Исследование методов встраивания полупроводниковых наночастиц в липосомальные контейнеры
Выбор метода формирования липосомальных контейнеров со встроенными в них полупроводниковыми наночастицами, обеспечивающего минимальный разброс значений диаметра липосомальных контейнеров. Измерение геометрических свойств полупроводниковых наночастиц.
Подобные документы
Исследование электротепловых режимов силовых полупроводниковых приборов (СПП) при групповых соединениях с учетом взаимосвязи их электрических и тепловых параметров и характеристик. Разработка методов подбора и отбраковки СПП для групповых соединений.
автореферат, добавлен 31.01.2019Физические свойства полупроводниковых сверхрешеток, определяющихся их электронным спектром. Исследование плотности электрического состояния, отличающейся от соответствующей величины в трехмерной системе. Особенность структуры многоволнового лазера.
статья, добавлен 29.05.2017Влияние локальных магнитных полей суперпарамагнитных наночастиц на спектрально-кинетические свойства триплетно возбужденных молекул родамина 6Ж в полимерной матрице поливинилового спирта. Спектр и кинетика замедленной флуоресценции и фосфоресценции.
статья, добавлен 23.06.2018Разработка оптических детонаторов на основе штатного бризантного взрывчатого вещества гексоген, сенсибилизированного светопоглощающими наночастицами никеля. Кинетические закономерности разложения композитов. Модель разогрева наночастиц излучением.
статья, добавлен 31.07.2018Характеристика операций планарно-эпитаксиальной технологии производства биполярных полупроводниковых ИМС с изоляцией элементов переходами. Анализ этапов проектирования полузаказных БИС и СБИС. Классификация видов и маркировки полупроводниковых диодов.
контрольная работа, добавлен 29.10.2010Теоретические и методические основы расчета полупроводниковых диодов и транзисторов на p-n-переходах. Рекомендации по определению электрических параметров и построению зонной диаграммы полупроводниковых приборов, а также микроэлектронных устройств.
методичка, добавлен 08.09.2015Анализ наночастицы Pt/C с различными размерами были исследованы методом рентгеновской дифракции и XANES спектроскопии. Характеристика углеродного носителя. Определение размеров наночастиц. Теоретический анализ экспериментального спектра наночастицы.
статья, добавлен 28.07.2017Особенность определения спектральных зависимостей комплексного показателя преломления. Анализ уменьшения максимального коэффициента эффективности поглощения наночастиц серебра в вакууме с увеличением длины волны без реализации плазмонного вбирания.
статья, добавлен 21.07.2018Исследование синтеза наночастиц, содержащих вольфрам, при термическом распылении композиционного электрода в электрической дуге постоянного тока. Изучение влияния силы тока разряда на кристаллическую структуру и морфологию синтезированного материала.
автореферат, добавлен 31.10.2018- 35. О повышении достоверности решения интегрального уравнения при безотборной диагностике наночастиц
Анализ результатов экспериментальных исследований наночастиц методом лазерной диагностики. Характеристика алгоритма обработки спектров пропускания частиц. Изучение основных вопросов взаимодействия оптического излучения с одиночной дисперсной частицей.
статья, добавлен 26.04.2017 Описание лабораторной установки для исследования температурной зависимости фототока полупроводниковых фоторезисторов. Результаты измерений времени жизни неосновных носителей фототока проводимости в зависимости от температуры и частоты волн облучения.
статья, добавлен 29.04.2019Спектральные зависимости комплексного показателя преломления платины в диапазоне длин волн 400-700 нм. Расчет коэффициентов эффективности поглощения наночастиц платины в вакууме и гексогене. Возможности реализации плазмонного резонансного поглощения.
статья, добавлен 19.12.2017Модернизация микроочаговой модели теплового взрыва. Интерпретация закономерностей взрывного разложения инициирующих взрывчатых веществ. Обзор зависимостей коэффициента эффективности рассеяния наночастиц ванадия от радиуса наночастиц в прозрачных средах.
статья, добавлен 18.07.2018Закономерности дефектообразования в легированных и нелегированных полупроводниковых материалах методами просвечивающей электронной микроскопии. Расчет энергии дефекта упаковки. Контроль стойкости полупроводниковых материалов к образованию дефектов.
автореферат, добавлен 26.07.2018Классификация резисторов и требования, предъявляемые к ним. Электрические параметры полупроводниковых приборов. Основы конструкторских расчетов резисторов для интегральных микросборок. Правила проектирования топологии микросхем с изоляцией р-n-переходом.
курсовая работа, добавлен 31.10.2016Классификация полупроводниковых материалов, их особенности и основные требования при применении. Собственная и примесная проводимость. Применение полупроводниковых материалов, приборы, основанные на их действии. Тепловые сопротивления, термоэлементы.
курсовая работа, добавлен 25.09.2014Изучение механизмов бактерицидного воздействия наночастиц коллоидного серебра на микробную клетку с точки зрения адсорбционных, электростатических, ферментативных и мутагенных теорий, методика его получения и применения в наноиндустрии и медицине.
статья, добавлен 25.05.2016Основная характеристика зависимости коэффициента эффективности поглощения лазерного излучения от радиуса наночастиц меди в матрице с показателем преломления. Важнейшая особенность наблюдения осцилляции подневольности вблизи плазмонного резонанса.
статья, добавлен 19.12.2017Способы представления колебаний, характеристики цепей переменного тока и резонансных систем. Основы генерации и распространения звуковых и электромагнитных волн. Принципы действия полупроводниковых элементов, на основе которых строятся преобразователи.
курс лекций, добавлен 22.06.2014Разработка принципов работы, моделирование и исследование фоточувствительных полупроводниковых приборов с N-образными вольт-амперными характеристиками малой мощности. Анализ выходных, переходных и температурных характеристик N-транзисторных оптронов.
автореферат, добавлен 02.08.2018Характеристика электронных, полупроводниковых, магнитных, пневматических и гидравлических усилителей. Использование полупроводниковых диодов в качестве генераторных узлов. Резонансный усилитель на туннельном диоде в составе входного узла приемника.
реферат, добавлен 10.10.2012Основные характеристики и параметры полупроводниковых р-n переходов, влияние на них температуры окружающей среды. Преобразование переменного тока в постоянный. Прямой и обратный токи полупроводникового диода, расчет дифференциального сопротивления.
контрольная работа, добавлен 13.12.2021Исследование необходимости использования метода лазерной интерференционной термометрии для дистанционного контроля температуры полупроводниковых и диэлектрических подложек в микроэлектронике. Распределение высокочастотной и сверхвысокочастотной энергии.
статья, добавлен 30.05.2017Расчет спектральных закономерностей коэффициентов эффективности поглощения наночастиц серебра в матрице с коэффициентом преломления 1,54. Определение выраженных локальных максимумов и минимумов. Характеристика перехода от первой ко второй гармонике.
статья, добавлен 19.12.2017Определение сущности электронно-дырочного перехода, который является основным элементом большинства полупроводниковых приборов. Рассмотрение и анализ зонной диаграммы гетероперехода. Характеристика особенностей границ раздела "полупроводник–диэлектрик".
реферат, добавлен 31.01.2015