Расчет температурных зависимостей электрофизических параметров полупроводников
Классификация веществ по величине и температурной зависимости проводимости. Представления об электропроводности собственных и примесных полупроводников. Зависимость концентрации носителей заряда и уровня Ферми в полупроводниках с одним типом примеси.
Подобные документы
Общие сведения о полупроводниках, их свойства. Методы очистки и переплавки полупроводниковых материалов. Металлургия германия и кремния, применение полупроводников. Источники электромагнитного поля, биологическое воздействие на организм человека.
реферат, добавлен 15.11.2009- 77. Время релаксации
Рекомбинация – это переход электрона из зоны проводимости в валентную зону, в результате чего исчезает пара свободных носителей. Основные механизмы генерации носителей заряда по типам электронных переходов. Максвелловское время релаксации, понятие и вид.
курсовая работа, добавлен 23.09.2020 Анализ проблемы двойного бета распада. Исследование температурной зависимости формы импульса и светового выхода сцинтилляционных кристаллов СаМоО4. Расчет ожидаемой чувствительности эксперимента в зависимости от концентрации радиоактивных примесей.
автореферат, добавлен 10.10.2018Рассмотрение физических основ электропроводности полупроводников. Характеристика силовых диодов. Определение особенностей лавинных диодов и стабилитронов. Изучение динамического режима работы транзисторов. Исследование общих сведений о тиристорах.
курс лекций, добавлен 28.08.2017Распределение электронов в твёрдом теле по энергиям и распределение Ферми. Квазистационарные уровни Ферми. Равновесное распределение электронов по энергиям. Величина и физический смысл постоянной, которая входит в функцию распределения Ферми-Дирака.
контрольная работа, добавлен 30.03.2017- 81. Эффект Холла
Эффект Холла в ферромагнетиках и полупроводниках, при примесной проводимости, при собственной проводимости, на инерционных электронах в полупроводниках. Квантовый и спиновый эффект Холла. Измерение эффекта Холла на образцах прямоугольной формы.
реферат, добавлен 03.06.2015 Исследование истории понятия электрического заряда и закона сохранения заряда. Характеристика закона Кулона и Ома. Определение электрической проводимости веществ. Особенности открытия магнитного взаимодействия и явления электромагнитной индукции.
реферат, добавлен 13.05.2016Контакт двух полупроводников одного вида с различными типами проводимости (электронным и дырочным). Несимметричный p-n переход. Область применения диодов. Прямое и обратное смещение p-n перехода. Способ образования интегрального полупроводникового диода.
презентация, добавлен 09.07.2015Устройство пьезоэлектрического полупроводника. Взаимодействие электронов проводимости с пьезоэлектрическим полем. Поглощение и усиление звука, физическая основа. Основные результаты линейной теории. Усиление акустических шумов и связанные с этим явления.
реферат, добавлен 10.12.2010Физические основы электронных приборов и понятие полупроводников, применение акцепторной примеси. Электрическое поле, создаваемое пространственными зарядами и возникновение прямого тока. Вольт-амперная характеристика электронно-дырочного перехода.
контрольная работа, добавлен 23.01.2015Кинетические закономерности проводимости и люминесценции кристаллов азида серебра, инициированной наносекундным импульсном неодимового лазера. Зависимости концентрации дырок в центре образца люминесценции и проводимости при инициировании кристаллов.
статья, добавлен 18.12.2017- 87. Расчет параметров транзисторов в зависимости от режимов эксплуатации и их температурная зависимость
Анализ параметров транзистора в зависимости от параметров удельного сопротивления толщины эпитаксии. Технологические операции, связанные с получением монокристаллических полупроводниковых пластин. Причины возникновения точечных дефектов в кристаллах.
контрольная работа, добавлен 15.01.2016 Построение вольт-амперной и световой характеристик, удельная чувствительность фотосопротивления. Внутренний фотоэффект в собственных и примесных полупроводниках с точки зрения зонной теории. Построение люкс-амперных характеристик фотосопротивления.
лабораторная работа, добавлен 12.09.2019Получение токопроводящих композиций на основе полиэтилена, полипропилена, стирол-бутадиен-стирола (СБС) за счет введения в их состав технического углерода и углеродных волокон. Зависимость электропроводности полимеров от концентрации наполнителя.
статья, добавлен 11.03.2018Кинетические характеристики физико-химических процессов в воде. Особенность линейных аппроксимаций температурных зависимостей ее свойств в окрестностях критических точек. Проведение исследования аппроксимаций изменений плотности и молярного объема.
статья, добавлен 11.01.2020- 91. Полупроводники
Исторические сведения появления полупроводников. Электрическая и электронная проводимость металлов, движение электронов. Зависимость сопротивления проводника от температуры. История открытия сверхпроводимости. Сущность понятия "ковалентная связь".
контрольная работа, добавлен 19.04.2013 Дрейфовый ток: общее понятие и порядок его возникновения. Подвижность носителей заряда и дырок в полупроводнике. Закон Ома в дифференциальной форме. Диффузионный поток электронов и последовательность его движения. Уравнение непрерывности носителей заряда.
контрольная работа, добавлен 21.07.2013Обзор особенности электропроводности твердых тел. Измерение зависимости электропроводности германия и меди от температуры, определение ширины запрещенной зоны германия, температурного коэффициента удельного сопротивления меди и длины свободного пробега.
лабораторная работа, добавлен 24.06.2016- 94. Низкочастотная диэлектрическая релаксация в стеклообразной системе Ge28.5Рb15S56.5 с примесью железа
Исследование электронных свойств и роли локализованных состояний, определяющих особенности щели подвижности в халькогенидных полупроводниках. Введение железа в стекла и последующий рост электропроводности и уменьшение энергии активации электропроводности.
статья, добавлен 12.05.2018 Анализ влияния концентрации нанокластеров примесей марганца на условия возбуждения и параметров автоколебания тока в кремнии в условиях сильной компенсации. Создание нового поколения высокочувствительных многофункциональных датчиков физических величин.
статья, добавлен 23.02.2021Возникновение мощных диффузионных потоков носителей заряда в момент образования контакта. Контактная разность потенциалов р-n-перехода. Оценка плотности тока неосновных носителей заряда. Дифференциальное сопротивление обратно смещенного р-n-перехода.
статья, добавлен 04.12.2018Характеристики и свойства наноструктур. Исследование поведения электронов при взаимодействии с наноматериалами. Условия возникновения кулоновских сил. Квантовое ограничение, интерференция и баллистический транспорт. Анализ рассеяния носителей заряда.
реферат, добавлен 22.01.2017Исследование электрической проводимости газов. Изменение электропроводности под действием нагрева и ионизации. Изучение свойств ионной проводимости. Рассмотрение явлений искрового разряда и молнии. Принципы применения коронного и дугового разрядов.
реферат, добавлен 12.02.2015Анализ основных элементов физики полупроводников. Зависимость электродвижущей силы Холла от размеров пластины. Схемы включения биполярных транзисторов. Сущность электронно-лучевых и вакуумно-люминесцентных индикаторов. Изучение светоизлучающих диодов.
лекция, добавлен 08.08.2020Определение массы газа в сосуде и абсолютное давление в начальном состоянии. Расчет количества полученной теплоты с учетом температурной зависимости теплоемкости газа. Построение графического изображения цикла в координатах. Значение газовой постоянной.
контрольная работа, добавлен 21.01.2014