Електронно-дірковий перехід
Конструкція, основні види польових транзисторів. Залежність електропровідності напівпровідників від виду домішок. Фізичні процеси в електронно-дірковому переході. ЕДП при зворотньому вмиканні зовнішньої напруги. Вольт-амперна характеристика р-n-переходу.
Подобные документы
Обмежувачі на діодах послідовного і паралельного типів. Біполярні транзистори та схеми вмикання і статичні характеристики біполярних транзисторів. Біполярний транзистор як активний чотирьохполюсник. Динамічні характеристики транзисторних ключів.
лекция, добавлен 26.03.2014Фiзичнi механізми функціонування інтегральних транзисторних i дiодних структур. Розрахунок i оптимiзацiя топології біполярних транзисторів з бар'єром Шотткi. Схема формувача потужних наносекундних iмпульсiв. Застосування товстоплiвкових резисторів.
автореферат, добавлен 05.01.2014Основні положення теорії передачі детермінованих сигналів через лінійні кола з постійними параметрами. Методи її реалізації: спектральний, інтеграла накладення. Частотні та часові характеристики резонансного підсилювача. Вимоги до оформлення розрахунків.
методичка, добавлен 22.07.2017Технологія матеріалів для напівпровідникових приладових структур. Одноелектронний турнікет. Методи синтезу напівпровідників та їх полі- і монокристалів та шарів цих матеріалів на підкладках. Властивості тунелювання, потенційних бар’єрів, хвилевої функції.
курсовая работа, добавлен 07.08.2013- 105. Варисторы
Отличительные особенности и параметры варисторов – полупроводниковых резисторов с симметричной вольт-амперной характеристикой. Их виды - низковольтные и высоковольтные. Преимущества и недостатки дисковых оксидно-цинковых варисторов серии TVR(FNR).
презентация, добавлен 27.04.2023 Вивчення топології, особливостей конструкцій і властивостей резисторів, конденсаторів, напівпровідникових інтегральних схем. Практичне знайомство з топологією біполярних транзисторів, напівпровідникових інтегральних схем різного ступеня інтеграції.
лабораторная работа, добавлен 18.04.2014Дослідження структури моделі МОН-транзистора яка впливає на точність розрахунку параметрів моделі субмікронних розмірів, послідовності її вбудовування в САПР схемотехнічного проектування, перевірка на вірність за допомогою порівняльного моделювання.
автореферат, добавлен 28.07.2014Етапи мультиплексування стандартних потоків PDH до синхронного транспортного модуля STM. Інформаційні структури (ІС), що використовуються в процесі формування STM-1 з триба, їх призначення. Швидкість передавання цифрового потоку при переході між ІС.
лабораторная работа, добавлен 05.02.2015Диод как двухэлектродный полупроводниковый прибор, состоящий из одного p-n перехода. Вольт-амперная характеристика p-n перехода. Синтез схемы для снятия ВАХ прямой ветви диода в Мультисим 14. Схема для снятия ВАХ обратной ветви диода. Поиск пробоя.
лабораторная работа, добавлен 01.06.2022Вивчення основних положень теорії комунікації канадського вченого, засновника Торонтської школи Х. Інніса. Аналіз концепції Х. Інніса щодо впливу технології засобів масової комунікації на соціально-політичні процеси. Види медіа: часові та просторові.
статья, добавлен 25.08.2018У роботі розглядається неізотермічне окислення (горіння) малих домішок ацетону та етанолу в повітрі на платиновому дроті. Використовується припущення про повне окислення ацетону та етанолу на платині, як каталізаторі. Вольтамперна характеристика дроту.
статья, добавлен 30.09.2024Принципи розвитку телекомунікаційних мереж та приймальних систем міліметрового діапазону. Оригінальні рішення організації з'єднання елементів замість дротяного з'єднання. Забезпечення високої вибірковості трактів і лінійності групового часу запізнювання.
автореферат, добавлен 29.09.2015Розробка структурної схеми та мікропрограми операційного автомату, синтез операційних елементів. Розрахунок навантаження елементу ЕЗЛ, часові діаграми. Параметри, логічні схеми та описання ІС, що використовуються. Характеристики транзисторів та діодів.
курсовая работа, добавлен 19.07.2013Побудова системи управління телекомунікаційними мережами оператора телекомунікацій в умовах переходу до NGN. Розробка методики розрахунку часу виконання транзакцій бізнес-процесу в системі управління, що ґрунтується на теорії масового обслуговування.
автореферат, добавлен 25.09.2015Моделювання і проектування погоджуючих ланцюгів малошумливих підсилювачів міліметрового діапазону. Рекомендації щодо конструкції робочих об'ємів каскадів підсилювачів, елементів монтажу з врахуванням технології паяння, зварки і приклеювання при монтажі.
автореферат, добавлен 29.09.2014Дослідження впливу деформаційних ефектів на електрофізичні параметри напівпровідників, зокрема кремнію. Розрахункові залежності рухливості носіїв заряду, концентрації основних та неосновних носіїв заряду, ширини забороненої зони від зміни тиску.
статья, добавлен 18.02.2016Построение вольт-амперной характеристики полупроводникового маломощного стабилитрона. Определение параметров лавинного тока для типового кремниевого прибора. Влияние дифференциального сопротивления на величину выходного напряжения схемы стабилизатора.
лабораторная работа, добавлен 24.12.2014Необхідність переходу із застарілих технологій на новий рівень надання послуг. Проблеми побудови і впровадження мереж наступного покоління в наш час. Особливості використання параметрів мережевих систем. Вимоги до безпеки мереж наступного покоління.
статья, добавлен 27.07.2016Построение вольт-амперной характеристики идеализированного кремниевого диода в пределах изменения напряжения и принципиальной схемы усилителя. Принципы работы и параметры фотодиода. Определение величины сопротивления ограничительного резистора.
контрольная работа, добавлен 17.12.2011Группы полупроводниковых резисторов. Варисторы, нелинейность вольт. Фоторезисторы – полупроводниковые приборы, изменяющие своё сопротивление под действием светового потока. Максимальная спектральная чувствительность. Плоскостные полупроводниковые диоды.
курсовая работа, добавлен 29.06.2015Описание систем по использованию линии электропередачи. Накладывание аналогового сигнала на стандартный ток, изменяющийся по величине и направлению с течением времени. Проблема передачи информации между энергоузлами. Технология интернет по 220 вольт.
доклад, добавлен 16.10.2019Контакты с участием полупроводниковых материалов. Средства управления потоками носителей в полупроводниках, применяемые при проектировании и изготовлении диодов и в частности – диодов Шоттки. Эффект поля и поверхностная концентрация электронов и дырок.
курсовая работа, добавлен 08.10.2017- 123. Основы электроники
Понятие элементной базы устройств полупроводниковой электроники. Особенности классификации, вольт-амперных. Характеристики диодов, транзисторов, основные схемы включения и особенности их применения в конкретных приборах в различных режимах работы.
учебное пособие, добавлен 24.09.2014 Вплив рентгенівського опромінення та слабких магнітних полів на електрофізичні показники термосенсорів. Причини збільшення ефективності рекомбінаційних процесів в області просторового заряду. Зменшення величини прямого струму вольт-амперних характеристик.
статья, добавлен 10.12.2016Модель частотного оптичного перетворювача з фототранзистором і активним індуктивним елементом для контролю плазмохімічних процесів, що складається з біполярного, МДН-транзисторів та фототранзисторів. Залежності функції перетворення і рівняння чутливості.
статья, добавлен 27.07.2016