12.2015АЦП параллельного преобразования и расчет тактового генератора. Выбор и описание микросхем, разработка преобразователя уровней и выбор биполярного транзистора. Расчет схемы ПУ, подбор номиналов резисторов и специфика расчета мощности, потребляемой ПУ.
курсовая работа, добавлен 03.12.2014Построение вольт-амперной характеристики идеализированного кремниевого диода в пределах изменения напряжения и принципиальной схемы усилителя. Принципы работы и параметры фотодиода. Определение величины сопротивления ограничительного резистора.
контрольная работа, добавлен 17.12.2011Характеристика применения системы Autodesk Inventor для численного моделирования колебаний стержня. Проведение исследования форм изгибных колебаний в плоскости. Главная особенность снижения собственных частот всех форм колебаний при установке датчиков.
статья, добавлен 19.12.2019- 117. Математическая модель электрохимического датчика растворённого кислорода на основе МДП-транзистора
Разработка конструкции и математической модели электрохимического датчика растворённого кислорода на основе полевого транзистора с изолированным затвором. Основные недостатки применения ионоселективных электродов для определения концентрации веществ.
статья, добавлен 27.05.2018 Понятие биполярного транзистора, его структура и общие принципы работы. Характеристика главных параметров, их расчеты и изменения. Особенности схем включения с общим эмиттером, коллектором, базой, их ключевых режимов и соотношения данных в них.
реферат, добавлен 01.05.2009Сравнение двоичного и троичного аналого-цифрового преобразователя. Описание метода кодировки цветов с помощью троичной логики на основе многоканального объемного органического RGB диода, позволяющего выполнять несколько троичных операций одновременно.
статья, добавлен 02.04.2019АЦП параллельного преобразования. Расчет тактового генератора для АЦП. Выбор и описание микросхем. Разработка преобразователя уровней. Выбор биполярного транзистора. Расчет схемы ПУ, подбор номиналов резисторов. Построение передаточной характеристики.
курсовая работа, добавлен 27.08.2012Краткий анализ причин перераспределения тока в транзисторной структуре. Разработка макета для проведения неразрушающих испытаний биполярных транзисторов. Область безопасной работы биполярного транзистора. Результаты контроля партии транзисторов.
статья, добавлен 15.08.2013Полупроводниковые технологии и современные интегральные микросхемы. Изучение закона Мура. Схема традиционного планарного транзистора. Структура терагерцевого транзистора. Бесконтактная диагностика микросхем. Аспекты развития микропроцессорной техники.
реферат, добавлен 15.11.2012- 123. Полевые транзисторы
Исследование особенностей работы полевых транзисторов. Изучение структуры полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. Способы изоляции управляющего электрода от управляемого токопроводящего канала. Образование индуцированного канала транзистора.
презентация, добавлен 20.07.2013 Определение зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты. Выходные характеристики полевого транзистора. Зависимость дифференциальных параметров. Особенности процесса построения временной диаграммы переменного тока коллектора.
контрольная работа, добавлен 22.10.2017Изучение схемы включения и исследование статических характеристик полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. Описание структуры и расчет стоковых и передаточных параметров транзистора. Сигнальные параметры и дифференциальное сопротивление стока.
лабораторная работа, добавлен 21.07.2013